
臺(tái)積電年底有望推出首款3D芯片 能耗可降低50%
Intel,臺(tái)積電等巨頭企業(yè)已經(jīng)決定先后在22/14nm節(jié)點(diǎn)走上Finfet之路,這樣一來(lái),另一條路--FDSOI方面的進(jìn)展?fàn)顩r便顯得格外引人注目。最近,在日本東京召開(kāi)了2011年半導(dǎo)體技術(shù)國(guó)際會(huì)議(Symposium on VLSI Technology)
近年來(lái),無(wú)線通信市場(chǎng)的蓬勃發(fā)展,特別是移動(dòng)電話、無(wú)線因特網(wǎng)接入業(yè)務(wù)的興起使人們對(duì)無(wú)線通信技術(shù)提出了更高的要求。體積小、重量輕、低功耗和低成本是無(wú)線通信終端發(fā)展的方向,射頻集成電路技術(shù)(RFIC)在其中扮演
Intel,臺(tái)積電等巨頭企業(yè)已經(jīng)決定先后在22/14nm節(jié)點(diǎn)走上Finfet之路,這樣一來(lái),另一條路FDSOI方面的進(jìn)展?fàn)顩r便顯得格外引人注目。最近,在日本東京召開(kāi)了2011年半導(dǎo)體技術(shù)國(guó)際會(huì)議(SymposiumonVLSITechnology),會(huì)
不久前在日本京都舉行的VLSI技術(shù)研討會(huì)上提交的研究結(jié)果顯示,采用超薄襯底的SOI晶圓和22納米工藝制造的器件和采用體硅晶圓、22納米工藝制造的器件相比,性能的提高達(dá)到了25%。包括MEMC、SEH、Soitec等在內(nèi)的幾家主要
不久前在日本京都舉行的VLSI技術(shù)研討會(huì)上提交的研究結(jié)果顯示,采用超薄襯底的SOI晶圓和22納米工藝制造的器件和采用體硅晶圓、22納米工藝制造的器件相比,性能的提高達(dá)到了25%。包括MEMC、SEH、Soitec等在內(nèi)的幾家主要
Intel,臺(tái)積電等巨頭企業(yè)已經(jīng)決定先后在22/14nm節(jié)點(diǎn)走上Finfet之路,這樣一來(lái),另一條路FDSOI方面的進(jìn)展?fàn)顩r便顯得格外引人注目。最近,在日本東京召開(kāi)了2011年半導(dǎo)體技術(shù)國(guó)際會(huì)議(Symposium on VLSI Technology),
不久前在日本京都舉行的VLSI技術(shù)研討會(huì)上提交的研究結(jié)果顯示,采用超薄襯底的SOI晶圓和22納米工藝制造的器件和采用體硅晶圓、22納米工藝制造的器件相比,性能的提高達(dá)到了25%。包括MEMC、SEH、Soitec等在內(nèi)的幾家主要
硅片RF LDMOS功率晶體管的全球領(lǐng)先廠商飛思卡爾半導(dǎo)體 (NYSE: FSL)日前推出新型Airfast RF功率解決方案,旨在為全球無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備制造商提供RF功率產(chǎn)品,將性能和能效提升至新的高度。 Airfast系列是飛思卡爾推出
英特爾公司開(kāi)發(fā)了使用3D結(jié)構(gòu)的晶體管,這被稱為50余年微處理器設(shè)計(jì)的最大突破,并將投入大規(guī)模生產(chǎn)。英特爾公司在一份新聞稿中表示,三柵型設(shè)計(jì)師英特爾公司最早在2002年公布的,該產(chǎn)品的設(shè)計(jì)徹底擺脫了二維平面晶體
真的猛士,敢于DIY自己的生活;真的猛士,敢于DIY自己的電子產(chǎn)品;真的猛士,敢于只用導(dǎo)線和晶體管DIY自己的電腦。從零開(kāi)始造電腦……這得是何等的生猛啊。一般人也就是自己組臺(tái)機(jī)器裝個(gè)系統(tǒng)啥的,這位叫
自從Intel正式對(duì)外公布22nm制程節(jié)點(diǎn)將啟用Finfet垂直型晶體管結(jié)構(gòu),吸引了眾人的注意之后,臺(tái)積電,GlobalFoundries等芯片代工廠最近紛紛表態(tài)稱芯片代工市場(chǎng)在未來(lái)一段時(shí)間內(nèi)(至少到下一個(gè)節(jié)點(diǎn)制程時(shí))仍將采用傳統(tǒng)
自從Intel正式對(duì)外公布22nm制程節(jié)點(diǎn)將啟用Finfet垂直型晶體管結(jié)構(gòu),吸引了眾人的注意之后,臺(tái)積電,GlobalFoundries等芯片代工廠最近紛紛表態(tài)稱芯片代工市場(chǎng)在未來(lái)一段時(shí)間內(nèi)(至少到下一個(gè)節(jié)點(diǎn)制程時(shí))仍將采用傳統(tǒng)
據(jù)韓國(guó)聯(lián)合通訊社報(bào)道,來(lái)自韓國(guó)、日本、英國(guó)的科學(xué)家們利用量子效應(yīng),成功地開(kāi)發(fā)出了世界上最小的晶體管。 項(xiàng)目負(fù)責(zé)人、韓國(guó)忠北國(guó)立大學(xué)教授崔鐘范(ChoiJung-bum)表示,這種量子效應(yīng)晶體管不但尺寸僅有2nm,而
??????? 自從Intel正式對(duì)外公布22nm制程節(jié)點(diǎn)將啟用Finfet垂直型晶體管結(jié)構(gòu),吸引了眾人的注意之后,臺(tái)積電,GlobalFoundries等芯片代工廠最近紛紛表態(tài)稱芯片代工市場(chǎng)在未來(lái)一段時(shí)間內(nèi)(至少到下一個(gè)節(jié)點(diǎn)制程時(shí))仍將
據(jù)韓國(guó)聯(lián)合通訊社報(bào)道,來(lái)自韓國(guó)、日本、英國(guó)的科學(xué)家們利用量子效應(yīng),成功地開(kāi)發(fā)出了世界上最小的晶體管。項(xiàng)目負(fù)責(zé)人、韓國(guó)忠北國(guó)立大學(xué)教授崔鐘范(ChoiJung-bum)表示,這種量子效應(yīng)晶體管不但尺寸僅有2nm,而且能夠
據(jù)韓國(guó)聯(lián)合通訊社報(bào)道,來(lái)自韓國(guó)、日本、英國(guó)的科學(xué)家們利用量子效應(yīng),成功地開(kāi)發(fā)出了世界上最小的晶體管。項(xiàng)目負(fù)責(zé)人、韓國(guó)忠北國(guó)立大學(xué)教授崔鐘范(ChoiJung-bum)表示,這種量子效應(yīng)晶體管不但尺寸僅有2nm,而且能夠
據(jù)韓國(guó)聯(lián)合通訊社報(bào)道,來(lái)自韓國(guó)、日本、英國(guó)的科學(xué)家們利用量子效應(yīng),成功地開(kāi)發(fā)出了世界上最小的晶體管。 項(xiàng)目負(fù)責(zé)人、韓國(guó)忠北國(guó)立大學(xué)教授崔鐘范(Choi Jung-bum)表示,這種量子效應(yīng)晶體管不但尺寸僅有2nm,而
前不久Intel把3D立體概念應(yīng)用在半導(dǎo)體制程的〝FinFET技術(shù)〞并發(fā)表了〝3-D Tri-Gate MOSFET三維晶體管〞技術(shù),簡(jiǎn)單地說(shuō)就是把原本二維的平面柵級(jí)用一塊非常薄的三維矽鰭片來(lái)取代,并且在立體的三個(gè)面上都放置了一個(gè)