模擬設(shè)計(jì)的未來

摩爾定律告訴我們硅制造業(yè)的改進(jìn)可使我們在同樣的成本下，每兩年就使晶體管的數(shù)量翻一番。換個(gè)觀察的角度就是硅晶圓的價(jià)格從未上升，并且硅晶圓的固定價(jià)格使我們不得不去構(gòu)想如何最好地使用每兩年翻一倍的晶體管。然

車載數(shù)碼相機(jī)充電適配器設(shè)計(jì)

附圖為數(shù)碼相機(jī)充電適配器電路。電路采用一對晶體管差分放大器和一級電流放大器．分別輸出恒定的電壓和要求的電流。晶體管T1和T2構(gòu)成一對差分放大器．T1基極電壓由穩(wěn)壓二極管ZD1穩(wěn)定在3V．T2基極電壓則由電源經(jīng)R3和R

PWM調(diào)光技術(shù)：如何優(yōu)化LED色彩穩(wěn)定度

本文探討提供發(fā)光二極體(LED)調(diào)光的方法，分析LED調(diào)光對其長期性能及所發(fā)射出光的色彩穩(wěn)定性之影響，并特別探討如何結(jié)合使用線性恒流穩(wěn)流器(CCR)及數(shù)位電晶體來提供脈沖寬度調(diào)變(PWM)調(diào)光。PWM為改變LED光輸出首要方

澳大利亞科學(xué)家研制出完美的“單原子晶體管”

澳大利亞科學(xué)家表示，他們研制出一種單原子晶體管，其由蝕刻在硅晶體內(nèi)的單個(gè)磷原子組成，擁有控制電流的門電路和原子層級的金屬接觸，有望成為下一代量子計(jì)算機(jī)的基礎(chǔ)元件。研究發(fā)表在2月19日出版的《自然·納

可驅(qū)動50歐負(fù)載的寬帶緩沖放大器電路及工作原理分析

電路的功能本電路是SEPP輸出電路，輸出級由NPN晶體管構(gòu)成，可工作于高頻，它可作為輸入阻抗較高的OP放大器的電流增強(qiáng)器或作為驅(qū)動50歐負(fù)載的輸出緩沖放大器用。電路工作原理由于輸入級的射級輸出器TT1和輸出晶體管TT

SoC用低電壓SRAM技術(shù)

東芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上，發(fā)布了采用09年開始量產(chǎn)的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術(shù)。該技術(shù)為主要用于便攜產(chǎn)品及消費(fèi)類產(chǎn)品的低功耗工藝技術(shù)。通過控制晶體管閾值電壓的經(jīng)時(shí)變化，可抑

設(shè)計(jì)自由度很大的二級直耦寬帶放大器電路及其工作原理

電路的功能雖然很多單片IC也被稱為寬帶放大器，但往往因具特性與使用要求不匹配，設(shè)計(jì)上又沒有自由度，因而無法應(yīng)用。用晶體管組合而成的放大器可以按使用要求進(jìn)行組合，設(shè)計(jì)自由度大，所以在圖象電路中得到廣泛的應(yīng)

高頻特性得到改善的功率MOSFET放大器電路及其工作原理

電路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其轉(zhuǎn)換速度比單級晶體管快，適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉(zhuǎn)換速度的激勵(lì)器，而且還在輸出級采用了MOSFET，使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負(fù)載。

與非門組成晶體管速測器電路圖及其原理分析

圖中所示是用CMOS反相器組成的晶體管速測器.CMOS電路采用J330,該電路在設(shè)計(jì)上考慮到要驅(qū)動TTL門電路,故輸出電流可達(dá)10MA以上.該晶體管速測器既可測晶體管的好壞,還可自動指示出晶體管的類型,基極位置或二極管的極性等

高頻特性得到改善的功率MOSFET放大器電路及其工作原理

電路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其轉(zhuǎn)換速度比單級晶體管快，適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉(zhuǎn)換速度的激勵(lì)器，而且還在輸出級采用了MOSFET，使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負(fù)載。

由晶體管構(gòu)成的寬頻帶幅值放大電路

晶體管與晶振構(gòu)成的不可調(diào)振蕩電路

可獲得400VP-P輸出的高電壓增強(qiáng)器電路功能及原理

電路的功能OP放大器的輸出振幅幅值為正負(fù)10~30V，需要數(shù)百伏幅值的靜電激勵(lì)器或壓電器件就要使用專門的激勵(lì)放大器，也有采用由耐高壓晶體管組成的獨(dú)立電路的。本電路主要應(yīng)用OP放大器的直流特性，在OP放大器后面增加

頻率為3~30MHZ的高頻VCO電路功能及工作原理

電路的功能這是一種可在3M~30MHZ頻率使用的電壓控制振蕩器，在通信機(jī)或信號發(fā)生器等測量儀器中，可與PLL電路配合使用。振蕩回路采用了變形克拉著振蕩電路方式，晶體管TR1的參數(shù)變動對振蕩頻率影響不大。電路工作原理

高速前置放大器電路及原理

電路的功能差動放大器的噪聲特性由輸入級決定，在本電路中，該級采用PMI公司生產(chǎn)的低噪聲雙晶體管，使噪聲特性得以改善。這是一種較完善的差動輸入前置放大器。因?yàn)楸倦娐凡捎秒p極晶體管，所以宜用作信號源電阻低的傳

晶體管交流穩(wěn)壓器電路

IBM未來9納米電晶體以碳元素為主要材質(zhì)

Intel透露今年預(yù)計(jì)推出的Ivy Bridge將采用全新22nm的3D硅晶體技術(shù)，并且在接下來將進(jìn)展到14nm，乃至于之后于2016年間也預(yù)計(jì)推出采用11nm制程的 “Skymont”平臺。而看起來IBM也將不甘落后，目前官方宣布已

淺談SoC時(shí)代中的摩爾定律

目前，涉及到智能手機(jī)的市場必火，作為智能手機(jī)大腦的移動SoC市場當(dāng)然也受到全球范圍內(nèi)為數(shù)眾多的芯片廠商大力追捧。以下就讓我們探討在SoC時(shí)代中，摩爾定律是如何作用于SoC的。當(dāng)CPU被逐漸退居二線，而移動SoC登上首

IBM 研制出9nm晶體芯片

IBM 研制出9nm晶體芯片

IBM研發(fā)9納米碳納米管 可用于制造晶體管

碳納米管物理性質(zhì)良好，它既有強(qiáng)大的機(jī)械性能，也有相當(dāng)好的攜帶電子的能力。日前，IBM的研究人員宣布，已經(jīng)創(chuàng)建出一種僅有9納米尺寸的碳結(jié)構(gòu)納米管，它可以制造出非常小的晶體管，目前民用產(chǎn)品中最小的晶體管是英特