晶體管

我要報(bào)錯(cuò)

晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)（如Relay、switch）不同，晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合，而且開(kāi)關(guān)速度可以非?？?，實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。2016年，勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的一個(gè)團(tuán)隊(duì)打破了物理極限，將現(xiàn)有的最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm，完成了計(jì)算技術(shù)界的一大突破。

塑料晶體管誕生

普林斯頓大學(xué)的研究人員表示，通過(guò)將有機(jī)導(dǎo)體，半導(dǎo)體和絕緣體噴墨打印到一層昂貴的聚合物基板上可生成全塑晶體管，這種全塑晶體管可以大幅降低有機(jī)太陽(yáng)能電池的價(jià)格。Yueh-Lin (Lynn) Loo教授針對(duì)其全塑晶體

智能硬件
2010-05-09

晶體管 BSP 太陽(yáng)能電池電子
意法半導(dǎo)體（ST）發(fā)布突破性功率封裝，擴(kuò)大 MDmesh™ V MOSFET晶體管的功率密度優(yōu)勢(shì)

意法半導(dǎo)體推出一款先進(jìn)的高性能功率封裝，這項(xiàng)新技術(shù)將會(huì)提高意法半導(dǎo)體最新的MDmesh™ V功率MOSFET技術(shù)的功率密度。在一個(gè)尺寸僅為8x8mm的無(wú)引腳封裝外殼內(nèi)，全新1mm高的貼裝封裝可容納工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的TO-220大小

電源
2010-05-07

封裝 MOSFET MESH 晶體管
臺(tái)積電：摩爾定律將在10年后失效

臺(tái)積電研發(fā)副總裁蔣尚義日前在一次大會(huì)演講中表示，按臺(tái)積電現(xiàn)有芯片技術(shù)水平，摩爾定律將在10年后失效。　　以下是演講內(nèi)容概要：　　按臺(tái)積電現(xiàn)有芯片技術(shù)，摩爾定律將在10年后失效

消費(fèi)電子
2010-05-06

摩爾定律臺(tái)積電晶體管 BSP
臺(tái)積電研發(fā)副總裁：摩爾定律或10年后失效

（編譯/向北）北京時(shí)間4月28日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，臺(tái)積電研發(fā)副總裁蔣尚義日前在一次大會(huì)演講中表示，按臺(tái)積電現(xiàn)有芯片技術(shù)水平，摩爾定律將在10年后失效。以下是演講內(nèi)容概要：按臺(tái)積電現(xiàn)有芯片技術(shù)，摩爾

消費(fèi)電子
2010-04-29

摩爾定律芯片技術(shù) 臺(tái)積電晶體管
ANADIGICS慶祝25年科技創(chuàng)新輝煌路

ANADIGICS公司日前在納斯達(dá)克股票市場(chǎng)敲響收市鐘聲，慶祝其在移動(dòng)通信行業(yè)走過(guò)的25年輝煌之路。ANADIGICS成立于1985年，是高性能射頻集成電路(RFIC)設(shè)計(jì)技術(shù)的標(biāo)桿企業(yè)。25年來(lái)，通過(guò)將其在射頻技術(shù)中的設(shè)計(jì)專(zhuān)長(zhǎng)、通

消費(fèi)電子
2010-04-28

RF ANADIGICS 晶體管 BSP
適用消費(fèi)電子的三電平H橋輸出D類(lèi)放大器

音頻功率放大器無(wú)所不在，有音樂(lè)響起的地方就會(huì)有音頻放大器的身影，一代代的電子工程師在這個(gè)領(lǐng)域辛勤耕耘撒播智慧。音頻放大器是要以一定的音量和功率在揚(yáng)聲器或耳機(jī)上真實(shí)、高效的重現(xiàn)聲音信號(hào)。真實(shí)和高效

消費(fèi)電子
2010-04-23

消費(fèi)電子三電平 D類(lèi)放大器晶體管
三點(diǎn)式振蕩電路設(shè)計(jì)

三點(diǎn)式振蕩電路是指諧振回路的三個(gè)引出端點(diǎn)分別與三極管的三個(gè)電極相連接。1）三點(diǎn)式振蕩電路相們條件判斷準(zhǔn)則圖5.3-3為三點(diǎn)式振蕩電路的一般形式。可證明，三點(diǎn)式振蕩電路滿(mǎn)足相位條件的判斷準(zhǔn)則是：凡與晶體管發(fā)射

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2010-04-23

電路設(shè)計(jì) 回路振蕩電路晶體管
晶體管低頻放大器

各種類(lèi)型低頻放大器，主要特點(diǎn)是，工作頻率范圍寬，放大信號(hào)的中心頻率從幾十赫至幾百千赫；這類(lèi)放大器通常處于低頻多級(jí)放大器的前幾級(jí)，故稱(chēng)前置放大器，它的輸入信號(hào)幅度很小，約幾到幾十毫伏或甚至更小，所以屬于

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2010-04-21

放大器低頻靜態(tài)工作點(diǎn) 晶體管
三點(diǎn)式振蕩電路設(shè)計(jì)

三點(diǎn)式振蕩電路是指諧振回路的三個(gè)引出端點(diǎn)分別與三極管的三個(gè)電極相連接。1）三點(diǎn)式振蕩電路相們條件判斷準(zhǔn)則圖5.3-3為三點(diǎn)式振蕩電路的一般形式。可證明，三點(diǎn)式振蕩電路滿(mǎn)足相位條件的判斷準(zhǔn)則是：凡與晶體管發(fā)射

數(shù)字電源
2010-04-20

電路設(shè)計(jì) 回路振蕩電路晶體管
TSMC：跳過(guò)22納米，直接進(jìn)入20納米工藝

臺(tái)積電(TSMC)前不久在美國(guó)加州圣荷西市舉行的技術(shù)研討會(huì)中，宣布將跳過(guò)22納米工藝直接發(fā)展20納米工藝。該公司表示，此系基于“為客戶(hù)創(chuàng)造價(jià)值”而作的決定，提供客戶(hù)一個(gè)更可行的先進(jìn)工藝選擇。臺(tái)積電此次技術(shù)研討

消費(fèi)電子
2010-04-19

研討會(huì) 臺(tái)積電 TSMC 晶體管
張忠謀：全球半導(dǎo)體市場(chǎng)連好5年

4月15日早間消息，據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，臺(tái)灣晶圓代工龍頭臺(tái)積電昨(14)日在美國(guó)舉行年度技術(shù)論壇，董事長(zhǎng)張忠謀表示，今明兩年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)均將健康成長(zhǎng)，2011至2014年呈溫和成長(zhǎng)，年復(fù)合成長(zhǎng)率達(dá)4.2%。張忠謀還稱(chēng)，半導(dǎo)

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-04-16

半導(dǎo)體市場(chǎng) 臺(tái)積電晶體管電子
臺(tái)積電宣布直接使用20nm工藝，將在平板式晶體管上首先采用

臺(tái)灣臺(tái)積電（TSMC）在美國(guó)加利福尼亞州圣何塞舉行的“TSMC 2010 Technology Symposium”上，宣布將跳過(guò)22nm工藝節(jié)點(diǎn)，直接轉(zhuǎn)向20nm節(jié)點(diǎn)。據(jù)稱(chēng)，直接轉(zhuǎn)向20nm工藝節(jié)點(diǎn)的背景，是因?yàn)榇_立了圖形（Patterning）技術(shù)及布

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2010-04-16

平板節(jié)點(diǎn) 臺(tái)積電晶體管
臺(tái)積電發(fā)展20奈米制程，2012年下半導(dǎo)入生產(chǎn)

臺(tái)積電(2330)于美西時(shí)間13日在加州圣荷西市舉行技術(shù)研討會(huì)，會(huì)中宣布將跳過(guò)22奈米制程，直接發(fā)展20奈米制程，預(yù)計(jì)于2012年下半開(kāi)始導(dǎo)入生產(chǎn)。此次技術(shù)研討會(huì)有1500位客戶(hù)及合作廠(chǎng)商代表參與，臺(tái)積公司研究發(fā)展資深副

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2010-04-14

芯片研討會(huì) 臺(tái)積電晶體管
納米管RFID更好的條形碼

塑料RFID標(biāo)簽將是第一款使用了打印的納米管晶體管的產(chǎn)品。無(wú)線(xiàn)射頻識(shí)別(RFID)標(biāo)簽使得繳納通行費(fèi)和公共交通費(fèi)變得輕而易舉。但是由硅制成的標(biāo)簽還是太貴，無(wú)法替代無(wú)處不在的條形碼通過(guò)遠(yuǎn)程掃描仍在籃子里的貨物那樣

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2010-04-13

RFID 條形碼 RFID標(biāo)簽晶體管
隧道二極管與晶體管的組合使用

國(guó)產(chǎn)的隧道二極管全都是鍺材料做成的，其峰值電壓約為0.25伏左右，若這種鍺的遂道二極管要與硅晶體管并聯(lián)使用時(shí)，則遂道二極管BG2要串接反向二極管BG1（同了圖5（a），反向二極管是一種變種的隧道二極管，其峰點(diǎn)電流

工業(yè)控制
2010-04-10

電壓二極管電平晶體管
半導(dǎo)體業(yè)間的兼并不可避免？

半導(dǎo)體業(yè)間的兼并不可避免似乎己被廣泛地接受，如近期由日立和三菱半導(dǎo)體部組成的瑞薩，又與NEC合并組成新的瑞薩及AMD兼并ATI等。本文認(rèn)為兼并發(fā)生在各個(gè)方面, 未來(lái)可能更會(huì)加劇。但是Mentor的市場(chǎng)分析師Merlyr Brun

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-04-09

半導(dǎo)體市場(chǎng) 圖像傳感器晶體管
英特爾32nm時(shí)代帶來(lái)了什么

一則30秒的汽車(chē)廣告需要750幀長(zhǎng)度，按照20套英特爾5500處理器滿(mǎn)負(fù)荷運(yùn)算，從頭掃到尾至少需要58個(gè)小時(shí)，如果換成5600系列CPU，只需40個(gè)小時(shí)，效率提升35%?！鄙虾；镁S數(shù)碼創(chuàng)意科技IT系統(tǒng)部總監(jiān)沈吟天告訴記者，這3

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2010-04-02

英特爾摩爾定律數(shù)據(jù)中心晶體管
英特爾32nm時(shí)代帶來(lái)了什么？

一則30秒的汽車(chē)廣告需要750幀長(zhǎng)度，按照20套英特爾5500處理器滿(mǎn)負(fù)荷運(yùn)算，從頭掃到尾至少需要58個(gè)小時(shí)，如果換成5600系列CPU，只需40個(gè)小時(shí)，效率提升35%。”上?；镁S數(shù)碼創(chuàng)意科技IT系統(tǒng)部總監(jiān)沈吟天告訴記者，這35%

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2010-03-30

英特爾摩爾定律云計(jì)算晶體管
愛(ài)發(fā)科在第4代玻璃底板上制成氧化物半導(dǎo)體TFT

愛(ài)發(fā)科在730mm×920mm的大尺寸底板整個(gè)表面上制成了多個(gè)In-Ga-Zn-O（IGZO）透明非結(jié)晶氧化物半導(dǎo)體TFT（IGZO-TFT），并獲得了出色的晶體管特性。該底板由多個(gè)硅底板構(gòu)成，尺寸與第4代玻璃底板相當(dāng)。愛(ài)發(fā)科今后還計(jì)劃

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2010-03-19

半導(dǎo)體 TFT AC 晶體管
恩智浦第四代高效率低飽和壓降晶體管亮相IIC China

恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors）最新推出的第四代低VCEsat (BISS-4)晶體管的前8種產(chǎn)品在IIC展會(huì)上吸引了很多觀(guān)眾的關(guān)注。之所以將這些晶體管稱(chēng)為突破性小信號(hào)(BISS)晶體管，是因?yàn)樗鼈優(yōu)闇p少打開(kāi)導(dǎo)通電阻確立了新

消費(fèi)電子
2010-03-11

壓降 IIC CHINA 晶體管

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晶體管

塑料晶體管誕生

意法半導(dǎo)體（ST）發(fā)布突破性功率封裝，擴(kuò)大 MDmesh™ V MOSFET晶體管的功率密度優(yōu)勢(shì)

臺(tái)積電：摩爾定律將在10年后失效

臺(tái)積電研發(fā)副總裁：摩爾定律或10年后失效

ANADIGICS慶祝25年科技創(chuàng)新輝煌路

適用消費(fèi)電子的三電平H橋輸出D類(lèi)放大器

三點(diǎn)式振蕩電路設(shè)計(jì)

晶體管低頻放大器

三點(diǎn)式振蕩電路設(shè)計(jì)

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隧道二極管與晶體管的組合使用

半導(dǎo)體業(yè)間的兼并不可避免？

英特爾32nm時(shí)代帶來(lái)了什么

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