晶體管
-
晶體管與繼電器等構成的過壓保護電路圖1
-
晶體管等構成的過壓保護電路圖
-
采用晶體管構成的軟啟動電路圖
-
外接驅動晶體管的電路圖
-
外接晶體管的擴流電路外接PNP開關管電路圖
-
外接晶體管的擴流電路外接NPN開關管電路圖
-
外接PNP晶體管的擴流電路圖
-
外接晶體管的擴流電路圖
-
采用M5237L外接晶體管構成的輸出1A，3.3V的穩(wěn)壓電源電路圖
-
電子鎮(zhèn)流器中采用聯棚晶體管的電路圖
-
Intel 22nm處理器將會采用FinFET工藝
前不久網絡上有一些關于22nm Ivy Bridge處理器的一些信息，近日我們收到消息稱：Intel將在22nm處理器上采用FinFET工藝技術，以保證處理器的集成度更高、漏電也更小。 FinFET稱為鰭式場效晶體管(FinField-effectt
-
外接晶體管的擴流電路圖
-
采用M5237L外接晶體管構成的輸出1A，3.3V的穩(wěn)壓電源電路圖
-
電子鎮(zhèn)流器中采用聯棚晶體管的電路圖
-
制作小型順風耳聽器的方法
本文向各位介紹的一部袖珍發(fā)射機，十分適合初學者，電路簡單易制，造價低廉，輸出功率不超過5－8mW，發(fā)射范圍在房屋區(qū)可至100米左右，用一部普通的FM收音機接收，顯示其靈敏度和清晰度俱佳，電路設計中最富挑戰(zhàn)性的部
-
應用材料公司拓展RFPVD技術實現22納米晶體管觸點制造
近日，應用材料公司拓展了其Applied Endura Avenir RF PVD系統的應用組合，實現了鎳鉑合金（NiPt）的沉積，將晶體管觸點的制造擴展至22納米及更小的技術節(jié)點。晶體管觸點上的高質量鎳鉑薄膜對于器件性能非常關鍵，但
-
Finfet+平面型架構混合體：傳Intel近期將公布22nm節(jié)點制程工藝細節(jié)
據消息來源透露，Intel公司近期可能會公開其22nm制程工藝的部分技術細節(jié)，據稱Intel的22nm制程工藝的SRAM部分將采用FinFET垂 直型晶體管結構，而邏輯電路部分則仍采用傳統的平面型晶體管結構。消息來源還稱Intel&ldq
-
傳Intel近期將公布22nm節(jié)點制程工藝細節(jié)
據消息來源透露，Intel公司近期可能會公開其22nm制程工藝的部分技術細節(jié)，據稱Intel的22nm制程工藝的SRAM部分將采用FinFET垂 直型晶體管結構，而邏輯電路部分則仍采用傳統的平面型晶體管結構。消息來源還稱Intel“很
-
應用材料發(fā)布突破性的3D晶體管技術
應用材料公司日前發(fā)布新的Applied Centura Conforma系統，采用突破性的投影等離子體摻雜技術（ConformalPlasma Doping），可實現先進的用于下一代邏輯和存儲芯片的3D晶體管結構。
-
Applied Materials發(fā)布突破性的3D晶體管技術
Applied Materials日前發(fā)布新的Applied Centura ConformaTM系統，采用突破性的投影等離子體摻雜技術（Conformal Plasma Doping），可實現先進的用于下一代邏輯和存儲芯片的3D晶體管結構。Applied Materials Unveils
