晶體管

我要報(bào)錯(cuò)

晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)（如Relay、switch）不同，晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合，而且開(kāi)關(guān)速度可以非常快，實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。2016年，勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的一個(gè)團(tuán)隊(duì)打破了物理極限，將現(xiàn)有的最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm，完成了計(jì)算技術(shù)界的一大突破。

醫(yī)療科技發(fā)展史

從最廣義的角度上看，醫(yī)藥和健康科技的歷史是很久遠(yuǎn)的。最近相關(guān)方面證實(shí)，世界上最古老的「假肢」是古埃及人的以木頭、皮制的腳趾假體，而它出現(xiàn)的日子是公元前950年!雖然最近幾十年來(lái)醫(yī)療科技的發(fā)展之快是古代無(wú)法

醫(yī)療電子
2012-12-28

BSP 互聯(lián)網(wǎng) 晶體管 X射線(xiàn)
SoC已有眉目微細(xì)化至10nm無(wú)需3D晶體管

SoC(systemonachip)是智能手機(jī)及平板電腦等移動(dòng)產(chǎn)品的心臟。推動(dòng)其低成本化和高性能化的微細(xì)化技術(shù)又有了新選擇。那就是最近意法半導(dǎo)體(ST)已開(kāi)始面向28nm工藝SoC量產(chǎn)的完全耗盡型SOI(fullydepletedsilicononinsu

消費(fèi)電子
2012-12-25

SoC DSO FINFET 晶體管
FDSOI技術(shù)推進(jìn)SoC微細(xì)化至10nm工藝無(wú)需3D晶體管

近日意法半導(dǎo)體(ST)已開(kāi)始面向28nm工藝SoC量產(chǎn)的完全耗盡型SOI(fullydepletedsilicononinsulator：FDSOI)技術(shù)，使得作為智能手機(jī)及平板電腦等移動(dòng)產(chǎn)品心臟的SoC(systemonachip)，在推動(dòng)其低成本化和高性能化的微細(xì)化

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2012-12-24

SoC DSO FINFET 晶體管
SoC已有眉目微細(xì)化至10nm無(wú)需3D晶體管

SoC(systemonachip)是智能手機(jī)及平板電腦等移動(dòng)產(chǎn)品的心臟。推動(dòng)其低成本化和高性能化的微細(xì)化技術(shù)又有了新選擇。那就是最近意法半導(dǎo)體(ST)已開(kāi)始面向28nm工藝SoC量產(chǎn)的完全耗盡型SOI(fullydepletedsilicononinsulat

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2012-12-24

SoC DSO FINFET 晶體管
SoC已有眉目微細(xì)化至10nm無(wú)需3D晶體管

SoC（systemonachip）是智能手機(jī)及平板電腦等移動(dòng)產(chǎn)品的心臟。推動(dòng)其低成本化和高性能化的微細(xì)化技術(shù)又有了新選擇。那就是最近意法半導(dǎo)體（ST）已開(kāi)始面向28nm工藝SoC量產(chǎn)的完全耗盡型SOI（fullydepletedsilicononin

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2012-12-24

SoC DSO FINFET 晶體管
臺(tái)積電或成蘋(píng)果新伙伴明年底展開(kāi)合作

北京時(shí)間12月21日消息，據(jù)華爾街日?qǐng)?bào)報(bào)道稱(chēng)，近期有關(guān)臺(tái)積電（TSMC）有望將蘋(píng)果納入客戶(hù)群的猜測(cè)不斷浮現(xiàn)，但是分析師稱(chēng)雙方合作可能要等到明年底。全球最大芯片代工商臺(tái)積電（TSMC）一直對(duì)客戶(hù)的關(guān)系含糊其辭，但是

消費(fèi)電子
2012-12-22

蘋(píng)果平板電腦臺(tái)積電晶體管
閱讀秘書(shū)／FinFET

3D鰭式晶體管（FinFET）是新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體（CMOS）晶體管技術(shù)。相較于傳統(tǒng)晶體管若要控制電流通過(guò)閘門(mén)，只能選擇在閘門(mén)的一側(cè)來(lái)控制，屬于平面式的結(jié)構(gòu)；3D FinFET的閘門(mén)，是類(lèi)似魚(yú)鰭般的三面立體式的設(shè)計(jì)，能大

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2012-12-22

閘門(mén) CMOS FINFET 晶體管
變頻電路

晶體三極管變頻器的實(shí)際電路主要有兩類(lèi)：本振電壓由單獨(dú)振蕩器產(chǎn)生的他激式變頻器和本振電壓由變頻管自身產(chǎn)生的自激式變頻器，它們都可接成共基極或共發(fā)射極電路。他激式變頻電路比較復(fù)雜，但uS和uL之間牽連作用小，

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2012-12-21

電壓變頻器變頻電路晶體管
調(diào)幅電路

任何一種非線(xiàn)性器件都可以用來(lái)產(chǎn)生調(diào)幅彼。晶體管是一種非線(xiàn)性器件，只要讓其工作在非線(xiàn)性（甲乙類(lèi)，乙類(lèi)或丙類(lèi)）狀態(tài)下，即可用它構(gòu)成調(diào)幅電路。一般總是把高頻載波信號(hào)和調(diào)制信號(hào)分別加在諧振功率放大器的晶體管的

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2012-12-21

回路調(diào)幅電路調(diào)制信號(hào) 晶體管
SoC已有眉目微細(xì)化至10nm無(wú)需3D晶體管

SoC（systemonachip）是智能手機(jī)及平板電腦等移動(dòng)產(chǎn)品的心臟。推動(dòng)其低成本化和高性能化的微細(xì)化技術(shù)又有了新選擇。那就是最近意法半導(dǎo)體（ST）已開(kāi)始面向28nm工藝SoC量產(chǎn)的完全耗盡型SOI（fullydepletedsilicononin

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2012-12-21

SoC DSO FINFET 晶體管
美開(kāi)發(fā)出“4維”晶體管，或引領(lǐng)半導(dǎo)體新潮流

作為現(xiàn)代歷史中最偉大的發(fā)明之一，晶體管可以使用高度自動(dòng)化的過(guò)程進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)，因而可以不可思議地達(dá)到極低的單位成本。而低成本、靈活性和可靠性使得其成為非機(jī)械任務(wù)的通用器件，例如數(shù)字計(jì)算。在控制電器和機(jī)

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2012-12-21

半導(dǎo)體 MDASH 晶體管
SoC已有眉目微細(xì)化至10nm無(wú)需3D晶體管

SoC（system on a chip）是智能手機(jī)及平板電腦等移動(dòng)產(chǎn)品的心臟。推動(dòng)其低成本化和高性能化的微細(xì)化技術(shù)又有了新選擇。那就是最近意法半導(dǎo)體（ST）已開(kāi)始面向28nm工藝SoC量產(chǎn)的完全耗盡型SOI（fully depleted silico

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2012-12-21

SoC DSO FINFET 晶體管
美研制出新型“4維”晶體管

據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)報(bào)道，美國(guó)普渡大學(xué)和哈佛大學(xué)的研究人員推出了一項(xiàng)極為應(yīng)景的新發(fā)明：一種外形如同一顆圣誕樹(shù)一樣的新型晶體管，其重要組件“門(mén)”(柵極)的長(zhǎng)度縮減到了突破性的20納米。這個(gè)被稱(chēng)為&ldquo

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2012-12-20

計(jì)算機(jī) MDASH 晶體管
自激振蕩的建立和振幅的穩(wěn)定

上面的分析中，是先假定有一個(gè)輸入信號(hào)經(jīng)放大后，再由反饋網(wǎng)絡(luò)送回到輸入端而形成穩(wěn)定振蕩的。事實(shí)上自激振蕩的起振是不需要外加信號(hào)激勵(lì)的。那么自激振蕩是如何建立的呢？原來(lái)，電源接通或元件的起伏噪聲引起的電擾

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2012-12-19

線(xiàn)性自激振蕩正弦波晶體管
有源濾波電路

為了提高濾波效果，解決π型RC濾波電路中交、直流分量對(duì)R的要求相互矛盾的問(wèn)題，在RC電路中增加了有源器件-晶體管，形成了RC有源濾波電路。常見(jiàn)的RC有源濾波電路如圖Z0716所示，它實(shí)質(zhì)上是由C1、Rb、C2組成的π型

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2012-12-18

回路有源濾波電路 BETA 晶體管
TriQuint推出具有卓越增益的新氮化鎵晶體管

21ic訊 TriQuint半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克代碼：TQNT)，推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化鎵 (GaN) HEMT 射頻功率晶體管產(chǎn)品。TriQuint的氮化鎵晶體管可使放大器的尺寸減半，同時(shí)改進(jìn)效率和增益。這些新的

通信技術(shù)
2012-12-18

氮化鎵 TRIQUINT BSP 晶體管
LDO線(xiàn)性穩(wěn)壓器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及分類(lèi)

LDO線(xiàn)性穩(wěn)壓器通常被設(shè)計(jì)工程師作為輔助措施，并且經(jīng)常被選用于產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的后期階段。設(shè)計(jì)工程師比較關(guān)注的是如何使復(fù)雜的基頻(BB) 或射頻( RF )ASIC 發(fā)揮作用，而不是其所選

線(xiàn)性電源
2012-12-17

器件拓?fù)?/a> LDO線(xiàn)性穩(wěn)壓器晶體管
臺(tái)積電在硅基板上實(shí)現(xiàn)鍺溝道FinFET，證實(shí)良好的晶體管特性

臺(tái)積電（Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.）在“IEDM 2012”上公布，使用與硅基FinFET相同的工藝技術(shù)在硅基板上制成了鍺溝道FinFET，并獲得了出色的晶體管特性（論文編號(hào)：23.5）。臺(tái)積電表示，電導(dǎo)率/

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2012-12-17

臺(tái)積電硅基基板晶體管
ARM悠著點(diǎn) 英特爾準(zhǔn)備將3D晶體管技術(shù)引入移動(dòng)處理器

沒(méi)能趕上移動(dòng)處理器市場(chǎng)蓬勃發(fā)展的快班車(chē)，大概是英特爾近年來(lái)最大的失誤。現(xiàn)在ARM不但占據(jù)了利潤(rùn)豐厚的手機(jī)/平板處理器業(yè)務(wù)，還反過(guò)來(lái)對(duì)英特爾的傳統(tǒng)業(yè)務(wù)（服務(wù)器等）虎視眈眈。作為業(yè)界老大，英特爾豈能咽下這口氣

消費(fèi)電子
2012-12-16

移動(dòng) ARM 處理器晶體管
電源噪聲的危害性分析

芯片發(fā)展的一個(gè)大趨勢(shì)就是集成度越來(lái)越高，內(nèi)部晶體管數(shù)量越來(lái)越大。芯片的外部引腳數(shù)量有限，為每一個(gè)晶體管提供單獨(dú)的供電引腳是不現(xiàn)實(shí)的。芯片的外部電源引腳提供給內(nèi)部

電源
2012-12-12

芯片引腳電源噪聲晶體管

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晶體管

醫(yī)療科技發(fā)展史

SoC已有眉目微細(xì)化至10nm無(wú)需3D晶體管

FDSOI技術(shù)推進(jìn)SoC微細(xì)化至10nm工藝無(wú)需3D晶體管

SoC已有眉目微細(xì)化至10nm無(wú)需3D晶體管

SoC已有眉目微細(xì)化至10nm無(wú)需3D晶體管

臺(tái)積電或成蘋(píng)果新伙伴明年底展開(kāi)合作

閱讀秘書(shū)／FinFET

變頻電路

調(diào)幅電路

SoC已有眉目微細(xì)化至10nm無(wú)需3D晶體管

美開(kāi)發(fā)出“4維”晶體管，或引領(lǐng)半導(dǎo)體新潮流

SoC已有眉目微細(xì)化至10nm無(wú)需3D晶體管

美研制出新型“4維”晶體管

自激振蕩的建立和振幅的穩(wěn)定

有源濾波電路

TriQuint推出具有卓越增益的新氮化鎵晶體管

LDO線(xiàn)性穩(wěn)壓器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及分類(lèi)

臺(tái)積電在硅基板上實(shí)現(xiàn)鍺溝道FinFET，證實(shí)良好的晶體管特性

ARM悠著點(diǎn) 英特爾準(zhǔn)備將3D晶體管技術(shù)引入移動(dòng)處理器

電源噪聲的危害性分析

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