Microsemi發(fā)布用于二次監(jiān)視雷達航空應(yīng)用的RF晶體管

21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation)宣布推出用于大功率航空交通管制(air traffic control, ATC)、二次監(jiān)視無線電 (secondary surveillance radio, SSR)應(yīng)用的射頻(RF)晶體管系列中的首款產(chǎn)品1011GN-700E

晶體管直流穩(wěn)壓電源電路

哈佛造就全球首塊半人半機械組織

《終結(jié)者》里施瓦辛格扮演的T800終結(jié)者讓全世界第一次直觀感受到了機械與人體組織結(jié)合的成果，而就在不久前，哈佛大學(xué)的研究者們才初步實現(xiàn)人體細胞與機械的融合，制造出了世界上首塊半人半機械組織。   &#160

RTN的SRAM誤操作進行觀測并模擬的方法簡介

瑞薩電子開發(fā)出了對起因于隨機電報噪聲（RTN：Random Telegraph Noise）的SRAM誤操作進行觀測并實施模擬的方法。利用該方法可高精度地估計22nm以后尖端LSI中的RTN影響，適當設(shè)定針對RTN的設(shè)計余度。該公司已在&ldquo

用一只真空管獲得450倍增益

某種直接變頻式收音機要用一只五極真空管獲得450倍的音頻增益。五極真空管是高跨導(dǎo)的，跨導(dǎo)是指陽極電流的變化與控制柵極電壓的變化之比值。但是，要獲得高增益，就需要有高負載阻抗。采用五極真空管的RF應(yīng)用通常會用

混合信號設(shè)計

就在不久前，市場上的絕大多數(shù)IC從本質(zhì)上說，不是純數(shù)字電路就是純模擬電路。而如今，為了滿足成本、尺寸、重量和功耗等方面的要求，復(fù)雜的模擬和數(shù)字功能組合出現(xiàn)在了“混合信號”器件上。雖然傳統(tǒng)的模擬

電子整流器中采用聯(lián)柵晶體管的電路圖

電子整流器中采用聯(lián)柵晶體管的電路圖

時速96公里 50年代電動車成現(xiàn)代車雛形

1947年，點接觸晶體管的發(fā)明帶來了現(xiàn)代電控技術(shù)并改進了電池組。于是，Henney車身設(shè)計公司和國家聯(lián)合電子公司合資組建一個基于晶體管技術(shù)的電動汽車公司，這家公司通過技術(shù)鉆研，確實研制出了世界第一款現(xiàn)代電動車H

晶體管穩(wěn)壓電路圖

二極管橋和晶體管構(gòu)建的XOR/XNOR功能

在用高于常見的電源電壓(如24V)設(shè)計邏輯電路時，可以結(jié)合使用標準邏輯系列與一只穩(wěn)壓器，通過電平轉(zhuǎn)換器做接口。另外，如果邏輯并不太復(fù)雜，速度也不是非常高，可以用分立元件建立門控電路，直接用當前電壓運行。分立

555晶體管特性曲線描繪儀電路圖

如圖所示是555晶體管特性曲線描繪儀電路，描繪晶體管特性，要有兩種電壓，一是加在b極上的階梯波，用于產(chǎn)生不同的Ib，二是c極上的鋸齒波，其周期與階梯波相對應(yīng)，以描繪出Ic-Vcc特性曲線。如圖所示，555和R1、R2、C1

將運算放大器用作比較器—此舉可行嗎？

許多人偶爾會把運算放大器當比較器使用。一般而言，當您只需要一個簡單的比較器，并且您在四運算放大器封裝中還有一個“多余”運算放大器時，這種做法是可行的。穩(wěn)定運算放大器運行所需的相位補償意味著把

采用晶體管的觸摸開關(guān)電路

旋轉(zhuǎn)監(jiān)控器電路圖

利用該電路可以監(jiān)控機械零件是否旋轉(zhuǎn)，其發(fā)送器采用接近開關(guān)AS。待監(jiān)控的設(shè)備零件旋轉(zhuǎn)時經(jīng)過縫隙處切斷振蕩電路。接近開關(guān)是作為可變電阻接在分壓電路上的，分壓電壓支點處接施密特觸發(fā)器，這可以使矩形波電壓有陡的

25歐揚聲器的過載保護電路圖

如圖過載保護電路功率為650mW，電源電壓12V，揚聲器25歐。部分元件規(guī)格：VT1：晶體管NB111EH/J VT2：晶體管：NR001E VT3：晶體管NA11EB/J VT4：晶體管NA12EB/J

選頻光電繼電器電路圖

此電路可借助于調(diào)制光信號控制繼電器。調(diào)制頻率約2.7kHz。接收電路的選擇性決定于兩個并聯(lián)的T型網(wǎng)絡(luò)（圖b）。其中RC元件參數(shù)決定了以2.7kHz為中心的很窄的截止頻帶。對于頻帶以外的信號，通過第二個晶體管BC108的發(fā)射

探究下一代半導(dǎo)體芯片制造工藝之間的博弈

根據(jù)最新消息，ARM與臺積電宣布簽署一項長期合作協(xié)議，兩家公司將以ARMv8微處理器為研發(fā)對象，探索用FinFET工藝制程技術(shù)來研發(fā)ARMv8的生產(chǎn)工藝實現(xiàn)方法。根據(jù)該協(xié)議，兩家公司合作的技術(shù)領(lǐng)域?qū)⒑w20nm以下工藝技術(shù)節(jié)

探究下一代半導(dǎo)體芯片制造工藝之間的博弈

根據(jù)最新消息，ARM與臺積電宣布簽署一項長期合作協(xié)議，兩家公司將以ARMv8微處理器為研發(fā)對象，探索用FinFET工藝制程技術(shù)來研發(fā)ARMv8的生產(chǎn)工藝實現(xiàn)方法。根據(jù)該協(xié)議，兩家公司合作的技術(shù)領(lǐng)域?qū)⒑w20nm以下工藝技術(shù)節(jié)

SoC用低電壓SRAM技術(shù)介紹

東芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上，發(fā)布了采用09年開始量產(chǎn)的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術(shù)。該技術(shù)為主要用于便攜產(chǎn)品及消費類產(chǎn)品的低功耗工藝技術(shù)。通過控制晶體管閾值電壓的經(jīng)時變化，可抑