首個450mm晶圓標(biāo)準(zhǔn)將于下月商定
SEMI將于11月10-13日召開會議，聯(lián)合業(yè)界廠商確定下一代450mm硅晶圓的標(biāo)準(zhǔn)。
在經(jīng)過幾輪爭議之后，芯片制造協(xié)會Sematech和集成電路產(chǎn)業(yè)已經(jīng)基本確定了所謂的“機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)”，將450mm硅晶圓的厚度設(shè)定在925±25微米，也就是略大于0.9毫米。相比之下，目前的300mm晶圓厚度只有775微米。
下個月，半導(dǎo)體業(yè)界將爭取指定450mm晶圓的“測試晶圓厚度”標(biāo)準(zhǔn)。
另外Sematech宣布將于2010年前推出32nm工藝的450mm晶圓的演示試用設(shè)備，2012年推出試水線并升級到22nm工藝，但沒有透露具體何時投產(chǎn)。根據(jù)此前消息，Intel、臺積電、三星計劃在2012年前后完成450mm晶圓廠原型。
在經(jīng)過幾輪爭議之后，芯片制造協(xié)會Sematech和集成電路產(chǎn)業(yè)已經(jīng)基本確定了所謂的“機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)”，將450mm硅晶圓的厚度設(shè)定在925±25微米，也就是略大于0.9毫米。相比之下，目前的300mm晶圓厚度只有775微米。
下個月，半導(dǎo)體業(yè)界將爭取指定450mm晶圓的“測試晶圓厚度”標(biāo)準(zhǔn)。
另外Sematech宣布將于2010年前推出32nm工藝的450mm晶圓的演示試用設(shè)備，2012年推出試水線并升級到22nm工藝，但沒有透露具體何時投產(chǎn)。根據(jù)此前消息，Intel、臺積電、三星計劃在2012年前后完成450mm晶圓廠原型。
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