
如圖所示是具有限流保護(hù)的充電器。晶體管VT和電阻R3組成限流網(wǎng)絡(luò)。從圖中可知,電阻R3是晶體管VT的基極一發(fā)射極問(wèn)電阻,與被充電電池串聯(lián)在一起。充電電流流過(guò)電阻R3。當(dāng)充電電流過(guò)大時(shí),R3上的電壓降超過(guò)0.6V,就會(huì)
如圖所示為利用常用的電子元件自制電子盆景,放在居室內(nèi),閃閃發(fā)光,使?jié)M屋生輝,增添生活的歡樂(lè)和情趣。元器件選擇:IC1~I(xiàn)C4是兩片雙D觸發(fā)器CD4013;所有晶體管VT均選用9013等NPN型硅三極管,β>90。LED型號(hào)不拘
如圖所示為電容、頻率、晶體管在線(xiàn)檢測(cè)電路。本檢測(cè)器對(duì)電容、頻率、晶體管進(jìn)行檢測(cè)時(shí)可通過(guò)調(diào)節(jié)預(yù)置開(kāi)關(guān)K1來(lái)轉(zhuǎn)換。 將K1置于II可檢測(cè)電容。555和R8~R12及待測(cè)電容Cx組成單穩(wěn)定時(shí)電路,Cx容量越大,則脈沖越寬,即t
本電路圖所用到的元器件:CW117 CW217 CW317 600) {i=this.width; j=this.height; this.width=600; this.height=j/i*600;}" border=0> 如圖所示是具有限流保護(hù)的充電器。晶體管VT和電阻R3組成限流網(wǎng)絡(luò)。從圖中可知
近年來(lái),我國(guó)信息化高速發(fā)展帶來(lái)的服務(wù)器能耗問(wèn)題越來(lái)越受到關(guān)注。作為網(wǎng)絡(luò)的核心基礎(chǔ)設(shè)備,快速增長(zhǎng)的服務(wù)器帶來(lái)了巨大的電能消耗。英特爾數(shù)字企業(yè)事業(yè)部副總裁兼服務(wù)器平臺(tái)事業(yè)部總經(jīng)理 Kirk B.Skargen日前表示,“
本文介紹了采用安森美ThermalTrak器件消除高保真度大功率音頻放大器中的熱遲滯和偏置調(diào)整的新設(shè)計(jì)方法。
日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出采用可與無(wú)鉛 (Pb) 焊接兼容的 PLCC-2 表面貼裝封裝的新系列 VEMT 寬角光電晶體管。