晶體管
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論iPhone處理器十年進化史
今天，蘋果發(fā)布了最新一代的iPhone，作為新一代的旗艦，新手機的功能承載了蘋果對未來的希望和消費者的期待。但從我們半導體人看來更關(guān)注的是內(nèi)部技術(shù)的演變，尤其是其處理器上。
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關(guān)于芯片的那些事兒
三星宣布，加入了11nm 工藝，性能比此前的14nm提升了15%，單位面積的功耗降低了10%。若要遵循摩爾定律繼續(xù)走下去，未來的半導體技術(shù)還會有多大所提升空間呢?
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采用光電隔離的SIPMOS晶體管控制電路圖
輸入端經(jīng)過電阻R2接地，以使其輸出端在電源電壓降至4V時還是開路的，即兩個推挽輸出晶體管保持在截止狀態(tài)。這樣可使電源電壓在上升至3V左右時光耦輸出側(cè)仍為低電平，以使后接的六反相器4049能控制SIPMOS晶體管。在工
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簡單的晶體管逆變器電路圖
在偏遠鄉(xiāng)村，經(jīng)常會有停電現(xiàn)象，有些大學到一定時間也會自動關(guān)燈，不過這沒關(guān)系，有了它，這些就可以解決。 這是一款非常容易制作的逆變器，可以將12V電源電壓變?yōu)?20V市電，電路由BG2和BG3組成的多諧振蕩器推動，再
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摩爾定律在半導體行業(yè)正在逐漸消失？
摩爾定律是由英特爾(Intel)創(chuàng)始人之一戈登·摩爾(Gordon Moore)提出來的。其內(nèi)容為：當價格不變時，集成電路上可容納的元器件的數(shù)目，約每隔18-24個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。換言之，每一美元所能買到的電腦性能，將每隔18-24個月翻一倍以上。這一定律揭示了信息技術(shù)進步的速度。
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特殊晶體管的檢測方法
普通達林頓管內(nèi)部由兩只或多只晶體管的集電極連接在一起復合而成，其基極b 與發(fā)射極e之間包含多個發(fā)射結(jié)。檢測時可使用萬用表的R×1 kΩ或R×10 kΩ檔來測量。
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摩爾定律再獲續(xù)命丹？三維芯片研發(fā)取得突破
近年來由于各項智能設備以及人工智能的應用，人們對芯片計算能力的需求越來越大。芯片的運算能力取決于基本運算單元電晶體的多寡，但由于電晶體的研發(fā)已漸漸接近物理極限，無法再繼續(xù)縮小，因此科學家及各個科技大廠正在不斷研究下個能使芯片運算速度提升的方法。
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單向感應器電路
當一個物體以一個方向運行時，該電路可以探測該物體，但是如果它以相反方向運行，則無法探測。兩個感應器是用來確定方向感的。物體是否能夠阻擋光線到達光電晶體管Q1和Q2是
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要成為模擬電路的設計者 必須掌握以下四個組成部分
模擬電路再怎么說，關(guān)鍵的是多學多做，做出片子就自然懂得哪些知識點需要掌握了。這里就主要談談學習模擬電路要求的四個知識部分，要成為模擬電路的設計者，我們必須掌握其最基本的以下四個組成部分：
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IBM試產(chǎn)5nm芯片：指甲蓋大小可容納300億晶體管
當前商用晶體管柵極大小在 10nm 左右，但是 IBM 早已開始了 7nm、甚至 5nm 工藝的研究。不過為了制造 5nm 芯片，IBM 也拋棄了標準的 FinFET 架構(gòu)，取而代之的是四層堆疊納
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電機驅(qū)動集成的故事
就像每個MOSFET需要一個柵極驅(qū)動器來切換它，每個電機后面總是有一個驅(qū)動力。根據(jù)復雜程度和系統(tǒng)成本、尺寸和性能要求，驅(qū)動電機的方式多樣。
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EPC eGaN 技術(shù)在性能及成本上實現(xiàn)質(zhì)的飛躍
EPC公司宣布推出EPC2045及EPC2047氮化鎵場效應晶體管(eGaN® FET)，對比前一代的產(chǎn)品，這些晶體管的尺寸減半，而且性能顯著提升。
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Diodes公司帶高壓晶體管的開關(guān)穩(wěn)壓器提高線式充電器效率
Diodes公司(Diodes Incorporated)推出的AP3984是一款用于線式(line-powered)充電器和適配器的高性能開關(guān)穩(wěn)壓器(power switcher)，它通過獨特的集成式高壓(HV)啟動電路為
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三極管的開關(guān)速度
晶體管的開關(guān)速度即由其開關(guān)時間來表征，開關(guān)時間越短，開關(guān)速度就越快。BJT的開關(guān)過程包含有開啟和關(guān)斷兩個過程，相應地就有開啟時間ton和關(guān)斷時間toff，晶體管的總開關(guān)時間就是ton與toff之和。 如何提高晶體管的開關(guān)速度?——可以從器件設計和使用技術(shù)兩個方面來加以考慮。
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能自我修復的晶體管 太空探索又一大突破
據(jù)美國電氣與電子工程師協(xié)會《光譜》雜志網(wǎng)站11日報道，美國國家航空航天局(NASA)與韓國科學技術(shù)研究院(KAIST)合作，研制出了一款能自我修復的晶體管。
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計算機技術(shù)重大突破：1nm晶體管誕生
據(jù)外媒報道，今天，沉寂已久的計算技術(shù)界迎來了一個大新聞。勞倫斯伯克利國家實驗室的一個團隊打破了物理極限，將現(xiàn)有最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。晶體管的制程大小一直是計算技術(shù)進步的硬指標。晶體管越小
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計算技術(shù)界的重大突破：1nm晶體管誕生
現(xiàn)有22nm晶體管北京時間10月7日消息，據(jù)外媒報道，今天，沉寂已久的計算技術(shù)界迎來了一個大新聞。勞倫斯伯克利國家實驗室的一個團隊打破了物理極限，將現(xiàn)有最精尖的晶體管制
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突破摩爾定律，1nm晶體管誕生
多年以來，技術(shù)的發(fā)展都在遵循摩爾定律，即當價格不變時，集成電路上可容納的元器件的數(shù)目，約每隔18-24個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。換言之，每一美元所能買到的電腦性能，將每隔18-24個月翻一倍以上。眼下
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2021年后半導體晶體管不再縮小 摩爾定律要失效
在過去幾十年中，摩爾定律主導了IT科技行業(yè)的發(fā)展趨勢。每隔一年半，用戶同一價格能夠買到的半導體性能將會翻一番，半導體廠商單位面積整合的晶體管數(shù)量也會翻一番。
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e絡盟針對汽車與工業(yè)應用擴充ROHM獨有汽車級產(chǎn)品系列
e絡盟日前宣布新增來自ROHM的250多種全新半導體產(chǎn)品，進一步擴展其汽車級產(chǎn)品范圍。新增系列產(chǎn)品包括LSI、二極管、晶體管及電源管理解決方案等，適用于各類汽車細分領域應用
