晶體管存貯時(shí)間測試電路

光電隔離器驅(qū)動 1A 晶體管集成電路

臺積電宣布已開發(fā)出22/20nm Finfet雙門立體晶體管制程

據(jù)electronicsweekly網(wǎng)站報(bào)道，臺積電公司近日宣稱已經(jīng)開發(fā)出一套采用Finfet雙門立體晶體管技術(shù)制作的高性能22/20nm CMOS制程，并已經(jīng)采用這種制程造出了面積僅0.1平方微米的SRAM單元(內(nèi)含6個(gè)CMOS微晶體管)，據(jù)稱這種

非一般的晶體管

“一個(gè)蝴蝶可以刮起一陣風(fēng)，一個(gè)士兵可以開始一場戰(zhàn)爭”，那么一項(xiàng)偉大的發(fā)明呢？1947年12月，美國貝爾實(shí)驗(yàn)室的肖克萊、巴丁和布拉頓組成的研究小組，研制出一種點(diǎn)接觸型的鍺晶體管。于是乎，大名鼎鼎的、

低噪聲放大器的設(shè)計(jì)與仿真

論述了在射頻電路仿真軟件ADS中實(shí)現(xiàn)低噪聲放大器的整個(gè)設(shè)計(jì)過程，包括低噪聲放大器的晶體管的選取、輸入輸出匹配網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)以及實(shí)現(xiàn)形式等。結(jié)合版圖與系統(tǒng)結(jié)構(gòu)框圖，論述該設(shè)計(jì)的微調(diào)小島與扇形開路支節(jié)等結(jié)構(gòu)應(yīng)用，同時(shí)指出結(jié)構(gòu)尺寸設(shè)計(jì)的理論依據(jù)。最終以圖形方式給出滿足指標(biāo)要求的設(shè)計(jì)結(jié)果。

人造皮膚可感知觸摸 用于制造有觸摸功能機(jī)器人

據(jù)9月12日出版的《自然·材料》雜志報(bào)道，兩個(gè)獨(dú)立的美國研究小組近日以不同方法分別研發(fā)出了可感知輕微觸摸的人造皮膚。新的人造皮膚最終可用于制作假肢或具有觸摸功能的機(jī)器人。 這兩種系統(tǒng)均可檢測到低于1千帕斯卡

美Rice大學(xué)研發(fā)出存儲器芯片新技術(shù)

美國Rice大學(xué)宣布研發(fā)出全球第1個(gè)僅需兩個(gè)端點(diǎn)的存儲器芯片技術(shù)，并可使用最普通的矽原料。此技術(shù)除可容易應(yīng)用至現(xiàn)有的半導(dǎo)體制程外，更可望幫助摩爾定律(Moore’s Law)繼續(xù)延伸。Rice 大學(xué)化學(xué)教授James Tour及

采用壓電振蕩器的白光LED供能方法

接收單電池供電的LED驅(qū)動器正受到廣泛關(guān)注。為由低電壓電源產(chǎn)生能夠點(diǎn)亮白光LED的高電壓，主要需要某種電子振蕩器，最簡單的為壓電蜂鳴 器。壓電轉(zhuǎn)換器特殊地用于振蕩器和驅(qū)動白光LED(圖1)。壓電模片或彎曲板組成壓電

利用Virtex-5 FPGA實(shí)現(xiàn)最低功耗解決方案

過渡至65納米工藝的FPGA具備采用更小尺寸工藝所帶來的優(yōu)勢：低成本、高性能和更強(qiáng)的邏輯能力。盡管這些優(yōu)勢能夠?yàn)楦呒壪到y(tǒng)設(shè)計(jì)帶來激動人心的機(jī)會，但65納米工藝節(jié)點(diǎn)本身也帶來了新的挑戰(zhàn)。例如，在為產(chǎn)品選擇FPGA時(shí)

阮華德：未來半導(dǎo)體發(fā)展已無法依循摩爾定律

近來在半導(dǎo)體制程微縮的進(jìn)展速度逐漸趨緩下，觀察未來的產(chǎn)業(yè)走勢，明導(dǎo)國際(MentorGraphics)董事兼執(zhí)行總裁阮華德(WaldenC.Rhines)表示，未來10年內(nèi)，制程微縮將遇到經(jīng)濟(jì)效益上的考慮，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將不再完全依循摩爾

阮華德：未來半導(dǎo)體發(fā)展已無法依循摩爾定律

近來在半導(dǎo)體制程微縮的進(jìn)展速度逐漸趨緩下，觀察未來的產(chǎn)業(yè)走勢，明導(dǎo)國際(Mentor Graphics)董事兼執(zhí)行總裁阮華德(Walden C. Rhines)表示，未來10年內(nèi)，制程微縮將遇到經(jīng)濟(jì)效益上的考慮，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將不再完全依循摩

利用Virtex-5 FPGA實(shí)現(xiàn)最低功耗解決方案

過渡至65納米工藝的FPGA具備采用更小尺寸工藝所帶來的優(yōu)勢：低成本、高性能和更強(qiáng)的邏輯能力。盡管這些優(yōu)勢能夠?yàn)楦呒壪到y(tǒng)設(shè)計(jì)帶來激動人心的機(jī)會，但65納米工藝節(jié)點(diǎn)本身也帶來了新的挑戰(zhàn)。例如，在為產(chǎn)品選擇FPGA時(shí)

支持三維構(gòu)造及30:1縱橫比AMAT發(fā)布用于20nm工藝以后的CVD技術(shù)

美國應(yīng)用材料公司（AMAT）發(fā)布了支持20nm工藝以后的存儲器及邏輯IC的新CVD技術(shù)“Eterna FCVD（Flowable CVD）”。在20nm以后的工藝中，即使采用與目前相同的存儲器單元構(gòu)造和晶體管構(gòu)造，隨著微細(xì)化的發(fā)展，隔離元件

新型納米晶體管可直接探測細(xì)胞內(nèi)部

據(jù)美國物理學(xué)家組織網(wǎng)、英國《自然》雜志網(wǎng)站8月12日報(bào)道，美國哈佛大學(xué)化學(xué)家和工程師共同制造了一種最新的V形納米晶體管，外膜覆有一層磷脂雙分子層，能非常容易地進(jìn)入細(xì)胞內(nèi)部進(jìn)行檢測，而不會對細(xì)胞造成任何可見

英特爾奔騰4芯片涉嫌侵犯專利遭起訴

AVM公司在特拉華州美國地區(qū)法院對英特爾推出起訴，指控英特爾侵犯了它的一項(xiàng)芯片設(shè)計(jì)專利。AVM稱，它擁有一項(xiàng)名為“動態(tài)邏輯電路”的技術(shù)專利，美國專利編號是5,859,547。這項(xiàng)專利是關(guān)于使用高速和低功率動

采用四只晶體管的調(diào)幅電路

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采用三只晶體管的調(diào)幅電路

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采用運(yùn)算放大器和達(dá)林頓晶體管的恒流源

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采用雙極性晶體管的基準(zhǔn)電源

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采用互補(bǔ)晶體管的基準(zhǔn)電源

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