3D工藝再次引發(fā)IC業(yè)發(fā)展模式之爭(zhēng)

2012年4月23日，英特爾宣布采用3D三柵極晶體管設(shè)計(jì)，最小線寬為22納米的Ivy Bridge微處理器量產(chǎn)成功，并于4月29日開始全球銷售。據(jù)公布的資料顯示，該系列CPU擁有14億只晶體管，芯片面積僅為25毫米×25毫米，由于首次

用8550和8050制作的晶體管小功放電路圖

這里介紹一個(gè)設(shè)計(jì)小巧、線路簡(jiǎn)單但性能不錯(cuò)的三管音頻放大器。其電路見附圖。也許你在一些袖珍晶體管收音機(jī)可以看到一些與此類似的電路。原理分析：電路如圖所示，輸入極（9014）的基極工作電壓等于兩輸出極三極管的

簡(jiǎn)潔20W單端純甲類功放的制作電路圖

這款20W單端純甲類功放電路圖，電路十分簡(jiǎn)單，所用元件很少。符合“簡(jiǎn)潔至上”的原則,用料普通，易于仿制?？吹胶枚嗟陌l(fā)燒友對(duì)單端純甲類功放感興趣，不敢獨(dú)享，與廣大的音響發(fā)燒友交流。原理圖如下所示：

日本：研發(fā)出可削減半導(dǎo)體集成電路耗電量的晶體管

據(jù)日本媒體報(bào)道，日本北海道大學(xué)和科學(xué)技術(shù)振興機(jī)構(gòu)于6月13日發(fā)布消息稱，已成功開發(fā)出新型晶體管，能夠?qū)⒂糜趥€(gè)人電腦(PC)等的半導(dǎo)體集成電路的耗電量削減至十分之一以下。該晶體管應(yīng)用了江崎玲于奈榮獲諾貝爾物理學(xué)

Protel元器件封裝查詢

電阻:RES1,RES2,RES3,RES4;封裝屬性為AXIAL系列無極性電容:CAP;封裝屬性為RAD-0.1到RAD-0.4電解電容:ELECTROI;封裝屬性為RB.2/.4到RB.5/1.0電位器:POT1,POT2;封裝屬性為VR-1到VR-5二極管:封裝屬性為DIODE-0.4(小功率

具有快速開關(guān)和低VCESAT的1200V碳化硅雙極性晶體管

由于能源成本上升和人們積極應(yīng)對(duì)全球變暖，電力電子設(shè)備的能源效率已經(jīng)變得越來越重要。為了提升電力電子設(shè)備的能源效率，具有較低功率損耗的功率半導(dǎo)體器件技術(shù)是關(guān)鍵所在。在半導(dǎo)體器件中，功率損耗的降低可以改善

應(yīng)用材料實(shí)現(xiàn)未來芯片微縮化生產(chǎn)

6月7日消息，應(yīng)用材料公司宣布推出半導(dǎo)體業(yè)界最先進(jìn)的單硅片大電流離子注入系統(tǒng)，即全新的AppliedVarianVIISta Trident系統(tǒng)。通過嵌入“摻雜物”原子以調(diào)整芯片電性能，新型VIIStaTrident系統(tǒng)是唯一一臺(tái)被證明能夠確

應(yīng)用材料實(shí)現(xiàn)未來芯片微縮化生產(chǎn)

6月7日消息，應(yīng)用材料公司宣布推出半導(dǎo)體業(yè)界最先進(jìn)的單硅片大電流離子注入系統(tǒng)，即全新的AppliedVarianVIISta Trident系統(tǒng)。通過嵌入“摻雜物”原子以調(diào)整芯片電性能，新型VIIStaTrident系統(tǒng)是唯一一臺(tái)被證明能夠確

具有快速開關(guān)和低VCESAT的1200V碳化硅雙極性晶體管

由于能源成本上升和人們積極應(yīng)對(duì)全球變暖，電力電子設(shè)備的能源效率已經(jīng)變得越來越重要。為了提升電力電子設(shè)備的能源效率，具有較低功率損耗的功率半導(dǎo)體器件技術(shù)是關(guān)鍵所在。在半導(dǎo)體器件中，功率損耗的降低可以改善

晶體管式穩(wěn)壓電源改型電路圖

晶體管式穩(wěn)壓電源電路圖

晶體管，晶閘管交流穩(wěn)壓器電路圖

Protel DXP 指導(dǎo)教程 (二)

在原理圖中放置元件在原理圖中我們首先要放置的元件是兩個(gè)晶體管 （ transistors ） ，Q1和Q2。1、從菜單選擇 View > Fit Document （ 熱鍵V、D）確認(rèn)你的原理圖紙顯示在整個(gè)窗口中。2、點(diǎn)擊 Libraries 標(biāo)簽以顯示 L

晶體管式穩(wěn)壓電源改型電路圖

晶體管式穩(wěn)壓電源電路圖

晶體管，晶閘管交流穩(wěn)壓器電路圖

場(chǎng)效應(yīng)管特性及應(yīng)用

場(chǎng)效應(yīng)管不僅兼有普通晶體管和電子管的優(yōu)點(diǎn)，而且還具備兩者所缺少的優(yōu)點(diǎn)。場(chǎng)效應(yīng)管具有雙向?qū)ΨQ性，即場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極是可以互換的(無阻尼)，一般的晶體管是不容易做到這一點(diǎn)的，電子管是根本不可能達(dá)到這一點(diǎn)

計(jì)算機(jī)cpu性能指標(biāo)與作用

本內(nèi)容介紹了計(jì)算機(jī)cpu的內(nèi)部結(jié)構(gòu)、CPU的工作原理和性能指標(biāo)，全面的介紹了計(jì)算機(jī)CPU?！∮?jì)算機(jī)CPU的性能指標(biāo)　　從CPU的構(gòu)造功能方面論述CPU性能指標(biāo)對(duì)于計(jì)算機(jī)運(yùn)行的重要作用,從而芻議了CPU的性能指標(biāo)。CPU是計(jì)算機(jī)

揭秘英特爾3D晶體管技術(shù)，新一代智能設(shè)備殺手？

英特爾公布重大技術(shù)，下一代處理器基于3D晶體管。那么，3D晶體管的精確定義及其重要性是什么呢?下面對(duì)此作出解答。3D的確切含義是什么?英特爾稱之為3D晶體管，但從技術(shù)上講，這是三門()柵極 晶體管。傳統(tǒng)的二維門由較

半導(dǎo)體快100倍 三星電子開發(fā)出石墨烯晶體管元件

三星電子成功開發(fā)出可生產(chǎn)比原有半導(dǎo)體芯片速度快百倍以上的芯片的新型基礎(chǔ)元件。這就是以號(hào)稱“夢(mèng)之新材料”的“石墨烯(Graphene)”制成的元件，是三星電子綜合技術(shù)院樸成俊(音，41歲)專門研究院小組研究成果。該成