二極管-晶體管或非門電路

10nm以后我們在開發(fā) 英特爾日本副社長阿部談MPU制造的未來

制造工藝的發(fā)展藍(lán)圖出處：美國英特爾的Press專用主頁（點(diǎn)擊放大） Tri-Gate的特點(diǎn)出處：美國英特爾的Press專用主頁。（點(diǎn)擊放大） 英特爾日本的阿部剛士（董事副社長兼技術(shù)開發(fā)和制造技術(shù)本部長）7月8日作為特

JX-1型晶體管恒溫自動(dòng)控制器電路

JHK-2型晶體管恒溫控制器電路

應(yīng)用材料突破性快速熱處理技術(shù)推動(dòng)20納米工藝發(fā)展

近日，應(yīng)用材料公司宣布推出Applied Vantage Vulcan快速熱處理(RTP)系統(tǒng)，推動(dòng)最先進(jìn)納米級晶體管制造的發(fā)展。該系統(tǒng)超越了當(dāng)前的RTP技術(shù)，將退火工藝的精確性和控制性提高到了一個(gè)新的水平，為芯片制造商減少了可變

臺(tái)積電或搶先英特爾一步推出3-D芯片堆疊產(chǎn)品

據(jù)臺(tái)灣對外貿(mào)易發(fā)展協(xié)會(huì)(TAITRA)透露，芯片代工巨頭臺(tái)積電（TSMC）有望超過intel，在2011年底推出業(yè)內(nèi)首款采用3-D芯片堆疊技術(shù)的半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品。 TAITRA的報(bào)告援引了一則匿名消息： Intel曾于今年5月表示，他們將于

臺(tái)積電或搶先英特爾一步推出3-D芯片堆疊產(chǎn)品

據(jù)臺(tái)灣對外貿(mào)易發(fā)展協(xié)會(huì)(TAITRA)透露，芯片代工巨頭臺(tái)積電（TSMC）有望超過intel，在2011年底推出業(yè)內(nèi)首款采用3-D芯片堆疊技術(shù)的半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品。 TAITRA的報(bào)告援引了一則匿名消息： Intel曾于今年5月表示，他們將于

應(yīng)用材料公司推出20納米世代的突破性快速熱處理技術(shù)

? 革命性的設(shè)計(jì)使應(yīng)用材料公司在多世代引領(lǐng)RTP技術(shù)的發(fā)展 ? 唯有RTP系統(tǒng)才能克服芯片上制約成品率的熱點(diǎn)，從而提高每片硅片上高性能芯片的產(chǎn)量 2011年7月6日，上?！眨瑧?yīng)用材料公司宣布推出Applied Van

臺(tái)積電年底有望推出首款3D芯片

據(jù)臺(tái)灣對外貿(mào)易發(fā)展協(xié)會(huì)(TAITRA)透露，芯片業(yè)代工巨頭臺(tái)積電公司可望于今年年底前推出業(yè)內(nèi)首款采用3D芯片堆疊技術(shù)的半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品。Intel 則曾于今年五月份表示，他們將于今年年底前開始量產(chǎn)結(jié)合了三門晶體管技術(shù)(臺(tái)

十年后半導(dǎo)體制程微縮之挑戰(zhàn)在成本而非技術(shù)

晶圓代工大廠臺(tái)積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示，在接下來十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進(jìn)行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見的，可直達(dá) 7納米節(jié)點(diǎn)；但在 7納米

臺(tái)積電年底有望推出首款3D芯片 能耗可降低50%

臺(tái)積電年底有望推出首款3D芯片 能耗可降低50%

FDSOI晶體管制造用晶圓產(chǎn)業(yè)已整裝待發(fā)

Intel，臺(tái)積電等巨頭企業(yè)已經(jīng)決定先后在22/14nm節(jié)點(diǎn)走上Finfet之路，這樣一來，另一條路--FDSOI方面的進(jìn)展?fàn)顩r便顯得格外引人注目。最近，在日本東京召開了2011年半導(dǎo)體技術(shù)國際會(huì)議（Symposium on VLSI Technology）

射頻集成電路半導(dǎo)體器件技術(shù)

近年來，無線通信市場的蓬勃發(fā)展，特別是移動(dòng)電話、無線因特網(wǎng)接入業(yè)務(wù)的興起使人們對無線通信技術(shù)提出了更高的要求。體積小、重量輕、低功耗和低成本是無線通信終端發(fā)展的方向，射頻集成電路技術(shù)（RFIC）在其中扮演

SOI工業(yè)協(xié)會(huì)組織宣告FDSOI晶體管制造用晶圓產(chǎn)業(yè)已整裝待發(fā)

Intel，臺(tái)積電等巨頭企業(yè)已經(jīng)決定先后在22/14nm節(jié)點(diǎn)走上Finfet之路，這樣一來，另一條路FDSOI方面的進(jìn)展?fàn)顩r便顯得格外引人注目。最近，在日本東京召開了2011年半導(dǎo)體技術(shù)國際會(huì)議（SymposiumonVLSITechnology），會(huì)

SOI晶圓供應(yīng)商稱為晶體管制造做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備

不久前在日本京都舉行的VLSI技術(shù)研討會(huì)上提交的研究結(jié)果顯示，采用超薄襯底的SOI晶圓和22納米工藝制造的器件和采用體硅晶圓、22納米工藝制造的器件相比，性能的提高達(dá)到了25%。包括MEMC、SEH、Soitec等在內(nèi)的幾家主要

SOI晶圓供應(yīng)商稱為晶體管制造做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備

不久前在日本京都舉行的VLSI技術(shù)研討會(huì)上提交的研究結(jié)果顯示，采用超薄襯底的SOI晶圓和22納米工藝制造的器件和采用體硅晶圓、22納米工藝制造的器件相比，性能的提高達(dá)到了25%。包括MEMC、SEH、Soitec等在內(nèi)的幾家主要

SOI工業(yè)協(xié)會(huì)組織宣告FDSOI晶體管制造用晶圓產(chǎn)業(yè)已整裝待發(fā)

Intel，臺(tái)積電等巨頭企業(yè)已經(jīng)決定先后在22/14nm節(jié)點(diǎn)走上Finfet之路，這樣一來，另一條路FDSOI方面的進(jìn)展?fàn)顩r便顯得格外引人注目。最近，在日本東京召開了2011年半導(dǎo)體技術(shù)國際會(huì)議（Symposium on VLSI Technology），

SOI晶圓供應(yīng)商稱為晶體管制造做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備

不久前在日本京都舉行的VLSI技術(shù)研討會(huì)上提交的研究結(jié)果顯示，采用超薄襯底的SOI晶圓和22納米工藝制造的器件和采用體硅晶圓、22納米工藝制造的器件相比，性能的提高達(dá)到了25%。包括MEMC、SEH、Soitec等在內(nèi)的幾家主要

飛思卡爾使用新型Airfast RF功率解決方案重新定義晶體管性能

硅片RF LDMOS功率晶體管的全球領(lǐng)先廠商飛思卡爾半導(dǎo)體 (NYSE: FSL)日前推出新型Airfast RF功率解決方案，旨在為全球無線基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備制造商提供RF功率產(chǎn)品，將性能和能效提升至新的高度。 Airfast系列是飛思卡爾推出

英特爾3D芯片將為醫(yī)療設(shè)備帶來革命性影響

英特爾公司開發(fā)了使用3D結(jié)構(gòu)的晶體管，這被稱為50余年微處理器設(shè)計(jì)的最大突破，并將投入大規(guī)模生產(chǎn)。英特爾公司在一份新聞稿中表示，三柵型設(shè)計(jì)師英特爾公司最早在2002年公布的，該產(chǎn)品的設(shè)計(jì)徹底擺脫了二維平面晶體