晶體管

我要報錯

晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(guān)（如Relay、switch）不同，晶體管利用電訊號來控制自身的開合，而且開關(guān)速度可以非?？?，實驗室中的切換速度可達100GHz以上。2016年，勞倫斯伯克利國家實驗室的一個團隊打破了物理極限，將現(xiàn)有的最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm，完成了計算技術(shù)界的一大突破。

意法半導(dǎo)體（ST）發(fā)布突破性功率封裝，擴大 MDmesh™ V MOSFET晶體管的功率密度優(yōu)勢

意法半導(dǎo)體推出一款先進的高性能功率封裝，這項新技術(shù)將會提高意法半導(dǎo)體最新的MDmesh™ V功率MOSFET技術(shù)的功率密度。在一個尺寸僅為8x8mm的無引腳封裝外殼內(nèi)，全新1mm高的貼裝封裝可容納工業(yè)標準的TO-220大小

電源
2010-05-07

MOSFET 封裝晶體管 MESH
臺積電：摩爾定律將在10年后失效

臺積電研發(fā)副總裁蔣尚義日前在一次大會演講中表示，按臺積電現(xiàn)有芯片技術(shù)水平，摩爾定律將在10年后失效。　　以下是演講內(nèi)容概要：　　按臺積電現(xiàn)有芯片技術(shù)，摩爾定律將在10年后失效

消費電子
2010-05-06

摩爾定律臺積電 BSP 晶體管
臺積電研發(fā)副總裁：摩爾定律或10年后失效

（編譯/向北）北京時間4月28日消息，據(jù)國外媒體報道，臺積電研發(fā)副總裁蔣尚義日前在一次大會演講中表示，按臺積電現(xiàn)有芯片技術(shù)水平，摩爾定律將在10年后失效。以下是演講內(nèi)容概要：按臺積電現(xiàn)有芯片技術(shù)，摩爾

消費電子
2010-04-29

摩爾定律芯片技術(shù) 臺積電晶體管
ANADIGICS慶祝25年科技創(chuàng)新輝煌路

ANADIGICS公司日前在納斯達克股票市場敲響收市鐘聲，慶祝其在移動通信行業(yè)走過的25年輝煌之路。ANADIGICS成立于1985年，是高性能射頻集成電路(RFIC)設(shè)計技術(shù)的標桿企業(yè)。25年來，通過將其在射頻技術(shù)中的設(shè)計專長、通

消費電子
2010-04-28

RF BSP ANADIGICS 晶體管
適用消費電子的三電平H橋輸出D類放大器

音頻功率放大器無所不在，有音樂響起的地方就會有音頻放大器的身影，一代代的電子工程師在這個領(lǐng)域辛勤耕耘撒播智慧。音頻放大器是要以一定的音量和功率在揚聲器或耳機上真實、高效的重現(xiàn)聲音信號。真實和高效

消費電子
2010-04-23

消費電子三電平 D類放大器晶體管
三點式振蕩電路設(shè)計

三點式振蕩電路是指諧振回路的三個引出端點分別與三極管的三個電極相連接。1）三點式振蕩電路相們條件判斷準則圖5.3-3為三點式振蕩電路的一般形式?？勺C明，三點式振蕩電路滿足相位條件的判斷準則是：凡與晶體管發(fā)射

模擬
2010-04-23

電路設(shè)計回路振蕩電路晶體管
晶體管低頻放大器

各種類型低頻放大器，主要特點是，工作頻率范圍寬，放大信號的中心頻率從幾十赫至幾百千赫；這類放大器通常處于低頻多級放大器的前幾級，故稱前置放大器，它的輸入信號幅度很小，約幾到幾十毫伏或甚至更小，所以屬于

模擬
2010-04-21

放大器低頻靜態(tài)工作點晶體管
三點式振蕩電路設(shè)計

三點式振蕩電路是指諧振回路的三個引出端點分別與三極管的三個電極相連接。1）三點式振蕩電路相們條件判斷準則圖5.3-3為三點式振蕩電路的一般形式?？勺C明，三點式振蕩電路滿足相位條件的判斷準則是：凡與晶體管發(fā)射

數(shù)字電源
2010-04-20

電路設(shè)計回路振蕩電路晶體管
TSMC：跳過22納米，直接進入20納米工藝

臺積電(TSMC)前不久在美國加州圣荷西市舉行的技術(shù)研討會中，宣布將跳過22納米工藝直接發(fā)展20納米工藝。該公司表示，此系基于“為客戶創(chuàng)造價值”而作的決定，提供客戶一個更可行的先進工藝選擇。臺積電此次技術(shù)研討

消費電子
2010-04-19

研討會臺積電 TSMC 晶體管
張忠謀：全球半導(dǎo)體市場連好5年

4月15日早間消息，據(jù)臺灣媒體報道，臺灣晶圓代工龍頭臺積電昨(14)日在美國舉行年度技術(shù)論壇，董事長張忠謀表示，今明兩年全球半導(dǎo)體市場均將健康成長，2011至2014年呈溫和成長，年復(fù)合成長率達4.2%。張忠謀還稱，半導(dǎo)

電子設(shè)計自動化
2010-04-16

電子半導(dǎo)體市場臺積電晶體管
臺積電宣布直接使用20nm工藝，將在平板式晶體管上首先采用

臺灣臺積電（TSMC）在美國加利福尼亞州圣何塞舉行的“TSMC 2010 Technology Symposium”上，宣布將跳過22nm工藝節(jié)點，直接轉(zhuǎn)向20nm節(jié)點。據(jù)稱，直接轉(zhuǎn)向20nm工藝節(jié)點的背景，是因為確立了圖形（Patterning）技術(shù)及布

模擬
2010-04-16

平板節(jié)點臺積電晶體管
臺積電發(fā)展20奈米制程，2012年下半導(dǎo)入生產(chǎn)

臺積電(2330)于美西時間13日在加州圣荷西市舉行技術(shù)研討會，會中宣布將跳過22奈米制程，直接發(fā)展20奈米制程，預(yù)計于2012年下半開始導(dǎo)入生產(chǎn)。此次技術(shù)研討會有1500位客戶及合作廠商代表參與，臺積公司研究發(fā)展資深副

模擬
2010-04-14

芯片研討會臺積電晶體管
納米管RFID更好的條形碼

塑料RFID標簽將是第一款使用了打印的納米管晶體管的產(chǎn)品。無線射頻識別(RFID)標簽使得繳納通行費和公共交通費變得輕而易舉。但是由硅制成的標簽還是太貴，無法替代無處不在的條形碼通過遠程掃描仍在籃子里的貨物那樣

模擬
2010-04-13

RFID 條形碼 RFID標簽晶體管
隧道二極管與晶體管的組合使用

國產(chǎn)的隧道二極管全都是鍺材料做成的，其峰值電壓約為0.25伏左右，若這種鍺的遂道二極管要與硅晶體管并聯(lián)使用時，則遂道二極管BG2要串接反向二極管BG1（同了圖5（a），反向二極管是一種變種的隧道二極管，其峰點電流

工業(yè)控制
2010-04-10

電壓二極管電平晶體管
半導(dǎo)體業(yè)間的兼并不可避免？

半導(dǎo)體業(yè)間的兼并不可避免似乎己被廣泛地接受，如近期由日立和三菱半導(dǎo)體部組成的瑞薩，又與NEC合并組成新的瑞薩及AMD兼并ATI等。本文認為兼并發(fā)生在各個方面, 未來可能更會加劇。但是Mentor的市場分析師Merlyr Brun

電子設(shè)計自動化
2010-04-09

半導(dǎo)體市場圖像傳感器晶體管
英特爾32nm時代帶來了什么

一則30秒的汽車廣告需要750幀長度，按照20套英特爾5500處理器滿負荷運算，從頭掃到尾至少需要58個小時，如果換成5600系列CPU，只需40個小時，效率提升35%?！鄙虾；镁S數(shù)碼創(chuàng)意科技IT系統(tǒng)部總監(jiān)沈吟天告訴記者，這3

模擬
2010-04-02

英特爾摩爾定律數(shù)據(jù)中心晶體管
英特爾32nm時代帶來了什么？

一則30秒的汽車廣告需要750幀長度，按照20套英特爾5500處理器滿負荷運算，從頭掃到尾至少需要58個小時，如果換成5600系列CPU，只需40個小時，效率提升35%?！鄙虾；镁S數(shù)碼創(chuàng)意科技IT系統(tǒng)部總監(jiān)沈吟天告訴記者，這35%

模擬
2010-03-30

英特爾摩爾定律云計算晶體管
愛發(fā)科在第4代玻璃底板上制成氧化物半導(dǎo)體TFT

愛發(fā)科在730mm×920mm的大尺寸底板整個表面上制成了多個In-Ga-Zn-O（IGZO）透明非結(jié)晶氧化物半導(dǎo)體TFT（IGZO-TFT），并獲得了出色的晶體管特性。該底板由多個硅底板構(gòu)成，尺寸與第4代玻璃底板相當(dāng)。愛發(fā)科今后還計劃

模擬
2010-03-19

半導(dǎo)體 TFT AC 晶體管
恩智浦第四代高效率低飽和壓降晶體管亮相IIC China

恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors）最新推出的第四代低VCEsat (BISS-4)晶體管的前8種產(chǎn)品在IIC展會上吸引了很多觀眾的關(guān)注。之所以將這些晶體管稱為突破性小信號(BISS)晶體管，是因為它們?yōu)闇p少打開導(dǎo)通電阻確立了新

消費電子
2010-03-11

壓降 IIC CHINA 晶體管
最實用基本圖解電路27－晶體管停振型接近開關(guān)電路

最實用基本圖解電路共63幅，電路設(shè)計分析絕對佳作！僅供參考學(xué)習(xí)！

基礎(chǔ)實用電路
2010-03-09

開關(guān)電路接近開關(guān) WIDTH 晶體管

首頁上一頁 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 下一頁尾頁

晶體管

意法半導(dǎo)體（ST）發(fā)布突破性功率封裝，擴大 MDmesh™ V MOSFET晶體管的功率密度優(yōu)勢

臺積電：摩爾定律將在10年后失效

臺積電研發(fā)副總裁：摩爾定律或10年后失效

ANADIGICS慶祝25年科技創(chuàng)新輝煌路

適用消費電子的三電平H橋輸出D類放大器

三點式振蕩電路設(shè)計

晶體管低頻放大器

三點式振蕩電路設(shè)計

TSMC：跳過22納米，直接進入20納米工藝

張忠謀：全球半導(dǎo)體市場連好5年

臺積電宣布直接使用20nm工藝，將在平板式晶體管上首先采用

臺積電發(fā)展20奈米制程，2012年下半導(dǎo)入生產(chǎn)

納米管RFID更好的條形碼

隧道二極管與晶體管的組合使用

半導(dǎo)體業(yè)間的兼并不可避免？

英特爾32nm時代帶來了什么

英特爾32nm時代帶來了什么？

愛發(fā)科在第4代玻璃底板上制成氧化物半導(dǎo)體TFT

恩智浦第四代高效率低飽和壓降晶體管亮相IIC China

最實用基本圖解電路27－晶體管停振型接近開關(guān)電路

相關(guān)標簽

關(guān)注此標簽的用戶(人)

熱門活動

課程視頻