IBM以碳取代矽元素 進(jìn)入9nm制程晶體管技術(shù)

【聯(lián)合新聞網(wǎng)／記者楊又肇／報(bào)導(dǎo)】 Intel透露今年預(yù)計(jì)推出的Ivy Bridge將采用全新22nm的3D矽晶體技術(shù)，并且在接下來將進(jìn)展到14nm，乃至于之后于2016年間也預(yù)計(jì)推出采用11nm制程的「Skymont」平臺(tái)。而看起來IBM也將不

像紋身一樣的“表皮電子儀器”，可隨時(shí)監(jiān)控病人身體

病人即使在離開醫(yī)院后，也需要讓醫(yī)生隨時(shí)了解他們的病情，以進(jìn)行身體狀況監(jiān)控。近日科學(xué)家發(fā)明了一種可以輕松監(jiān)測病人身體狀況的小型電子儀器，像臨時(shí)紋身一樣，貼在皮膚上，讓病人擺脫了以往笨重的電子儀器和電極進(jìn)

隧道二極管與晶體管的組合使用實(shí)例

國產(chǎn)的隧道二極管全都是鍺材料做成的，其峰值電壓約為0.25伏左右，若這種鍺的遂道二極管要與硅晶體管并聯(lián)使用時(shí)，則遂道二極管BG2要串接反向二極管BG1（同了圖5（a），反向二極管是一種變種的隧道二極管，其峰點(diǎn)電流

GaAsSb雙異質(zhì)結(jié)雙極晶體管集成電路DHBT技術(shù)

Abstract— 一種用于射頻和微波測試系統(tǒng)的高性能GaAsSb基區(qū)，InP集電區(qū) DHBT IC 工藝被成功研發(fā)。這種GaAsSb工藝使得在工作電流為JC = 1.5 mA/µm²時(shí)fT 和 fmax分別達(dá)到了 185 GHz and 220 GHz，JC =

使用PNP晶體管放大的穩(wěn)壓器電路

三點(diǎn)式振蕩電路詳細(xì)設(shè)計(jì)

三點(diǎn)式振蕩電路是指諧振回路的三個(gè)引出端點(diǎn)分別與三極管的三個(gè)電極相連接。1）三點(diǎn)式振蕩電路相們條件判斷準(zhǔn)則 圖5.3-3為三點(diǎn)式振蕩電路的一般形式?？勺C明，三點(diǎn)式振蕩電路滿足相位條件的判斷準(zhǔn)則是：凡與晶體管發(fā)射

光電晶體管受光電路及其原理介紹

電路的功能在光接收電路中，如果外來光引起誤動(dòng)作，可靠性就會(huì)下降。用脈沖式發(fā)光，可作成能識(shí)別平均外來光和脈沖波的電路。輸出不僅有導(dǎo)通、截止?fàn)顟B(tài)，還有與驅(qū)動(dòng)頻率相同的脈沖串輸出。電路工作原理流過光電晶體管

使用PNP晶體管放大的穩(wěn)壓器電路

晶體管低頻放大器詳述

各種類型低頻放大器，主要特點(diǎn)是，工作頻率范圍寬，放大信號的中心頻率從幾十赫至幾百千赫；這類放大器通常處于低頻多級放大器的前幾級，故稱前置放大器，它的輸入信號幅度很小，約幾到幾十毫伏或甚至更小，所以屬于

半導(dǎo)體工藝微細(xì)化遇阻

半導(dǎo)體工藝技術(shù)在不斷進(jìn)步。先行廠商已開始量產(chǎn)22/20nm工藝產(chǎn)品，而且還在開發(fā)旨在2~3年后量產(chǎn)的15nm技術(shù)。不過，雖然技術(shù)在不斷進(jìn)步，但很多工藝技術(shù)人員都擁有閉塞感。因?yàn)楣に嚰夹g(shù)革新的關(guān)鍵--微細(xì)化讓人擔(dān)心。決

半導(dǎo)體工藝微細(xì)化遇阻

半導(dǎo)體工藝技術(shù)在不斷進(jìn)步。先行廠商已開始量產(chǎn)22/20nm工藝產(chǎn)品，而且還在開發(fā)旨在2～3年后量產(chǎn)的15nm技術(shù)。不過，雖然技術(shù)在不斷進(jìn)步，但很多工藝技術(shù)人員都擁有閉塞感。因?yàn)楣に嚰夹g(shù)革新的關(guān)鍵——微細(xì)化

半導(dǎo)體工藝微細(xì)化遇阻

半導(dǎo)體工藝技術(shù)在不斷進(jìn)步。先行廠商已開始量產(chǎn)22/20nm工藝產(chǎn)品，而且還在開發(fā)旨在2～3年后量產(chǎn)的15nm技術(shù)。不過，雖然技術(shù)在不斷進(jìn)步，但很多工藝技術(shù)人員都擁有閉塞感。因?yàn)楣に嚰夹g(shù)革新的關(guān)鍵——微細(xì)化

半導(dǎo)體工藝微細(xì)化遇阻

半導(dǎo)體工藝技術(shù)在不斷進(jìn)步。先行廠商已開始量產(chǎn)22/20nm工藝產(chǎn)品，而且還在開發(fā)旨在2～3年后量產(chǎn)的15nm技術(shù)。不過，雖然技術(shù)在不斷進(jìn)步，但很多工藝技術(shù)人員都擁有閉塞感。因?yàn)楣に嚰夹g(shù)革新的關(guān)鍵——微細(xì)化讓人擔(dān)心。

芯片自我修復(fù) 美小組研發(fā)自我修復(fù)系統(tǒng)

細(xì)小的CPU芯片有多達(dá)數(shù)億晶體管，其中的電路的復(fù)雜程度可想而知，一般的芯片，若是其中一個(gè)電路癱瘓，整個(gè)CPU就此報(bào)廢，但是如果芯片具有自我修復(fù)能力，就像科幻電影《終結(jié)者》中T-1000機(jī)器人，情況就不一樣了。最近

ST推出MDmesh V功率MOSFET晶體管打破世界紀(jì)錄

21ic訊 中國，2011年12月27日 —— 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）推出打破高壓功率MOSFET晶體管世界記錄的MDmesh V功

L波段低噪聲放大器的設(shè)計(jì)

引言　　低噪聲放大器(LNA)是雷達(dá)、通信、電子對抗、遙測遙控等電子系統(tǒng)中關(guān)鍵的微波部件，有廣泛的應(yīng)用價(jià)值。由于微波系統(tǒng)的噪聲系數(shù)基本上取決于前級放大器的噪聲系數(shù)，因此LNA噪聲系數(shù)的優(yōu)劣會(huì)直接影響整個(gè)系統(tǒng)性

增壓電路介紹

這里描述的電源把電壓從一節(jié)手電筒電池的1.5伏提高到LED所需的3.5伏，同時(shí)用電源把LED和手電筒電池串聯(lián)起來。設(shè)計(jì)這種電路是為了用LED對手電筒進(jìn)行改進(jìn)。增壓電路在有兩節(jié)電池的手電筒中將代替的一節(jié)電池，LED裝置則

TJSB1型晶體管時(shí)間繼電器延時(shí)型電路

TJSB1型晶體管時(shí)間繼電器脈沖型電路

LJ2系列晶體管接近開關(guān)原理電路圖