芯片節(jié)能：由高性能到高效能引發(fā)變革

不知從何時(shí)起，芯片廠商將產(chǎn)品的宣傳語(yǔ)由“高性能”改成了“高效能”。“性能”在《現(xiàn)代漢語(yǔ)詞典》中的解釋是“機(jī)械或是其他工業(yè)制品對(duì)設(shè)計(jì)要求的滿足程度”，而“效能

臺(tái)積電明年32nm量產(chǎn) 22nm將2011年投產(chǎn)

根據(jù)臺(tái)積電最新技術(shù)藍(lán)圖，2009年32納米制程將放量生產(chǎn)，22納米制程則于2011年投產(chǎn)。臺(tái)積電研發(fā)副總孫元成指出，32納米制程之后晶體管成本快速增加，投入18吋(450mm)晶圓或許是進(jìn)一步降低成本方法之一，但預(yù)計(jì)最快要

英特爾計(jì)劃在IEDM上推出32納米工藝

在即將舉行的2008年IEEE國(guó)際電子器件大會(huì)(IEDM)，英特爾公司計(jì)劃發(fā)布其最新的用在高性能處理器上的32納米工藝技術(shù)。 根據(jù)IEDM文件，英特爾公司建立了一個(gè)基本的32納米、291兆比特的SRAM陣列測(cè)試芯片，單元尺寸為0.17

晶體管熱阻測(cè)試系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

晶體管雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)電路圖

常用的控制基極的晶體管電子繼電器

圖a為NPN型晶體管利用+Ec電源控制的電子繼電器。 圖b為NPN型晶體管接地控制電路。 圖c為PNP型晶體管利用-Ec控制的電子繼電器。 圖d是有自生偏壓的電子繼電器。 function resizeImage(evt,obj){ newX=evt.x; newY=e

晶體管放大倍數(shù)測(cè)試電路圖

晶體管fT挑選電路圖

臺(tái)積電將28納米制程定位為全世代制程

臺(tái)積電日前宣布，將28納米制程定位為全世代(Full Node)制程，同時(shí)提供客戶高介電層/金屬閘(High-k Metal Gate，HKMG)及氮氧化硅材料兩種選擇，以支持不同產(chǎn)品的應(yīng)用及效能需求。此一28納米制程預(yù)計(jì)于2010年第一季開始

2008首屆中國(guó)融合通信發(fā)展高峰論壇將隆重召開

為了推動(dòng)融合通信在中國(guó)的應(yīng)用和發(fā)展，2008年9月24日，“2008首屆中國(guó)融合通信發(fā)展高峰論壇”將在北京世紀(jì)金源大酒店隆重召開。 本次論壇由工業(yè)和信息化部科學(xué)技術(shù)司批準(zhǔn)，中國(guó)電信、中國(guó)聯(lián)通、中國(guó)移動(dòng)協(xié)

晶體管繼電器延時(shí)吸合電路圖

如圖是晶體管組成的繼電器延時(shí)吸合電路。剛接通電源時(shí)，16μF電容上電壓為零，兩個(gè)三極管都截止，繼電器不動(dòng)作。隨著16μF電容的充電，過一段時(shí)間后，其上電壓達(dá)到高電平，兩個(gè)三極管都導(dǎo)通，繼電器延時(shí)吸合。延時(shí)時(shí)

晶體管繼電器延時(shí)吸合電路圖

如圖是晶體管組成的繼電器延時(shí)吸合電路。剛接通電源時(shí)，16μF電容上電壓為零，兩個(gè)三極管都截止，繼電器不動(dòng)作。隨著16μF電容的充電，過一段時(shí)間后，其上電壓達(dá)到高電平，兩個(gè)三極管都導(dǎo)通，繼電器延時(shí)吸合。延時(shí)時(shí)

中波監(jiān)測(cè)寬帶天線放大器及其分配系統(tǒng)的制作

光電耦合器和晶體管組成的雙穩(wěn)態(tài)電路圖

如圖所示為由光電耦合器和晶體管組成的雙穩(wěn)態(tài)電路。在電源電壓接通瞬間的初始狀態(tài)，晶體管VT截止，該電路輸出高電位。當(dāng)輸入端加上正脈沖時(shí)，使VT的集電極電流增加，光電耦合器發(fā)光二極管發(fā)光，光敏三極管的集射間電

新微封裝的晶體管和二極管（安森美）

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充分立器件封裝系列，推出新微封裝的晶體管和二極管。

新微封裝的晶體管和二極管（安森美）

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充分立器件封裝系列，推出新微封裝的晶體管和二極管。