14nm會(huì)是硅芯片的盡頭？

盡管英特爾依然樂觀地預(yù)測(cè)將于2015年之前推出8nm制程工藝的芯片，但人們還是懷疑14nm可能將成為硅芯片尺寸的最終盡頭。近年來，芯片的發(fā)展進(jìn)程始終嚴(yán)格遵守著“摩爾定律”，并有條不紊地進(jìn)行著，直到14nm制

14nm會(huì)是硅芯片的盡頭？

盡管英特爾依然樂觀地預(yù)測(cè)將于2015年之前推出8nm制程工藝的芯片，但人們還是懷疑14nm可能將成為硅芯片尺寸的最終盡頭。近年來，芯片的發(fā)展進(jìn)程始終嚴(yán)格遵守著“摩爾定律”，并有條不紊地進(jìn)行著，直到14nm制

14nm會(huì)是硅芯片的盡頭？

盡管英特爾依然樂觀地預(yù)測(cè)將于2015年之前推出8nm制程工藝的芯片，但人們還是懷疑14nm可能將成為硅芯片尺寸的最終盡頭。近年來，芯片的發(fā)展進(jìn)程始終嚴(yán)格遵守著“摩爾定律”，并有條不紊地進(jìn)行著，直到14nm制造工藝的芯

14nm會(huì)是硅芯片的盡頭？

盡管英特爾依然樂觀地預(yù)測(cè)將于2015年之前推出8nm制程工藝的芯片，但人們還是懷疑14nm可能將成為硅芯片尺寸的最終盡頭。 近年來，芯片的發(fā)展進(jìn)程始終嚴(yán)格遵守著“摩爾定律”，并有條不紊地進(jìn)行著，直到14nm制造工藝

晶體管驅(qū)動(dòng)TTL的接口電路

CMOS與晶體管的互接口電路

英特爾：14nm工藝的Atom移動(dòng)芯片2014年問世

英特爾：14nm工藝的Atom移動(dòng)芯片2014年問世

差分放大器中的不匹配效應(yīng)及消除方法研究

隨著微電子制造業(yè)的發(fā)展，制作高速、高集成度的CMOS電路已迫在眉睫，從而促使模擬集成電路的工藝水平達(dá)到深亞微米級(jí)。因?yàn)橹T如溝道長度、溝道寬度、閾值電壓和襯底摻雜濃度都未隨器件尺寸的減小按比例變化，所以器件

車載數(shù)碼相機(jī)充電適配器設(shè)計(jì)

附圖為數(shù)碼相機(jī)充電適配器電路。電路采用一對(duì)晶體管差分放大器和一級(jí)電流放大器．分別輸出恒定的電壓和要求的電流。晶體管T1和T2構(gòu)成一對(duì)差分放大器．T1基極電壓由穩(wěn)壓二極管ZD1穩(wěn)定在3V．T2基極電壓則由電源經(jīng)R3和R

PWM調(diào)光技術(shù)：如何優(yōu)化LED色彩穩(wěn)定度

本文探討提供發(fā)光二極體(LED)調(diào)光的方法，分析LED調(diào)光對(duì)其長期性能及所發(fā)射出光的色彩穩(wěn)定性之影響，并特別探討如何結(jié)合使用線性恒流穩(wěn)流器(CCR)及數(shù)位電晶體來提供脈沖寬度調(diào)變(PWM)調(diào)光。PWM為改變LED光輸出首要方

模擬設(shè)計(jì)的未來

摩爾定律告訴我們硅制造業(yè)的改進(jìn)可使我們?cè)谕瑯拥某杀鞠?，每兩年就使晶體管的數(shù)量翻一番。換個(gè)觀察的角度就是硅晶圓的價(jià)格從未上升，并且硅晶圓的固定價(jià)格使我們不得不去構(gòu)想如何最好地使用每兩年翻一倍的晶體管。然

車載數(shù)碼相機(jī)充電適配器設(shè)計(jì)

附圖為數(shù)碼相機(jī)充電適配器電路。電路采用一對(duì)晶體管差分放大器和一級(jí)電流放大器．分別輸出恒定的電壓和要求的電流。晶體管T1和T2構(gòu)成一對(duì)差分放大器．T1基極電壓由穩(wěn)壓二極管ZD1穩(wěn)定在3V．T2基極電壓則由電源經(jīng)R3和R

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本文探討提供發(fā)光二極體(LED)調(diào)光的方法，分析LED調(diào)光對(duì)其長期性能及所發(fā)射出光的色彩穩(wěn)定性之影響，并特別探討如何結(jié)合使用線性恒流穩(wěn)流器(CCR)及數(shù)位電晶體來提供脈沖寬度調(diào)變(PWM)調(diào)光。PWM為改變LED光輸出首要方

澳大利亞科學(xué)家研制出完美的“單原子晶體管”

澳大利亞科學(xué)家表示，他們研制出一種單原子晶體管，其由蝕刻在硅晶體內(nèi)的單個(gè)磷原子組成，擁有控制電流的門電路和原子層級(jí)的金屬接觸，有望成為下一代量子計(jì)算機(jī)的基礎(chǔ)元件。研究發(fā)表在2月19日出版的《自然·納

可驅(qū)動(dòng)50歐負(fù)載的寬帶緩沖放大器電路及工作原理分析

電路的功能本電路是SEPP輸出電路，輸出級(jí)由NPN晶體管構(gòu)成，可工作于高頻，它可作為輸入阻抗較高的OP放大器的電流增強(qiáng)器或作為驅(qū)動(dòng)50歐負(fù)載的輸出緩沖放大器用。電路工作原理由于輸入級(jí)的射級(jí)輸出器TT1和輸出晶體管TT

SoC用低電壓SRAM技術(shù)

東芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上，發(fā)布了采用09年開始量產(chǎn)的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術(shù)。該技術(shù)為主要用于便攜產(chǎn)品及消費(fèi)類產(chǎn)品的低功耗工藝技術(shù)。通過控制晶體管閾值電壓的經(jīng)時(shí)變化，可抑

設(shè)計(jì)自由度很大的二級(jí)直耦寬帶放大器電路及其工作原理

電路的功能雖然很多單片IC也被稱為寬帶放大器，但往往因具特性與使用要求不匹配，設(shè)計(jì)上又沒有自由度，因而無法應(yīng)用。用晶體管組合而成的放大器可以按使用要求進(jìn)行組合，設(shè)計(jì)自由度大，所以在圖象電路中得到廣泛的應(yīng)

高頻特性得到改善的功率MOSFET放大器電路及其工作原理

電路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其轉(zhuǎn)換速度比單級(jí)晶體管快，適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉(zhuǎn)換速度的激勵(lì)器，而且還在輸出級(jí)采用了MOSFET，使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負(fù)載。

與非門組成晶體管速測(cè)器電路圖及其原理分析

圖中所示是用CMOS反相器組成的晶體管速測(cè)器.CMOS電路采用J330,該電路在設(shè)計(jì)上考慮到要驅(qū)動(dòng)TTL門電路,故輸出電流可達(dá)10MA以上.該晶體管速測(cè)器既可測(cè)晶體管的好壞,還可自動(dòng)指示出晶體管的類型,基極位置或二極管的極性等

高頻特性得到改善的功率MOSFET放大器電路及其工作原理

電路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其轉(zhuǎn)換速度比單級(jí)晶體管快，適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉(zhuǎn)換速度的激勵(lì)器，而且還在輸出級(jí)采用了MOSFET，使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負(fù)載。