
引言 低噪聲放大器(LNA)是雷達(dá)、通信、電子對(duì)抗、遙測(cè)遙控等電子系統(tǒng)中關(guān)鍵的微波部件,有廣泛的應(yīng)用價(jià)值。由于微波系統(tǒng)的噪聲系數(shù)基本上取決于前級(jí)放大器的噪聲系數(shù),因此LNA噪聲系數(shù)的優(yōu)劣會(huì)直接影響整個(gè)系統(tǒng)性
Diodes公司推出一款額定1A的線性模式恒流LED驅(qū)動(dòng)器,專門(mén)用于降低包括手電筒、應(yīng)急照明,花園照明和池畔應(yīng)用等通用照明產(chǎn)品的尺寸和成本。高集成的DLD101 LED驅(qū)動(dòng)器采用優(yōu)化的小尺寸扁平DFN封裝,可為設(shè)計(jì)師節(jié)約大量
實(shí)現(xiàn)世界上最先進(jìn)的定制邏輯器件引言 Altera于2008年第二季度推出Stratix® IV和HardCopy® IV器件系列標(biāo)志著世界上首款40-nm FPGA和業(yè)界唯一 40-nm ASIC 無(wú)風(fēng)險(xiǎn)移植途徑的誕生。Altera 通過(guò)三年周密的規(guī)劃和
Diodes公司推出一款額定1A的線性模式恒流LED驅(qū)動(dòng)器,專門(mén)用于降低包括手電筒、應(yīng)急照明,花園照明和池畔應(yīng)用等通用照明產(chǎn)品的尺寸和成本。高集成的DLD101 LED驅(qū)動(dòng)器采用優(yōu)化的小尺寸扁平DFN封裝,可為設(shè)計(jì)師節(jié)約大量
Diodes公司推出一款額定1A的線性模式恒流LED驅(qū)動(dòng)器,專門(mén)用于降低包括手電筒、應(yīng)急照明,花園照明和池畔應(yīng)用等通用照明產(chǎn)品的尺寸和成本。高集成的DLD101 LED驅(qū)動(dòng)器采用優(yōu)化的小尺寸扁平DFN封裝,可為設(shè)計(jì)師節(jié)約大量
臺(tái)晶圓代工廠產(chǎn)能供應(yīng)失序情形,近期已逐漸從8寸晶圓向下蔓延到5寸及6寸晶圓,包括LCD驅(qū)動(dòng)IC及電源管理IC紛向下?lián)寠Z5寸、6寸晶圓產(chǎn)能動(dòng)作,讓許久未傳出缺貨的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)亦出現(xiàn)客戶一直緊急
臺(tái)晶圓代工廠產(chǎn)能供應(yīng)失序情形,近期已逐漸從8寸晶圓向下蔓延到5寸及6寸晶圓,包括LCD驅(qū)動(dòng)IC及電源管理IC紛向下?lián)寠Z5寸、6寸晶圓產(chǎn)能動(dòng)作,讓許久未傳出缺貨的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)亦出現(xiàn)客戶一直緊急
半導(dǎo)體特征尺寸正在向22/15nm的等級(jí)不斷縮小,傳統(tǒng)的平面型晶體管還能滿足要求嗎?有關(guān)這個(gè)問(wèn)題,業(yè)界已經(jīng)討論了很久?,F(xiàn)在,決定半導(dǎo)體制造技術(shù)發(fā)展方向的歷史拐點(diǎn)即將到來(lái),盡管IBM和Intel兩大陣營(yíng)在發(fā)展方式上會(huì)有
2010年1月7日,Intel將會(huì)借著CES 2010大展的機(jī)會(huì)正式發(fā)布首批32nm工藝處理器,包括桌面版Clarkdale和移動(dòng)版Arrandale。關(guān)于32nm,我們一般只知道它是個(gè)非常小的尺度,那么到底有多小呢?1、“nm”中文名納米
晶體管圖示儀是電路設(shè)計(jì)中常用的電子儀器,它能夠顯示晶體管的輸入特性、輸出特性和轉(zhuǎn)移特性等多種曲線和參數(shù)。它不僅可以測(cè)量晶體二極管和三極管,還可以測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管、隧道二極管、單結(jié)晶體管、可控硅和光耦
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,據(jù)研究人員和分析人士星期三稱,位于臺(tái)灣新竹北部的“國(guó)研院”納米元件實(shí)驗(yàn)室成功地在一個(gè)小型芯片中封裝了更多的晶體管。這是迄今為止在這樣小的芯片中放入的最多的晶體管。這種新的微型芯片將導(dǎo)致
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,據(jù)研究人員和分析人士星期三稱,位于臺(tái)灣新竹北部的“國(guó)研院”納米元件實(shí)驗(yàn)室成功地在一個(gè)小型芯片中封裝了更多的晶體管。這是迄今為止在這樣小的芯片中放入的最多的晶體管。這種新的微型芯片將導(dǎo)致
聯(lián)電(2303)昨(10)日宣布在美國(guó)巴爾的摩所舉辦的2009國(guó)際電子組件會(huì)議(IEDM),發(fā)表28奈米制程混合型高介電系數(shù)/金屬閘極(HK/MG)技術(shù),聯(lián)電預(yù)計(jì)明年下半年量產(chǎn)28奈米,與臺(tái)積電落差拉近在半年以內(nèi)。 臺(tái)積電
東芝公司今天在美國(guó)馬里蘭州巴爾的摩市舉行的IEDM半導(dǎo)體技術(shù)會(huì)議上宣布,其20nm級(jí)CMOS工藝技術(shù)獲得了重大突破,開(kāi)啟了使用體硅CMOS工藝制造下一代超大規(guī)模集成電路設(shè)備的大門(mén),成為業(yè)界首個(gè)能夠投入實(shí)際生產(chǎn)的20nm級(jí)
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據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,美國(guó)科學(xué)家已經(jīng)研制出用另一種名叫鎵的元素替代半導(dǎo)體芯片中硅的方法。這種元素可以產(chǎn)生更快的電流。將銦、鎵和砷這三種金屬混合而成的晶體管比半導(dǎo)體芯片的導(dǎo)電速度快10倍。 鎵,尤其是砷化鎵(
“幫了自己大忙的是學(xué)位和人緣”、“在Selete(Semiconductor Leading Edge Technologies)公司,人脈擴(kuò)大到了以前的10倍,在同志社大學(xué)又?jǐn)U大了10倍”--湯之上隆回顧自己輾轉(zhuǎn)職場(chǎng)的人生時(shí)這樣說(shuō)。 筆者見(jiàn)到湯之
“幫了自己大忙的是學(xué)位和人緣”、“在Selete(Semiconductor Leading Edge Technologies)公司,人脈擴(kuò)大到了以前的10倍,在同志社大學(xué)又?jǐn)U大了10倍”——湯之上隆回顧自己輾轉(zhuǎn)職場(chǎng)的人生時(shí)這樣說(shuō)。 筆者見(jiàn)到湯之