日本制造業(yè)的放棄與選擇

在2011財(cái)年中，夏普預(yù)計(jì)凈虧損38億美元;索尼預(yù)計(jì)虧損29億美元，已是連續(xù)四年虧損;松下更是創(chuàng)下年度虧損之最，預(yù)計(jì)虧損102億美元;安全芯片巨頭爾必達(dá)也于日前申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)。日本制造業(yè)的困局絕非孤立事件，而是全球消

光敏電阻(LDR)的光控開(kāi)關(guān)電路圖

如圖電路，在有入射光時(shí)，該電路中接有光敏電阻LDR的晶體管接通高電平或零電平。晶體管放大系數(shù)取B>100就已足夠，光敏電阻阻值在100～100k歐之間，分別對(duì)應(yīng)于有光照射和暗時(shí)的情況。如果要想控制較大功率的負(fù)載，則應(yīng)

多功能晶體管測(cè)試電路

晶體管電離報(bào)警電路

系統(tǒng)電源循環(huán)通斷的測(cè)試儀

上電循環(huán)測(cè)試非常重要，因?yàn)樗鼫y(cè)試的是用戶環(huán)境。設(shè)計(jì)不良的系統(tǒng)板或芯片會(huì)造成上電循環(huán)測(cè)試失敗。此外，對(duì)系統(tǒng)板工作臺(tái)測(cè)試時(shí)，上電循環(huán)測(cè)試的設(shè)置可能需要采用沉重而昂貴的商用電源。當(dāng)你需要同時(shí)測(cè)試多塊系統(tǒng)板時(shí)

單晶體管溫度遙測(cè)儀

附圖電路是只用一只晶體管的簡(jiǎn)易溫度遙測(cè)儀，他將溫度轉(zhuǎn)換為每秒鐘“咔嗒”聲的次數(shù)，用AM短波收音機(jī)接收。實(shí)現(xiàn)溫度遙測(cè)。圖1電路是一產(chǎn)生間隙脈沖的發(fā)射機(jī)。利用晶體管Tr1對(duì)線圈電流的通、斷進(jìn)行控制，發(fā)

采用硅晶體管作傳感器的溫度測(cè)量電路

14nm制造工藝會(huì)是硅芯片尺寸的盡頭嗎？

　　近年來(lái)，芯片的發(fā)展進(jìn)程始終嚴(yán)格遵守著“摩爾定律”，并有條不紊地進(jìn)行著，直到14nm制造工藝的芯片在英特爾的實(shí)驗(yàn)室中被研制成功，業(yè)界開(kāi)始有了擔(dān)憂?！　?jù)摩爾定律所說(shuō)，集成在同一芯片上的晶體管數(shù)

人們懷疑14nm可能將成為硅芯片尺寸的最終盡頭

盡管英特爾依然樂(lè)觀地預(yù)測(cè)將于2015年之前推出8nm制程工藝的芯片，但人們還是懷疑14nm可能將成為硅芯片尺寸的最終盡頭。近年來(lái)，芯片的發(fā)展進(jìn)程始終嚴(yán)格遵守著“摩爾定律”，并有條不紊地進(jìn)行著，直到14nm制

先進(jìn)移動(dòng)平臺(tái)用戶采用Soitec全耗盡（Fully Depleted）技術(shù)

北京， 2012年3月14日 —— 全球領(lǐng)先的電子和能源行業(yè)半導(dǎo)體材料生產(chǎn)制造商 Soitec （Euronext）今天宣布，無(wú)線平臺(tái)和半導(dǎo)體領(lǐng)軍企業(yè) ST-Ericsson 已選擇全耗盡平面晶體管技術(shù)（FD-SOI）開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)其下一代移動(dòng)處理器

14nm會(huì)是硅芯片的盡頭？

盡管英特爾依然樂(lè)觀地預(yù)測(cè)將于2015年之前推出8nm制程工藝的芯片，但人們還是懷疑14nm可能將成為硅芯片尺寸的最終盡頭。近年來(lái)，芯片的發(fā)展進(jìn)程始終嚴(yán)格遵守著“摩爾定律”，并有條不紊地進(jìn)行著，直到14nm制

14nm會(huì)是硅芯片的盡頭？

盡管英特爾依然樂(lè)觀地預(yù)測(cè)將于2015年之前推出8nm制程工藝的芯片，但人們還是懷疑14nm可能將成為硅芯片尺寸的最終盡頭。近年來(lái)，芯片的發(fā)展進(jìn)程始終嚴(yán)格遵守著“摩爾定律”，并有條不紊地進(jìn)行著，直到14nm制

14nm會(huì)是硅芯片的盡頭？

盡管英特爾依然樂(lè)觀地預(yù)測(cè)將于2015年之前推出8nm制程工藝的芯片，但人們還是懷疑14nm可能將成為硅芯片尺寸的最終盡頭。近年來(lái)，芯片的發(fā)展進(jìn)程始終嚴(yán)格遵守著“摩爾定律”，并有條不紊地進(jìn)行著，直到14nm制造工藝的芯

14nm會(huì)是硅芯片的盡頭？

盡管英特爾依然樂(lè)觀地預(yù)測(cè)將于2015年之前推出8nm制程工藝的芯片，但人們還是懷疑14nm可能將成為硅芯片尺寸的最終盡頭。 近年來(lái)，芯片的發(fā)展進(jìn)程始終嚴(yán)格遵守著“摩爾定律”，并有條不紊地進(jìn)行著，直到14nm制造工藝

晶體管驅(qū)動(dòng)TTL的接口電路

CMOS與晶體管的互接口電路

英特爾：14nm工藝的Atom移動(dòng)芯片2014年問(wèn)世

英特爾：14nm工藝的Atom移動(dòng)芯片2014年問(wèn)世

差分放大器中的不匹配效應(yīng)及消除方法研究

隨著微電子制造業(yè)的發(fā)展，制作高速、高集成度的CMOS電路已迫在眉睫，從而促使模擬集成電路的工藝水平達(dá)到深亞微米級(jí)。因?yàn)橹T如溝道長(zhǎng)度、溝道寬度、閾值電壓和襯底摻雜濃度都未隨器件尺寸的減小按比例變化，所以器件

車載數(shù)碼相機(jī)充電適配器設(shè)計(jì)

附圖為數(shù)碼相機(jī)充電適配器電路。電路采用一對(duì)晶體管差分放大器和一級(jí)電流放大器．分別輸出恒定的電壓和要求的電流。晶體管T1和T2構(gòu)成一對(duì)差分放大器．T1基極電壓由穩(wěn)壓二極管ZD1穩(wěn)定在3V．T2基極電壓則由電源經(jīng)R3和R

PWM調(diào)光技術(shù)：如何優(yōu)化LED色彩穩(wěn)定度

本文探討提供發(fā)光二極體(LED)調(diào)光的方法，分析LED調(diào)光對(duì)其長(zhǎng)期性能及所發(fā)射出光的色彩穩(wěn)定性之影響，并特別探討如何結(jié)合使用線性恒流穩(wěn)流器(CCR)及數(shù)位電晶體來(lái)提供脈沖寬度調(diào)變(PWM)調(diào)光。PWM為改變LED光輸出首要方