硅谷專(zhuān)家認(rèn)為半導(dǎo)體業(yè)將煥發(fā)新春

曾有人認(rèn)為，過(guò)去幾十年給人類(lèi)文明和科技進(jìn)步帶來(lái)重大影響的半導(dǎo)體業(yè)已是日薄西山。但８日在美國(guó)硅谷出席一個(gè)科技會(huì)議的專(zhuān)家們指出，隨著無(wú)線通信等蓬勃發(fā)展，半導(dǎo)體業(yè)有望迎來(lái)新的春天。 硅谷最大的華人半導(dǎo)體

“潛力股”光子晶體牽出“遙科學(xué)”大未來(lái)

中科院物理研究所研究員李明是個(gè)“幸運(yùn)兒”，他所負(fù)責(zé)的空間復(fù)合膠體晶體生長(zhǎng)實(shí)驗(yàn)，是天宮一號(hào)里唯一的一項(xiàng)空間科學(xué)實(shí)驗(yàn)。此刻，李明在北京大后方進(jìn)行緊張的工作；在酒泉衛(wèi)星發(fā)射中心前線，中科院物理所副所長(zhǎng)、載人

晶體管的檢測(cè)經(jīng)驗(yàn)

　(一)晶體管材料與極性的判別　　1.從晶體管的型號(hào)命名上識(shí)別其材料與極性 國(guó)產(chǎn)晶體管型號(hào)命名的第二部分用英文字母A"D表示晶體管的材料和極性。其中，“A”代表鍺材料PNP型管，“B”代表鍺材料

晶體管的檢測(cè)經(jīng)驗(yàn)

　(一)晶體管材料與極性的判別　　1.從晶體管的型號(hào)命名上識(shí)別其材料與極性 國(guó)產(chǎn)晶體管型號(hào)命名的第二部分用英文字母A"D表示晶體管的材料和極性。其中，“A”代表鍺材料PNP型管，“B”代表鍺材料

瑞薩電子推出新型SiGe:C異質(zhì)接面晶體管

21ic訊 瑞薩電子株式會(huì)社（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“瑞薩電子”）宣布推出新款SiGe:C異質(zhì)接面晶體管 (SiGe:C HBT, 注1)NESG7030M04，可作為低噪聲放大晶體管用于無(wú)線局域網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)、衛(wèi)星無(wú)線電及類(lèi)似應(yīng)用。本裝置的制程采

“把質(zhì)量放在第一位”—訪羅姆半導(dǎo)體（中國(guó)）有限公司董事兼總經(jīng)理 張駒

羅姆半導(dǎo)體（中國(guó)）有限公司隨著中國(guó)IT產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展，羅姆半導(dǎo)體（中國(guó)）有限公司本著“質(zhì)量第一”的企業(yè)理念，將以市場(chǎng)為導(dǎo)向，以客戶為上帝，生產(chǎn)出更多﹑更好的半導(dǎo)體產(chǎn)品，滿足消費(fèi)者的需求。 &

低VCEsat雙極結(jié)晶體管和MOSFET的比較

新型低VCEsat BJT技術(shù)為傳統(tǒng)的平面MOSFET(電流介于500mA與5A之間的應(yīng)用)提供了一種可行的低成本替代方案。采用低VCEsat BJT有助于設(shè)計(jì)人員設(shè)計(jì)出成本更低、更具競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品?！　”銛y式產(chǎn)品(如手機(jī)、數(shù)碼照相機(jī)、

低VCEsat雙極結(jié)晶體管和MOSFET的比較

新型低VCEsat BJT技術(shù)為傳統(tǒng)的平面MOSFET(電流介于500mA與5A之間的應(yīng)用)提供了一種可行的低成本替代方案。采用低VCEsat BJT有助于設(shè)計(jì)人員設(shè)計(jì)出成本更低、更具競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品?！　”銛y式產(chǎn)品(如手機(jī)、數(shù)碼照相機(jī)、

利用晶體管飽和特性的非選擇性三倍頻器電路圖

太陽(yáng)能處理器震撼曝光，晶體管能耗極低

Intel CEO Paul Otellini在演講期間展示了一項(xiàng)非常有趣的研究：“太陽(yáng)能處理器”。一顆“裸奔”中的原型芯片，無(wú)需任何散熱片或者散熱器，只依靠一塊郵票大小的太陽(yáng)能電池。 1 2 3 4 5 這

晶體管耳機(jī)放大器

晶體管與門(mén)保護(hù)電路

晶體管直流二倍升壓電路

應(yīng)對(duì)功耗挑戰(zhàn)： 晶體管技術(shù)方案面臨瓶頸

在電費(fèi)占運(yùn)營(yíng)成本 (OPEX) 很大一部分，而運(yùn)營(yíng)成本則占總成本約 70% 的情況下，降低功耗對(duì)運(yùn)營(yíng)商來(lái)說(shuō)已刻不容緩。以前，芯片提供商想辦法通過(guò)晶體管和工藝技術(shù)來(lái)降低功耗。雖然晶體管是產(chǎn)生功耗的主要原因，但并非

小型晶體管化燈閃光器

晶體管化閃光器02

晶體管化閃光器

晶體管直流二倍升壓電路

應(yīng)對(duì)功耗挑戰(zhàn)：晶體管技術(shù)方案面臨瓶頸

在電費(fèi)占運(yùn)營(yíng)成本 (OPEX) 很大一部分，而運(yùn)營(yíng)成本則占總成本約 70% 的情況下，降低功耗對(duì)運(yùn)營(yíng)商來(lái)說(shuō)已刻不容緩。以前，芯片提供商想辦法通過(guò)晶體管和工藝技術(shù)來(lái)降低功耗。雖然晶體管是產(chǎn)生功耗的主要原因，但并非唯一

晶體管也玩立體化 Intel Ivy Bridge前景樂(lè)觀

今年年初，Intel正式發(fā)布了SandyBridge架構(gòu)，從筆記本、臺(tái)式機(jī)到服務(wù)器都一應(yīng)俱全，幾個(gè)月內(nèi)SnB大潮就已經(jīng)席卷了整個(gè)市場(chǎng)。如今在桌面平臺(tái)方面，已經(jīng)更新到第二代Z68等芯片組了，推陳出新速度非常之快。然而今年的處