晶體管等構(gòu)成的過(guò)壓保護(hù)電路圖

采用晶體管構(gòu)成的軟啟動(dòng)電路圖

外接驅(qū)動(dòng)晶體管的電路圖

外接晶體管的擴(kuò)流電路外接PNP開(kāi)關(guān)管電路圖

外接晶體管的擴(kuò)流電路外接NPN開(kāi)關(guān)管電路圖

外接PNP晶體管的擴(kuò)流電路圖

外接晶體管的擴(kuò)流電路圖

采用M5237L外接晶體管構(gòu)成的輸出1A，3.3V的穩(wěn)壓電源電路圖

電子鎮(zhèn)流器中采用聯(lián)棚晶體管的電路圖

Intel 22nm處理器將會(huì)采用FinFET工藝

前不久網(wǎng)絡(luò)上有一些關(guān)于22nm Ivy Bridge處理器的一些信息，近日我們收到消息稱(chēng)：Intel將在22nm處理器上采用FinFET工藝技術(shù)，以保證處理器的集成度更高、漏電也更小。 FinFET稱(chēng)為鰭式場(chǎng)效晶體管(FinField-effectt

外接晶體管的擴(kuò)流電路圖

采用M5237L外接晶體管構(gòu)成的輸出1A，3.3V的穩(wěn)壓電源電路圖

電子鎮(zhèn)流器中采用聯(lián)棚晶體管的電路圖

制作小型順風(fēng)耳聽(tīng)器的方法

本文向各位介紹的一部袖珍發(fā)射機(jī)，十分適合初學(xué)者，電路簡(jiǎn)單易制，造價(jià)低廉，輸出功率不超過(guò)5－8mW，發(fā)射范圍在房屋區(qū)可至100米左右，用一部普通的FM收音機(jī)接收，顯示其靈敏度和清晰度俱佳，電路設(shè)計(jì)中最富挑戰(zhàn)性的部

應(yīng)用材料公司拓展RFPVD技術(shù)實(shí)現(xiàn)22納米晶體管觸點(diǎn)制造

近日，應(yīng)用材料公司拓展了其Applied Endura Avenir RF PVD系統(tǒng)的應(yīng)用組合，實(shí)現(xiàn)了鎳鉑合金（NiPt）的沉積，將晶體管觸點(diǎn)的制造擴(kuò)展至22納米及更小的技術(shù)節(jié)點(diǎn)。晶體管觸點(diǎn)上的高質(zhì)量鎳鉑薄膜對(duì)于器件性能非常關(guān)鍵，但

Finfet+平面型架構(gòu)混合體：傳Intel近期將公布22nm節(jié)點(diǎn)制程工藝細(xì)節(jié)

據(jù)消息來(lái)源透露，Intel公司近期可能會(huì)公開(kāi)其22nm制程工藝的部分技術(shù)細(xì)節(jié)，據(jù)稱(chēng)Intel的22nm制程工藝的SRAM部分將采用FinFET垂 直型晶體管結(jié)構(gòu)，而邏輯電路部分則仍采用傳統(tǒng)的平面型晶體管結(jié)構(gòu)。消息來(lái)源還稱(chēng)Intel&ldq

傳Intel近期將公布22nm節(jié)點(diǎn)制程工藝細(xì)節(jié)

據(jù)消息來(lái)源透露，Intel公司近期可能會(huì)公開(kāi)其22nm制程工藝的部分技術(shù)細(xì)節(jié)，據(jù)稱(chēng)Intel的22nm制程工藝的SRAM部分將采用FinFET垂 直型晶體管結(jié)構(gòu)，而邏輯電路部分則仍采用傳統(tǒng)的平面型晶體管結(jié)構(gòu)。消息來(lái)源還稱(chēng)Intel“很

應(yīng)用材料發(fā)布突破性的3D晶體管技術(shù)

應(yīng)用材料公司日前發(fā)布新的Applied Centura Conforma系統(tǒng)，采用突破性的投影等離子體摻雜技術(shù)（ConformalPlasma Doping），可實(shí)現(xiàn)先進(jìn)的用于下一代邏輯和存儲(chǔ)芯片的3D晶體管結(jié)構(gòu)。

Applied Materials發(fā)布突破性的3D晶體管技術(shù)

Applied Materials日前發(fā)布新的Applied Centura ConformaTM系統(tǒng)，采用突破性的投影等離子體摻雜技術(shù)（Conformal Plasma Doping），可實(shí)現(xiàn)先進(jìn)的用于下一代邏輯和存儲(chǔ)芯片的3D晶體管結(jié)構(gòu)。Applied Materials Unveils

功率MOSFET雪崩擊穿問(wèn)題分析

摘要：分析了功率MOSFET雪崩擊穿的原因，以及MOSFET故障時(shí)能量耗散與器件溫升的關(guān)系。和傳統(tǒng)的雙極性晶體管相比，反向偏置時(shí)MOSFET雪崩擊穿過(guò)程不存在“熱點(diǎn)”的作用，而電氣量變化卻十分復(fù)雜。寄生器件在