
Intel高級副總裁:Intel不懈努力尋求延續(xù)摩爾定律
敘述模擬集成電路設(shè)計中關(guān)于MOS管不匹配特性的一些基本概念,以及隨著加工尺寸的不斷減小,MOS管所引起的一系列短溝道效應(yīng),進而描述整個MOS管模型的發(fā)展歷史,以此說明一個精確模型對模擬電路設(shè)計的重要意義。然后進一步闡述因MOS管失配而引起電路性能變差,尤其是對整個D/A轉(zhuǎn)換器性能的影響;進而采用改進技術(shù),并對其進行了進一步驗證。針對放大器引起的失調(diào),介紹通過版圖設(shè)計消除失配的原理,并且運用電路設(shè)計方法進行消除,采用TSMC0.25μm標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝參數(shù)對其進行仿真驗證。針對D/A的電流源失配引起的電路性能變差,采用了電流源自校準(zhǔn)技術(shù),并對這種方法進行了仿真驗證,取得了不錯的成果。
本文講述了雙晶體管正激有源鉗位軟開關(guān)電源的工作原理,并給出實際產(chǎn)品雙晶體管的工作波形。該電路結(jié)構(gòu)中,功率開關(guān)管的電壓應(yīng)力小,并工作于ZVS導(dǎo)通和關(guān)斷,減小開關(guān)功耗,降低了EMI。
今年3月,美國專利商標(biāo)局評選出本年度15位入選“美國發(fā)明家名人堂”的科學(xué)家,賽靈思公司共同創(chuàng)辦人、FPGA(現(xiàn)場可編程門陣列)的發(fā)明者RossFreeman赫然在列。“美國發(fā)明家名人堂”是美國專利商標(biāo)
可導(dǎo)電的塑料將可催生更便宜、更薄也更具可撓性的電子組件,而這種技術(shù)已經(jīng)運用在部分電子產(chǎn)品上,例如Sony在今年夏天推出的隨身聽與Microsoft近日推出的Zune HD音樂播放機,都配備了OLED顯示器。 不過到目前為止,用
7月30日消息,50年前的今天,時任仙童半導(dǎo)體公司總經(jīng)理的羅伯特·諾伊斯(Robert Noyce)提交了一份專利申請,宣布可以利用平面制造工藝來生產(chǎn)半導(dǎo)體集成電路,這為全世界的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來了革命性的變化。1968年,諾
歲月如流,58年大學(xué)畢業(yè)至今,半個世紀(jì)已逝去,而往事卻歷歷在目,仿佛就發(fā)生在昨天,一幕又一幕…… 1、 走進微電子 56年毛主席,周總理為了發(fā)展我國的科學(xué)事業(yè),采取了四項緊急措施,其中之一就是加速半導(dǎo)體學(xué)科
發(fā)展歷程 根據(jù)ICKnowledge的歸納,可以把集成電路(IC)的發(fā)展歷程劃分為四個階段:即奠定基礎(chǔ)、激情創(chuàng)新、昂首闊步和走向成熟,每階段大約20年。 “奠定基礎(chǔ)”發(fā)生于上世紀(jì)四五十年代,此階段發(fā)明或提出了晶體管、集
瑞士聯(lián)邦理工學(xué)院(Swiss Federal Institute of Technology,ETH Zurich)的研究人員宣布,已利用單分子(molecule)開發(fā)出一種光學(xué)晶體管。 透過將激光束集中在單分子上,ETH Zurich的科學(xué)家只用單個分子就產(chǎn)生雷射光運
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近日臺積電宣布成功開發(fā)28nm技術(shù)工藝,配合雙╱三閘極氧化層制程,將32nm制程所使用的氮氧化硅/多晶硅材料延伸至28nm工藝制程,使得半導(dǎo)體可以持續(xù)往先進制程技術(shù)推進。此一制程技術(shù)的優(yōu)勢還包括高密度與低六晶體管
從技術(shù)到應(yīng)用 深入分析什么才是好CPU