
如何構(gòu)建基于單個(gè)區(qū)域晶體管報(bào)警器 說(shuō)明 該電路具有自動(dòng)出/入延誤 - 計(jì)時(shí)貝爾/警報(bào)器截止 - 和系統(tǒng)重置。它為常開(kāi)和常閉開(kāi)關(guān)提供 - 并將滿(mǎn)足通常的輸入設(shè)備(壓力墊,磁簧,鋁箔膠帶,PIRs和慣性傳感器)。歡迎轉(zhuǎn)
如何建立個(gè)人報(bào)警器 零件: 1/4W電阻R1的33萬(wàn) 1/4W電阻R2的100轉(zhuǎn) C1的10nF的63V或陶瓷電容器聚酯 C2的100μF的25V的電解電容 第一季度BC547 45V的一○○毫安NPN晶體管 第二季度BC327 45V的
如何建立一個(gè)可擴(kuò)展的基于晶體管的防盜報(bào)警器 這是一個(gè)簡(jiǎn)單的晶體管的防盜報(bào)警電路。它的功能包括自動(dòng)出入境延誤 - 貝爾一起定時(shí)切斷復(fù)位。它的設(shè)計(jì)是與常閉輸入設(shè)備類(lèi)型,如通常使用 - 磁簧觸點(diǎn) - 微動(dòng)開(kāi)關(guān)
如何建立一個(gè)可擴(kuò)展的基于晶體管的防盜報(bào)警器 這是一個(gè)簡(jiǎn)單的晶體管的防盜報(bào)警電路。它的功能包括自動(dòng)出入境延誤 - 貝爾一起定時(shí)切斷復(fù)位。它的設(shè)計(jì)是與常閉輸入設(shè)備類(lèi)型,如通常使用 - 磁簧觸點(diǎn) - 微動(dòng)開(kāi)關(guān)
這里描述的電源把電壓從一節(jié)手電筒電池的1.5伏提高到LED所需的3.5伏,同時(shí)用電源把LED和手電筒電池串聯(lián)起來(lái)。設(shè)計(jì)這種電路是為了用LED對(duì)手電筒進(jìn)行改進(jìn)。增壓電路在有兩節(jié)電池的手電筒中將代替的一節(jié)電池,LED裝置則
該放大器在較高的輸出下能保持高保真的素質(zhì),可以對(duì)4Ω/8Ω的負(fù)載提供2×73/44瓦的輸出功率,失調(diào)電壓小于土40mV,輸入阻抗為100kΩ,諧波失真小于0.015%,互調(diào)失真小于0.02%,頻率范圍為1
間歇振蕩器工作原理 在圖8 - 9(a)中, 晶體管工作于共發(fā)射極方式, 其集電極電壓通過(guò)變壓器T反饋回基極, 而變壓器繞組的接法應(yīng)實(shí)現(xiàn)正反饋。 當(dāng)電路一接通, 立即產(chǎn)生強(qiáng)烈的自激振蕩, 晶體管迅速進(jìn)入飽和工作區(qū), 集電極
恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors今天宣布推出廣播發(fā)射機(jī)和工業(yè)用600W LDMOS超高頻(UHF)射頻功率晶體管BLF888A。恩智浦BLF888A是目前市場(chǎng)上功能最強(qiáng)大的LDMOS廣播發(fā)射機(jī)晶體管,支持470 - 860MHz完整超高頻帶DVB-T信號(hào)
法國(guó)兩家半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)CEA-Leti和Circuits Multi Projets日前宣布,他們將在一項(xiàng)定于明年9月份啟動(dòng)的300mm多項(xiàng)目晶片研究計(jì)劃中采用基于20nm制程的全耗盡型SOI工藝制作這種芯片。這次 多項(xiàng)目晶片研究計(jì)劃是由歐洲一
恩智浦半導(dǎo)體宣布推出廣播發(fā)射機(jī)和工業(yè)用600W LDMOS超高頻(UHF)射頻功率晶體管BLF888A。恩智浦BLF888A是目前市場(chǎng)上功能最強(qiáng)大的LDMOS廣播發(fā)射機(jī)晶體管,支持470 - 860MHz完整超高頻帶DVB-T信號(hào),平均輸出功率120W,效
圖中所示是用CMOS反相器組成的晶體管速測(cè)器.CMOS電路采用J330,該電路在設(shè)計(jì)上考慮到要驅(qū)動(dòng)TTL門(mén)電路,故輸出電流可達(dá)10MA以上.該晶體管速測(cè)器既可測(cè)晶體管的好壞,還可自動(dòng)指示出晶體管的類(lèi)型,基極位置或二極管的極性等