Intel 22nm制程項(xiàng)目經(jīng)理自戰(zhàn)解析：三柵制程物有所值

據(jù)Intel公司負(fù)責(zé)22nm制程項(xiàng)目的經(jīng)理Kaizad Mistry透露，Intel早在四年前便已經(jīng)決定要在22nm制程節(jié)點(diǎn)啟用三柵（Tri-gate）技術(shù)。Intel的三柵技術(shù)其本質(zhì)是屬于 Finfet晶體管一類，但是由于三柵在鰭的兩個(gè)側(cè)面以及鰭的

Intel 22nm制程經(jīng)理:三柵制程物有所值

據(jù)Intel公司負(fù)責(zé)22nm制程項(xiàng)目的經(jīng)理Kaizad Mistry透露，Intel早在四年前便已經(jīng)決定要在22nm制程節(jié)點(diǎn)啟用三柵（Tri-gate）技術(shù)。Intel的三柵技術(shù)其本質(zhì)是屬于 Finfet晶體管一類，但是由于三柵在鰭的兩個(gè)側(cè)面以及鰭的頂

英特爾采用3D晶體管技術(shù)開(kāi)發(fā)新凌動(dòng)芯片架構(gòu)

CNET科技資訊網(wǎng) 5月16日 國(guó)際報(bào)道 英特爾正在開(kāi)發(fā)一款采用3D晶體管技術(shù)的凌動(dòng)芯片架構(gòu)。英特爾在加速節(jié)能芯片的開(kāi)發(fā)進(jìn)程，以進(jìn)入智能手機(jī)和平板電腦芯片市場(chǎng)。 消息人士透露，代號(hào)為Silvermont的新款凌動(dòng)芯片將

英特爾采用3D晶體管技術(shù)開(kāi)發(fā)全新凌動(dòng)芯片架構(gòu)

英特爾采用3D晶體管技術(shù)開(kāi)發(fā)全新凌動(dòng)芯片架構(gòu)

光晶體管用于接口電路

MOC8111型光晶體管無(wú)基極連接的光耦合器電路

ILH200密封型光晶體管雙通道光耦合器電路

ARM：英特爾3D晶體管不會(huì)改變格局

記者：英特爾公司近日宣布在晶體管發(fā)展上取得了革命性的重大突破，首款3-D晶體管進(jìn)入生產(chǎn)技術(shù)階段。Intel新技術(shù)可以降低近一半的功耗，在這種情況下，有人稱在廣大的移動(dòng)電子消費(fèi)市場(chǎng)上，它能與ARM打成平手，你如何評(píng)

英特爾將利用3D晶體管技術(shù)研發(fā)新Atom

最新的消息顯示，英特爾近日才剛剛曝光的3D晶體管技術(shù)現(xiàn)在已經(jīng)有了具體的研發(fā)目標(biāo)，英特爾將會(huì)利用全新的3D晶體管技術(shù)來(lái)研發(fā)新一代的Atom處理器架構(gòu)，其目標(biāo)主要就是提升性能的同時(shí)降低功耗，為用戶提供一種能耗出色

觀點(diǎn)：22納米3D晶體管是否足以使英特爾擊敗ARM？

英特爾最近發(fā)布了22納米三柵極晶體管技術(shù)(參閱電子工程專輯報(bào)道：圖解英特爾提前量產(chǎn)3D晶體管，進(jìn)入22nm時(shí)代)，市場(chǎng)研究公司IHS iSuppli認(rèn)為該技術(shù)使得這家世界第一的芯片廠商得以進(jìn)軍智能手機(jī)與多媒體平板市場(chǎng)、同時(shí)

分析師稱英特爾3D晶體管突破未必贏得行動(dòng)市場(chǎng)入場(chǎng)券

英特爾(Intel)日前大動(dòng)作地發(fā)表了其年度科技大突破，號(hào)稱其3D三閘(Tri-Gate)晶體管技術(shù)，將可望為其進(jìn)軍行動(dòng)處理器市場(chǎng)，鋪下一條平坦大道，但根據(jù)ZDNet網(wǎng)站引述市調(diào)研究機(jī)構(gòu)Gartner分析師的意見(jiàn)指出，英特爾在通訊

分析師稱英特爾3D晶體管突破未必贏得行動(dòng)市場(chǎng)入場(chǎng)券

英特爾(Intel)日前大動(dòng)作地發(fā)表了其年度科技大突破，號(hào)稱其3D三閘(Tri-Gate)晶體管技術(shù)，將可望為其進(jìn)軍行動(dòng)處理器市場(chǎng)，鋪下一條平坦大道，但根據(jù)ZDNet網(wǎng)站引述市調(diào)研究機(jī)構(gòu)Gartner分析師的意見(jiàn)指出，英特爾在通訊技

高清圖詳解英特爾最新22nm 3D晶體管

業(yè)界一直傳說(shuō)3D三柵級(jí)晶體管技術(shù)將會(huì)用于下下代14nm的半導(dǎo)體制造，沒(méi)想到英特爾竟提前將之用于22nm工藝，并且于上周四向全世界表示將在年底進(jìn)行規(guī)模量產(chǎn)，批量投產(chǎn)研發(fā)代號(hào)Ivy BRIDGE的22納米英特爾CPU，并在美國(guó)展

破譯前沿技術(shù)，F(xiàn)infet技術(shù)（3D晶體管）詳解

本周三Intel舉辦了一次新聞發(fā)布會(huì)，會(huì)上Intel高管Mark Bohr宣布Intel在22nm制程處理器中全面啟用三柵晶體管技術(shù)（也稱3D晶體管技術(shù)），他并表示三柵晶體管技術(shù)的啟用可以極大地減小晶體管的工作電壓，其實(shí)三柵晶體管

ARM：英特爾3D晶體管不會(huì)改變格局

ARM：英特爾3D晶體管不會(huì)改變格局

英特爾再掀科技革命 3D晶體管技術(shù)解析

2011年5月4日，英特爾公司宣布在晶體管發(fā)展上取得了革命性的重大突破。晶體管是現(xiàn)代電子設(shè)備的微小元件，自50多年前硅晶體管發(fā)明以來(lái)，3-D結(jié)構(gòu)晶體管史無(wú)前例將首次投入批量生產(chǎn)。英特將推出被稱為三柵級(jí)(Tri-Gate)

晶體管60年創(chuàng)新 22納米進(jìn)入3D時(shí)代

自從1947年晶體管問(wèn)世以來(lái)，晶體管技術(shù)飛速發(fā)展，為開(kāi)發(fā)更強(qiáng)大、成本效益更好、能效更高的產(chǎn)品鋪平了道路。要想按照摩爾定律的步調(diào)不斷進(jìn)步，就必須進(jìn)行大量創(chuàng)新。近期值得關(guān)注的創(chuàng)新成果是應(yīng)變硅（英特爾于2003年推

英特爾芯片設(shè)計(jì)獲重大突破 摩爾定律可延續(xù)

5月5日消息，據(jù)美聯(lián)社報(bào)道，英特爾周三表示，已重新設(shè)計(jì)了其芯片上的電子開(kāi)關(guān)（即晶體管），可使電腦不斷降低價(jià)格、功能變得更為強(qiáng)大。晶體管通常是扁的，英特爾通過(guò)加入第三維--“鰭”狀的突起物，能生產(chǎn)出更小的晶

英特爾3D晶體管芯片將先在美國(guó)和以色列量產(chǎn)

英特爾大連芯片廠總經(jīng)理柯必杰昨天透露，英特爾內(nèi)部目前具備22納米、3維晶體管芯片生產(chǎn)能力的工廠有5個(gè)，它們分別是在美國(guó)俄勒岡州的試驗(yàn)線D1D和D1C，在美國(guó)亞利桑那州的Fab-12和Fab-32，以及在以色列的Fab-28。

英特爾3D晶體管來(lái)勢(shì)洶洶　ARM不畏懼

英特爾(Intel)于日前宣布芯片設(shè)計(jì)創(chuàng)新，外界認(rèn)為，主要是為擺脫英國(guó)芯片大廠ARM的威脅。ARM對(duì)英特爾在微處理器行業(yè)的統(tǒng)治地位構(gòu)成挑戰(zhàn)。銷售收入居全球第1的芯片生產(chǎn)商英特爾，于5日公布最新3D三閘晶體管技術(shù)。該公司