
美國俄亥俄州市場分析機(jī)構(gòu)Freedonia的報(bào)告,包括化合物半導(dǎo)體材料在內(nèi),美國工業(yè)晶體管市場將在未來4年內(nèi),每年以6%的速度增長,到2011年將達(dá)到11億美元的市場規(guī)模。報(bào)告作者NedZimmerman指出化合物半導(dǎo)體材料的增長
6月15日消息,據(jù)國外媒體報(bào)道,英特爾銷售與市場推廣事業(yè)部副總裁兼亞太區(qū)總經(jīng)理蔣安邦不久前在接受采訪時(shí)稱,由于45納米晶體管的誕生,摩爾定律將至少再延續(xù)10年。蔣安邦在泰國曼谷接受采訪時(shí)稱,英特爾最新研發(fā)的4
飛兆半導(dǎo)體公司(FairchildSemiconductor)推出兩種全新的200mW數(shù)字晶體管系列,在目前市場上最小的封裝中集成了一個(gè)外接電阻偏置網(wǎng)絡(luò)。FJY30xx(NPN)和FJY40xx(PNP)系列專為開關(guān)、逆變器、接口及驅(qū)動(dòng)電路而量身定做,無
恩智浦半導(dǎo)體(NXP)近日發(fā)布了最新一代低VCEsat晶體管,與普通晶體管相比,其功率損耗可減少80%。恩智浦新型BISS(小信號擊穿)晶體管具有超低飽和電壓(1安培時(shí)低于60毫瓦)、高電路效率和更低的能源消耗,并能減少便
恩智浦半導(dǎo)體(由飛利浦創(chuàng)建的獨(dú)立半導(dǎo)體公司)日前發(fā)布了最新一代低VCEsat晶體管,與普通晶體管相比,其功率損耗可減少80%。恩智浦新型BISS(小信號擊穿)晶體管具有超低飽和電壓(1安培時(shí)低于60毫瓦)、高電路
曼徹斯特大學(xué)(UniversityofManchester)的研究人員與德國MaxPlanckInstitute的研究人員一起開發(fā)出采用一種新型材料的只有一個(gè)原子厚、不到50個(gè)原子寬的晶體管。這種被稱為graphene的物質(zhì)被描述二維材料,具有極高的晶
英特爾周一表示,將投資10億到15億美元重組位于新墨西哥的一家工廠,這個(gè)工廠準(zhǔn)備將2008年的下半年生產(chǎn)先進(jìn)的45納米晶體管芯片。 英特爾的發(fā)言人說,公司2007年的資本支出預(yù)計(jì)在53億美元到57億美元之間,他沒有透露
英特爾重組新墨西哥工廠 08年生產(chǎn)45納米芯片
英特爾公司宣布在基礎(chǔ)晶體管設(shè)計(jì)方面取得了一個(gè)最重大的突破,采用兩種完全不同以往的晶體管材料來構(gòu)建45納米晶體管的絕緣“墻”和切換“門”。在下一代英特爾®酷睿™2雙核、英特爾®酷睿™2四核以
在摩爾定律(認(rèn)為每隔24個(gè)月芯片上可集成的晶體管數(shù)量就會(huì)增加一倍)問世40年之后,半導(dǎo)體行業(yè)很多人都開始懷疑這一定律還能維持多久。現(xiàn)在,惠普一項(xiàng)新的芯片架構(gòu)研究將給予摩爾定律更長的生命力,并使技術(shù)行業(yè)的快速
美國惠普公司的科學(xué)家周二宣布,他們采用了一種納米科技成果,可以將單位面積芯片上的晶體管數(shù)量增加八倍。相當(dāng)于應(yīng)用了三輪摩爾定律。 惠普實(shí)驗(yàn)室的科學(xué)家威廉姆斯表示,這項(xiàng)技術(shù)的一個(gè)優(yōu)勢是,可以在短期之內(nèi)結(jié)出
英特爾開發(fā)浮體效應(yīng)晶體管
據(jù)海關(guān)總署統(tǒng)計(jì),中國大陸半導(dǎo)體分立器件2001~2005年出口額從13.76億美元增長到42.49億美元,年復(fù)合增長率達(dá)32.5%;進(jìn)口額從37.32億美元增長到112.47億美元,年復(fù)合增長率為31.7%,均稍低于出口增長率。2005年出口額