晶體管
-
Qorvo 新款GaN 50V 晶體管可大幅提升系統(tǒng)功率性能
移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防等應(yīng)用中領(lǐng)先的RF解決方案供應(yīng)商Qorvo, Inc.(納斯達(dá)克代碼：QRVO)今日宣布，推出六款全新50V氮化鎵(GaN)晶體管---QPD1009和QPD1010，以及QPD1008(L)和QPD1015(L)，專門設(shè)計(jì)用于優(yōu)
-
雙層石墨烯晶體管打造100GHz超高頻處理器
多年來(lái)，石墨烯一直被視為最有前途的材料，尤其是能讓電子設(shè)備變得更小、更高效?，F(xiàn)在，科學(xué)家們制造了一種新型石墨烯晶體管，使用它打造的處理器未來(lái)將能夠跑到100GHz的超高頻率。 這一技術(shù)突破來(lái)自莫斯科物理技術(shù)學(xué)
-
不容錯(cuò)過(guò)！場(chǎng)效應(yīng)晶體管使用詳解
我們常接觸到晶體三級(jí)管，對(duì)它的使用也比較熟悉，相對(duì)來(lái)說(shuō)對(duì)晶體場(chǎng)效應(yīng)管就陌生一點(diǎn)，但是，由于場(chǎng)效應(yīng)管有其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩(wěn)定性好等，在我們的使用中也是屢見(jiàn)不鮮。我們知道場(chǎng)效應(yīng)晶體管的
-
三極管基極下拉電阻的作用是什么
本文介紹了三極管基極下拉電阻的作用以及在接下拉電阻時(shí)還要注意的兩個(gè)問(wèn)題。1)防止三極管受噪聲信號(hào)的影響而產(chǎn)生誤動(dòng)作，使晶體管截止更可靠!三極管的基極不能出現(xiàn)懸空，
-
14nm LPP工藝密度翻倍 Polaris 11核心或擁有86億晶體管
AMD官方之前提到他們目前開(kāi)發(fā)的新一代顯卡有Polaris 11和Polaris 10兩款，將使用三星/GlobalFoundries公司的14nm LPP高性能工藝。這幾天AMD市場(chǎng)營(yíng)銷總監(jiān)在推特上隱晦證實(shí)了某個(gè)Polaris核心會(huì)擁有86億晶體管，再結(jié)合之
-
內(nèi)含200V氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的開(kāi)發(fā)板可實(shí)現(xiàn)高達(dá)30MHz的效率
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出高頻、基于氮化鎵晶體管并采用差分模式的開(kāi)發(fā)板，可以在高達(dá)30 MHz下工作。 推出開(kāi)發(fā)板的目的是幫助功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)師利用簡(jiǎn)易方法對(duì)氮化鎵晶體管的優(yōu)越性能進(jìn)行評(píng)估，使得他們的產(chǎn)品可以快速量產(chǎn)。
-
采用氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的包絡(luò)跟蹤電源支持20MHz LTE帶寬
本篇文章將進(jìn)一步闡述面向使用第四代移動(dòng)通信技術(shù)(4G)LTE頻帶的無(wú)線通信基站基礎(chǔ)設(shè)施并采用EPC8004高頻氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)的包絡(luò)跟蹤電源。包絡(luò)跟蹤電源是以多相位、采用零電壓開(kāi)關(guān)模式(ZVS)的同步降壓轉(zhuǎn)換器為基礎(chǔ)，它可以支持20 MHz的大信號(hào)帶寬，并且以30 V電壓源提供60 W以上的平均負(fù)載功率。當(dāng)跟蹤峰均比(PAPR)為7 dB的20 MHz LTE包絡(luò)信號(hào)，可實(shí)現(xiàn)的平均總效率可高達(dá)92%。
-
這個(gè)叫“達(dá)爾文”的芯片 有人一樣的大腦
“你看到的，其實(shí)是一個(gè)生物?！币坏┬盘?hào)開(kāi)始在它的“血管”里流淌，小家伙就能像生物的大腦一樣進(jìn)行思維，并作出反應(yīng)。
-
簡(jiǎn)單的電平轉(zhuǎn)換電路圖
電平轉(zhuǎn)換電路包括快速切換的晶體管Q1和Q2。用戶選擇電平轉(zhuǎn)換為高和轉(zhuǎn)換為低，這是直流偏置電壓，連接到晶體管的射極，以匹配于所需要的輸出高邏輯電平和低邏輯電平。C1、R1
-
一款單節(jié)晶體管性能測(cè)試電路
本文介紹的是一款單節(jié)晶體管性能測(cè)試電路圖。如下圖所示，被測(cè)單結(jié)晶體管VBT(設(shè)：BT33)與R3、C2組成張弛振蕩器。VBT在導(dǎo)通時(shí)，三極管VT1通過(guò)偏置電阻R2獲得偏置電流(此時(shí)S1
-
絕緣柵雙極型晶體管原理小科普
對(duì)于新人工程師而言，掌握絕緣柵雙極型晶體管原理知識(shí)是非常重要的，這將會(huì)對(duì)工程師日后的產(chǎn)品設(shè)計(jì)和研發(fā)工作提供極大的幫助。在今天的文章中，我們將會(huì)就絕緣柵雙極型晶體
-
一款快速的電平轉(zhuǎn)換電路圖
本文所介紹的是一款簡(jiǎn)單而快速的電平轉(zhuǎn)換電路圖，該電路可以將輸入時(shí)鐘調(diào)節(jié)為適應(yīng)正、負(fù)電壓電平。電平轉(zhuǎn)換電路包括快速切換的晶體管Q1和Q2.用戶選擇電平轉(zhuǎn)換為高和轉(zhuǎn)換為低
-
一款實(shí)用性較強(qiáng)的電平轉(zhuǎn)換電路圖
本文將介紹的是一款實(shí)用性較強(qiáng)的電平轉(zhuǎn)換電路，可以將輸入時(shí)鐘調(diào)節(jié)為適應(yīng)正、負(fù)電壓電平。該電平轉(zhuǎn)換電路包括快速切換的晶體管Q1和Q2.用戶選擇電平轉(zhuǎn)換為高和轉(zhuǎn)換為低，這是
-
簡(jiǎn)單新工藝：可消除透明LED屏幕鍍膜瑕疵
加州大學(xué)伯克利分校和勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的工程師們，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了一種修復(fù)薄膜上常見(jiàn)缺陷的簡(jiǎn)單新工藝。這項(xiàng)發(fā)現(xiàn)可推動(dòng)原子級(jí)單層半導(dǎo)體的發(fā)展，適用于透明LED屏、高效太
-
新工藝：一片“完美”的單層光電材料！
加州大學(xué)伯克利分校和勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的工程師們，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)了一種修復(fù)薄膜上常見(jiàn)缺陷的簡(jiǎn)單新工藝。這項(xiàng)發(fā)現(xiàn)可推動(dòng)原子級(jí)單層半導(dǎo)體的發(fā)展，適用于透明LED屏、高效太陽(yáng)能電池、以及微型晶體管。通過(guò)超強(qiáng)有機(jī)酸
-
艾邁斯半導(dǎo)體公布面向模擬代工客戶的2016年多項(xiàng)目晶圓制造服務(wù)計(jì)劃
全球領(lǐng)先的高性能模擬IC和傳感器供應(yīng)商艾邁斯半導(dǎo)體(ams AG，SIX股票代碼：AMS)晶圓代工事業(yè)部今日公布其快速、低成本的集成電路原型服務(wù)，該服務(wù)被稱為多項(xiàng)目晶圓(MPW)或往復(fù)運(yùn)行(shuttle run)，以及更新的MPW2016年
-
一滴口水可驗(yàn)血糖 5年內(nèi)或可推市場(chǎng)
為監(jiān)察血糖水平，糖尿病人常常要“扎手指”取血樣檢測(cè)，惟病人卻會(huì)因而感到痛楚及不愉快。據(jù)香港媒體報(bào)道，香港理工大學(xué)應(yīng)用物理學(xué)系成功研發(fā)極靈敏的晶體管生物傳感器，能針對(duì)性地反映唾液中的糖分水平，聲稱只須小量唾液即可反映其中的糖分水平，更屬全球首項(xiàng)同類成功研究。他表示，研發(fā)過(guò)程中面對(duì)不少挑戰(zhàn)，包括現(xiàn)時(shí)技術(shù)還未具有足夠靈敏度實(shí)現(xiàn)對(duì)人體唾液中微量葡萄糖含量的測(cè)量，“人體唾液中的葡萄糖溶度很低，僅為血液中溶度的1%至10%?！?/p>
-
柔性光電晶體管創(chuàng)造新紀(jì)錄
受到哺乳動(dòng)物眼睛的啟發(fā)，威斯康星大學(xué)麥迪遜分校的電氣工程師創(chuàng)造了光敏度和響應(yīng)時(shí)間都優(yōu)于以往光電晶體管的柔性光電晶體管。這種創(chuàng)新的光電晶體管可以改善無(wú)數(shù)產(chǎn)品的性能，包括數(shù)碼相機(jī)、夜視鏡、煙霧探測(cè)器、監(jiān)控
-
IBM研制9nm碳納米管
如果IBM Research的碳納米管晶體管研究能有所突破，國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)藍(lán)圖(ITRS)的2028年硅材料“末日預(yù)言”時(shí)間將得以延續(xù)。根據(jù)IBM表示，研究人員們已經(jīng)找到一種可將通道長(zhǎng)度縮短至1.8nm節(jié)點(diǎn)(4個(gè)技術(shù)世代后)的方式，預(yù)計(jì)最終還將超越埃(angstrom;納米的十分之一)等級(jí)。果真如此，摩爾定律(Moore's Law)就能沿用相同極紫外光(EUV)微影互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)工藝技術(shù)，順利地延續(xù)到次納米級(jí)(埃)工藝。
-
簡(jiǎn)單的電平轉(zhuǎn)換電路圖
電平轉(zhuǎn)換電路包括快速切換的晶體管Q1和Q2。用戶選擇電平轉(zhuǎn)換為高和轉(zhuǎn)換為低，這是直流偏置電壓，連接到晶體管的射極，以匹配于所需要的輸出高邏輯電平和低邏輯電平。C1、R1、D1、C2、R2和D2使Q1和Q2的基極電壓保持在接近于射極電壓。
- 安富利3kW模擬電源供應(yīng)器（PSU）解決方案開(kāi)發(fā)板來(lái)襲，申請(qǐng)領(lǐng)好禮
- 得捷芯聞解碼視頻研習(xí)站第五期：打造更安全、更智能、更舒適、高續(xù)航的駕乘體驗(yàn)
- FPGA供電應(yīng)用遇挑戰(zhàn)？MPS高性能FPGA供電解決方案幫你破局
- 得捷芯聞解碼研習(xí)站第四期：網(wǎng)絡(luò)安全芯片，讓您的應(yīng)用系統(tǒng)無(wú)懈可擊
- “變現(xiàn)”指南：上傳資料獲三重紅包，親測(cè)有效！
- 《21ic技術(shù)洞察》系列欄目：AI芯紀(jì)元——AI加持，語(yǔ)?助?再進(jìn)化！
- 得捷芯聞解碼研習(xí)站第三期：MCU助?多應(yīng)?打破功耗噩夢(mèng)與安全隱患困局
