
近來(lái)在半導(dǎo)體制程微縮的進(jìn)展速度逐漸趨緩下,觀察未來(lái)的產(chǎn)業(yè)走勢(shì),明導(dǎo)國(guó)際(Mentor Graphics)董事兼執(zhí)行總裁阮華德(Walden C. Rhines)表示,未來(lái)10年內(nèi),制程微縮將遇到經(jīng)濟(jì)效益上的考慮,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將不再完全依循摩
過(guò)渡至65納米工藝的FPGA具備采用更小尺寸工藝所帶來(lái)的優(yōu)勢(shì):低成本、高性能和更強(qiáng)的邏輯能力。盡管這些優(yōu)勢(shì)能夠?yàn)楦呒?jí)系統(tǒng)設(shè)計(jì)帶來(lái)激動(dòng)人心的機(jī)會(huì),但65納米工藝節(jié)點(diǎn)本身也帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)。例如,在為產(chǎn)品選擇FPGA時(shí)
美國(guó)應(yīng)用材料公司(AMAT)發(fā)布了支持20nm工藝以后的存儲(chǔ)器及邏輯IC的新CVD技術(shù)“Eterna FCVD(Flowable CVD)”。在20nm以后的工藝中,即使采用與目前相同的存儲(chǔ)器單元構(gòu)造和晶體管構(gòu)造,隨著微細(xì)化的發(fā)展,隔離元件
據(jù)美國(guó)物理學(xué)家組織網(wǎng)、英國(guó)《自然》雜志網(wǎng)站8月12日?qǐng)?bào)道,美國(guó)哈佛大學(xué)化學(xué)家和工程師共同制造了一種最新的V形納米晶體管,外膜覆有一層磷脂雙分子層,能非常容易地進(jìn)入細(xì)胞內(nèi)部進(jìn)行檢測(cè),而不會(huì)對(duì)細(xì)胞造成任何可見(jiàn)
AVM公司在特拉華州美國(guó)地區(qū)法院對(duì)英特爾推出起訴,指控英特爾侵犯了它的一項(xiàng)芯片設(shè)計(jì)專(zhuān)利。AVM稱(chēng),它擁有一項(xiàng)名為“動(dòng)態(tài)邏輯電路”的技術(shù)專(zhuān)利,美國(guó)專(zhuān)利編號(hào)是5,859,547。這項(xiàng)專(zhuān)利是關(guān)于使用高速和低功率動(dòng)
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奔騰4芯片"動(dòng)態(tài)邏輯電路"涉嫌侵權(quán)遭起訴
作者:Walden C Rhines,Mentor Graphics(EDA設(shè)計(jì)公司)的董事長(zhǎng)及CEO,2008年它的銷(xiāo)售額為7.89億美元。在它的任期中公司的銷(xiāo)售額增長(zhǎng)一倍,自1999年以來(lái)在全球三家EDA公司(Big 3) 中其增長(zhǎng)率是最快的。在加入Mentor之
Diodes公司推出全新20V NPN及PNP雙極晶體管,它們采用超小型DFN1411-3表面貼裝封裝,能大大提升電源管理電路的功率密度和效率。該器件采用了Diodes第五代矩陣射極雙極工藝設(shè)計(jì) (5 matrix emitter Bipolar process)。
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Diodes公司推出全新20V NPN及PNP雙極晶體管,它們采用超小型DFN1411-3表面貼裝封裝,能大大提升電源管理電路的功率密度和效率。該器件采用了Diodes第五代矩陣射極雙極工藝設(shè)計(jì) (5 matrix emitter Bipolar process)。
Diodes公司推出全新20V NPN及PNP雙極晶體管,它們采用超小型DFN1411-3表面貼裝封裝,能大大提升電源管理電路的功率密度和效率。該器件采用了Diodes第五代矩陣射極雙極工藝設(shè)計(jì) (5 matrix emitter Bipolar process)。
針對(duì)A類(lèi)接口的讀寫(xiě)器不能對(duì)B類(lèi)CPU卡進(jìn)行讀寫(xiě)的問(wèn)題,介紹一種可以對(duì)3 V的B類(lèi)卡片進(jìn)行讀寫(xiě)的5 V 接觸式IC卡讀寫(xiě)器,闡述了其硬件電路結(jié)構(gòu)和單片機(jī)固件程序,介紹了對(duì)其進(jìn)行操作的簡(jiǎn)單上位機(jī)軟件。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,該讀寫(xiě)器結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、性能穩(wěn)定,對(duì)研制可同時(shí)操作3 V/5 V卡片的AB類(lèi)接口設(shè)備有指導(dǎo)意義。
東芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上,發(fā)布了采用09年開(kāi)始量產(chǎn)的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術(shù)。該技術(shù)為主要用于便攜產(chǎn)品及消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品的低功耗工藝技術(shù)。通過(guò)控制晶體管閾值電壓的經(jīng)時(shí)變化,可抑制SRAM的最