
據(jù)國外媒體報道,據(jù)研究人員和分析人士星期三稱,位于臺灣新竹北部的“國研院”納米元件實驗室成功地在一個小型芯片中封裝了更多的晶體管。這是迄今為止在這樣小的芯片中放入的最多的晶體管。這種新的微型芯片將導(dǎo)致
據(jù)國外媒體報道,據(jù)研究人員和分析人士星期三稱,位于臺灣新竹北部的“國研院”納米元件實驗室成功地在一個小型芯片中封裝了更多的晶體管。這是迄今為止在這樣小的芯片中放入的最多的晶體管。這種新的微型芯片將導(dǎo)致
聯(lián)電(2303)昨(10)日宣布在美國巴爾的摩所舉辦的2009國際電子組件會議(IEDM),發(fā)表28奈米制程混合型高介電系數(shù)/金屬閘極(HK/MG)技術(shù),聯(lián)電預(yù)計明年下半年量產(chǎn)28奈米,與臺積電落差拉近在半年以內(nèi)。 臺積電
東芝公司今天在美國馬里蘭州巴爾的摩市舉行的IEDM半導(dǎo)體技術(shù)會議上宣布,其20nm級CMOS工藝技術(shù)獲得了重大突破,開啟了使用體硅CMOS工藝制造下一代超大規(guī)模集成電路設(shè)備的大門,成為業(yè)界首個能夠投入實際生產(chǎn)的20nm級
620)this.width=620;" />
據(jù)國外媒體報道,美國科學(xué)家已經(jīng)研制出用另一種名叫鎵的元素替代半導(dǎo)體芯片中硅的方法。這種元素可以產(chǎn)生更快的電流。將銦、鎵和砷這三種金屬混合而成的晶體管比半導(dǎo)體芯片的導(dǎo)電速度快10倍。 鎵,尤其是砷化鎵(
“幫了自己大忙的是學(xué)位和人緣”、“在Selete(Semiconductor Leading Edge Technologies)公司,人脈擴大到了以前的10倍,在同志社大學(xué)又?jǐn)U大了10倍”--湯之上隆回顧自己輾轉(zhuǎn)職場的人生時這樣說。 筆者見到湯之
“幫了自己大忙的是學(xué)位和人緣”、“在Selete(Semiconductor Leading Edge Technologies)公司,人脈擴大到了以前的10倍,在同志社大學(xué)又?jǐn)U大了10倍”——湯之上隆回顧自己輾轉(zhuǎn)職場的人生時這樣說。 筆者見到湯之
連美國自己都難再復(fù)制的硅谷究竟有什么可被遠(yuǎn)在大洋彼岸的中國復(fù)制?“外來者”又應(yīng)該復(fù)制硅谷的什么東西以及如何給予支持?2004年的某一天,中國某高科技投資園區(qū)的幾位人員來到位于硅谷Menlo Park的Sand H
2009年IDF(英特爾開發(fā)者論壇)日前在美國舉行,作為全球半導(dǎo)體行業(yè)的風(fēng)向標(biāo),今年的IDF上,英特爾帶來了全球第一塊22納米制程技術(shù)的芯片,同時,還宣布推出智能手機平臺Moorestown,該平臺不僅能讓新一代的智能手機
Intel信息技術(shù)峰會,美國舊金山——2009秋季Intel信息技術(shù)峰會于9月22日至24日在美國舊金山舉行。下面是來自Intel的高級副總裁兼技術(shù)與制造事業(yè)部總經(jīng)理Bob Baker的講話,作為第一天主題演講的主要內(nèi)容及新聞亮點,他
本文將說明這種解決方案的重要性,并解釋應(yīng)用時需要知道的一些基礎(chǔ)理論。經(jīng)過深入研究后你會發(fā)現(xiàn)后續(xù)步驟只是簡單的點擊鼠標(biāo)而已。
2009秋季英特爾信息技術(shù)峰會于9月22日至24日在美國舊金山舉行。下面是Bob Baker第一天主題演講的主要內(nèi)容及新聞亮點。Bob Baker:“引領(lǐng)硅技術(shù)創(chuàng)新”(Silicon Leadership – Delivering Innovation)英
韓國科學(xué)家成功開發(fā)出一種全新的晶體管,其反應(yīng)速度和能源效率比現(xiàn)有晶體管更快更好,令不需啟動過程的電腦有望實現(xiàn)。韓國科學(xué)技術(shù)研究院(KIST)說,這種晶體管除了像現(xiàn)有晶體管般運用電流開關(guān),也運用電子的順時逆時