延續(xù)摩爾定律——Intel制造技術主題演講新聞發(fā)布
Intel信息技術峰會，美國舊金山——2009秋季Intel信息技術峰會于9月22日至24日在美國舊金山舉行。下面是來自Intel的高級副總裁兼技術與制造事業(yè)部總經理Bob Baker的講話，作為第一天主題演講的主要內容及新聞亮點，他的話語一經發(fā)表就在廣大技術愛好者中引起了強烈的反響。
演講主題：“引領硅技術創(chuàng)新”（Silicon Leadership – Delivering Innovation）
• 全球第一個可工作的22納米測試電路：Intel不懈努力尋求延續(xù)摩爾定律，讓最終用戶受益。 Intel公司發(fā)布了半導體制程技術中的又一個新突破，在單個芯片上整合更多的特性和更高的性能。這就是關于全球第一個可工作的22納米測試電路的演示。兩年前Intel展示了基于前一代32納米技術可工作的測試電路，而本次峰會則標志著第三代高k金屬柵極晶體管的誕生。最新發(fā)布的22納米技術證明了摩爾定律將繼續(xù)有效，并引領我們前進。
- 使用 SRAM 作為測試平臺，在處理器和其他邏輯芯片使用該制程技術之前證明其技術性能、工藝良率和芯片可靠性。
- Intel 22nm技術現(xiàn)在處于全速發(fā)展階段，按既定步調將“Tick-tock模式”推進到下一代。
- 該22納米測試電路包括用于22nm微處理器的SRAM存儲器和邏輯電路。
- 在 364兆位陣列中，有單位面積為0.108平方微米和0.092平方微米的SRAM單元在工作。0.108平方微米的單元為低電壓操作而優(yōu)化；而 0.092平方微米的單元為高密度而優(yōu)化，而且是迄今所知電路中能工作的最小的SRAM單元。該測試芯片在指甲蓋大小的面積上整合了29億個晶體管，密度大約是之前32納米芯片的兩倍。
- 22納米技術延續(xù)了摩爾定律：晶體管更小，每個晶體管能效（性能/每瓦）更高、成本更低。
• 高k金屬柵極技術風靡世界，出貨量超過2億顆：Intel從2007年第4季度開始出貨采用高k金屬柵極晶體管的CPU，目前仍是唯一一家具備此能力的公司。目前，采用高k金屬柵極晶體管的45納米CPU出貨量已將超過2億顆。Intel的32納米CPU制程技術已經通過認證，而Westmere CPU晶圓已經進入工廠生產線，計劃于第四季度向市場推出。Intel的32納米技術采用第二代高k金屬柵極晶體管，提高了性能并減少了漏電。
• 研發(fā)新動向 – 麻省理工學院的特邀嘉賓：Jesus Del Alamo教授來自麻省理工學院電氣工程系，他在本次峰會上探討了化合物半導體的前景，特別是用于未來邏輯制程的所謂III-V材料。他指出，基于III-V材料的晶體管速度，遠超過目前的硅晶體管，而工作電壓只有目前的一半（具有大幅降低能耗的潛力）。雖然因面臨重大挑戰(zhàn)而稍顯謹慎，但他注意到，全球越來越多的人在解決這些問題，并且已經取得了很快的進展。
• 面向片上系統(tǒng)（SoC）的32納米技術：Intel首次開發(fā)了全功能的SoC制程技術，以作為CPU專用技術的補充。該版本為手機、移動互聯(lián)網設備（MID）和嵌入式產品等應用提供了一系列豐富的功能；它還提供這些市場所需的更廣泛的性能與能耗選擇。
• 優(yōu)化NAND平臺：IntelSSD固態(tài)硬盤在現(xiàn)有的平臺和軟件上具有強大的性能。Intel高級院士兼Intel存儲技術部門總監(jiān)Rick Coulson跟大家探討了Intel在未來固態(tài)硬盤改進以及SSD和平臺的共同優(yōu)化上的研究方向，力圖在更低成本、更低功耗的基礎上達到更好的性能。
• 制造能力：Intel已經大幅改進了供應鏈，能夠積極、快速地響應客戶變更訂單的請求——響應速度提高了300%。制造周期減少了62%。僅僅在過去的12個月內，從客戶下訂單到交貨的時間縮短了25%。
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