
要知道,臺(tái)積電當(dāng)初做代工也是得到了Intel悉心指導(dǎo)的,沒(méi)想到現(xiàn)在被臺(tái)積電、三星各種領(lǐng)先,特別是10nm工藝節(jié)點(diǎn)被這兩家甩開(kāi)。
近年來(lái),半導(dǎo)體行業(yè)總是籠罩在摩爾定律難以為繼的陰霾之下。但北京大學(xué)物理學(xué)院研究員呂勁團(tuán)隊(duì)與楊金波、方哲宇團(tuán)隊(duì)最新研究表明,新型二維材料或?qū)⒗m(xù)寫摩爾定律對(duì)晶體管的預(yù)言。他們?cè)陬A(yù)測(cè)出“具有蜂窩狀原子排布的碳原子摻雜氮化硼(BNC)雜化材料是一種全新二維材料”后,這次發(fā)表在《納米通訊》上的研究,通過(guò)實(shí)驗(yàn)證實(shí)了這類材料存在能谷極化現(xiàn)象,并具有從紫外拓展到可見(jiàn)光、近紅外以及遠(yuǎn)紅外波段的可調(diào)能隙功能。
由于電荷存儲(chǔ)效應(yīng),晶體管BE之間有一接電容,與Rb構(gòu)成RC電路,時(shí)間常數(shù)較大影響了晶體管的導(dǎo)通和截至速度(即開(kāi)關(guān)速度)
三個(gè)或者三個(gè)以上的不同電平的輸入控制流入Q1基極的電流,這些電流可為Q1的基極提供20的電壓增益。晶體管音頻混合器電路圖:
摩爾定律在20年前就被唱衰,但直到現(xiàn)在,半導(dǎo)體工程師們?nèi)匀话l(fā)揚(yáng)釘子精神,從方寸之地騰挪出無(wú)限空間。
讀放大電路圖時(shí)也還是按照“逐級(jí)分解、抓住關(guān)鍵、細(xì)致分析、全面綜合”的原則和步驟進(jìn)行。首先把整個(gè)放大電路按輸入、輸出逐級(jí)分開(kāi),然后逐級(jí)抓住關(guān)鍵進(jìn)行分析弄通原理。放大電路有它本身的特點(diǎn):一是有靜態(tài)和動(dòng)態(tài)兩種工作狀態(tài),所以有時(shí)往往要畫(huà)出它的直流通路和交流通路才能進(jìn)行分析;二是電路往往加有負(fù)反饋,這種反饋有時(shí)在本級(jí)內(nèi),有時(shí)是從后級(jí)反饋到前級(jí),所以在分析這一級(jí)時(shí)還要能“瞻前顧后”。在弄通每一級(jí)的原理之后就可以把整個(gè)電路串通起來(lái)進(jìn)行全面綜合。
三個(gè)或者三個(gè)以上的不同電平的輸入控制流入Q1基極的電流,這些電流可為Q1的基極提供20的電壓增益。
據(jù)外媒《物理科學(xué)》官方網(wǎng)站報(bào)道,來(lái)自卡內(nèi)基·梅隆大學(xué)的機(jī)械工程師卡梅爾·馬杰迪和詹姆斯·魏斯曼是液態(tài)金屬領(lǐng)域的杰出研究者。他們發(fā)現(xiàn)用液態(tài)合金能夠制作出晶體管,從而讓更多電子元件實(shí)現(xiàn)柔性轉(zhuǎn)化。
該振蕩器可能包括幾個(gè)轉(zhuǎn)換晶體管,這些晶體管是用來(lái)提供信道化操作的。如果需要的話,可增加一個(gè)緩沖放大器。
在電子制作時(shí),經(jīng)常涉及到需要控制蜂鳴器、繼電器、電機(jī)等元件,發(fā)現(xiàn)晶體管負(fù)載的不同接法,效果差別很大,有的接法甚至?xí)?dǎo)致電路工作不可靠,下面將介紹常見(jiàn)的負(fù)載驅(qū)動(dòng)電路、驅(qū)動(dòng)電路及元器件的選擇和使用進(jìn)行討論。
本設(shè)計(jì)實(shí)例,使用一個(gè)單刀瞬時(shí)接觸開(kāi)關(guān),通過(guò)滾動(dòng)三個(gè)輸出態(tài)選擇三個(gè)信號(hào)源中的一個(gè)。附圖中的電路包括常用的CD4000 CM0s邏輯系列器件,以及一只通用NPN晶體管。所有元件的總成本不超過(guò)1美元。在任何一個(gè)時(shí)點(diǎn)上.電路
電子受好者在維修收音機(jī)等實(shí)踐中.常需要一臺(tái)直流穩(wěn)壓電源,代替電池作為電源之用。筆者設(shè)想用市面有賣的元器件,設(shè)計(jì)制作一臺(tái)簡(jiǎn)易晶體管可調(diào)穩(wěn)壓電源,自己DIY出來(lái),還是很成功的。喜悅之情是不用言表了。這臺(tái)穩(wěn)壓電
Intel這幾年制造工藝的推進(jìn)緩慢頗受爭(zhēng)議,而為了證明自己的技術(shù)先進(jìn)性,Intel日前在北京公開(kāi)展示了10nm工藝的CPU處理器、FPGA芯片,并宣稱同樣是10nm,自己要比對(duì)手領(lǐng)先一代,還透露了未來(lái)7nm、5nm、3nm工藝規(guī)劃。
按照慣例,華為會(huì)在溝通會(huì)上分享更多麒麟970的研發(fā)內(nèi)幕、功能特點(diǎn)以及消費(fèi)者最為關(guān)心的技術(shù)細(xì)節(jié)。IFA上未能了解全面的花粉,此次溝通會(huì)不容錯(cuò)過(guò)。
針對(duì)一些功率器件(功率三極管、VDMOS,IGBT等),通過(guò)有規(guī)律給元器件通電和斷電,循環(huán)施加電應(yīng)力和熱應(yīng)力,可以檢驗(yàn)其承受循環(huán)應(yīng)力的能力?;谏鲜鲈?借助可視化編程語(yǔ)言LabVIEW和NI系列sb RIO-9612板卡,本文設(shè)計(jì)了一種三極管老化測(cè)試系統(tǒng),該系統(tǒng)滿足國(guó)軍標(biāo)GJB1036的試驗(yàn)要求,每個(gè)工位的采樣時(shí)間不大于4μs,總共64工位的采樣周期不大于300μs,滿足了快速控制的要求,同時(shí)還不失精準(zhǔn),電壓和電流的采樣分辨率達(dá)到了12 bit,精度達(dá)到1%,從而控制了器件結(jié)溫誤差。
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)第五代氮化鎵(eGaN®)晶體管及集成電路系列榮獲《今日電子》與21IC中國(guó)電子網(wǎng)頒發(fā)2017年度“Top10電源產(chǎn)品—最佳應(yīng)用獎(jiǎng)”。該獎(jiǎng)項(xiàng)在2017年9月15日于北京舉行的電源技術(shù)研討會(huì)上頒發(fā)。
今天舉行,展示了英特爾制程工藝的多項(xiàng)重要進(jìn)展,包括:英特爾10納米制程功耗和性能的最新細(xì)節(jié),英特爾首款10納米FPGA的計(jì)劃,并宣布了業(yè)內(nèi)首款面向數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的64層3D NAND產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)商用并出貨。
“英特爾精尖制造日”活動(dòng)今天舉行,展示了英特爾制程工藝的多項(xiàng)重要進(jìn)展,包括:英特爾10納米制程功耗和性能的最新細(xì)節(jié),英特爾首款10納米FPGA的計(jì)劃,并宣布了業(yè)內(nèi)首款面向數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的64層3D NAND產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)商用并出貨。
最簡(jiǎn)單的辦法是串個(gè)電感,利用通過(guò)電感的電流不能突變的特性來(lái)抑制峰值,但此法體積較大。更好的方法是利用晶體管限流電路來(lái)做軟啟動(dòng),最好的辦法則是改進(jìn)電源電路本身來(lái)實(shí)現(xiàn)軟啟動(dòng)。
美國(guó)休斯敦大學(xué)華人科學(xué)家余存江助理教授課題組在新一期美國(guó)《科學(xué)進(jìn)展》雜志上報(bào)告說(shuō),他們?cè)谌嵝钥衫祀娮宇I(lǐng)域取得新突破,研制出了可拉伸的橡膠半導(dǎo)體和導(dǎo)體材料,并利用這些材料制成全橡膠晶體管、傳感器和機(jī)器人皮膚。