JF-40A晶體管脈沖電源前置放大器原理圖電路

采用三只晶體管的調(diào)幅電路

可伸縮石墨烯晶體管 克傳統(tǒng)半導體缺陷

據(jù)美國物理學家組織網(wǎng)報道，韓國科研人員制造出了一種以可伸縮的透明石墨烯作為基底的新型晶體管。由于石墨烯具有出色的光學、機械和電性質(zhì)，新型晶體管克服了由傳統(tǒng)半導體材料制成的晶體管面臨的很多問題。相關研究

半導體制程再微縮 經(jīng)濟效益慘淡

晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-YiChiang)在日前于美國舉行的ARM技術論壇(TechCon)上表示，在接下來十年以FinFET技術持續(xù)進行半導體制程微縮的途徑是清晰可見的，可直達7nm節(jié)點;但在7nm節(jié)點以下

半導體制程再微縮 經(jīng)濟效益慘淡

晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國舉行的ARM技術論壇(TechCon)上表示，在接下來十年以FinFET技術持續(xù)進行半導體制程微縮的途徑是清晰可見的，可直達 7nm節(jié)點;但在 7nm節(jié)點

半導體制程再微縮 經(jīng)濟效益慘淡

晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國舉行的ARM技術論壇(TechCon)上表示，在接下來十年以FinFET技術持續(xù)進行半導體制程微縮的途徑是清晰可見的，可直達 7nm節(jié)點;但在 7nm節(jié)點

十年后半導體制程微縮之挑戰(zhàn)在成本而非技術

晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國舉行的ARM技術論壇(TechCon)上表示，在接下來十年以FinFET技術持續(xù)進行半導體制程微縮的途徑是清晰可見的，可直達 7納米節(jié)點；但在 7納米

十年后半導體制程微縮之挑戰(zhàn)在成本而非技術

晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-YiChiang)在日前于美國舉行的ARM技術論壇(TechCon)上表示，在接下來十年以FinFET技術持續(xù)進行半導體制程微縮的途徑是清晰可見的，可直達7納米節(jié)點；但在7納米節(jié)

十年后半導體制程微縮之挑戰(zhàn)在成本而非技術

晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國舉行的ARM技術論壇(TechCon)上表示，在接下來十年以FinFET技術持續(xù)進行半導體制程微縮的途徑是清晰可見的，可直達 7納米節(jié)點，但在 7

十年后半導體制程微縮之挑戰(zhàn)在成本而非技術

晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國舉行的ARM技術論壇(TechCon)上表示，在接下來十年以FinFET技術持續(xù)進行半導體制程微縮的途徑是清晰可見的，可直達 7納米節(jié)點，但在 7納米

十年后半導體制程微縮之挑戰(zhàn)在成本而非技術

晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國舉行的ARM技術論壇(TechCon)上表示，在接下來十年以FinFET技術持續(xù)進行半導體制程微縮的途徑是清晰可見的，可直達 7納米節(jié)點；但在 7納米

22nm以下半導體光刻工藝最大挑戰(zhàn)將來自成本

晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國舉行的ARM技術論壇(TechCon)上表示，在接下來十年以FinFET技術持續(xù)進行半導體工藝光刻的途徑是清晰可見的，可直達7納米節(jié)點；但在7納米節(jié)

賽靈思發(fā)布利用68億個晶體管打造的可編程邏輯器件

21ic訊 賽靈思公司 （Xilinx, Inc.）日前宣布推出首批 Virtex®-7 2000T FPGA，這是利用68 億個晶體管打造的世界容量最大的可編程邏輯器件，為客戶提供了無與倫比的200 萬個邏輯單元，相當于 2,000 萬個 ASIC 門，

22納米3D晶體管技術

Intel在微處理器晶體管設計上取得重大突破，沿用50多年的傳統(tǒng)硅晶體管將實現(xiàn)3D架構，一款名為Tri-Gate的晶體管技術得到實現(xiàn)。 3D Tri-Gate晶體管使用了一個微薄的三維硅鰭片取代了傳統(tǒng)二維晶體管上的平面柵極，使

英特爾3D三柵極晶體管設計獲年度科技創(chuàng)新獎

10月21日上午消息，《華爾街日報》近日公布2011年“科技創(chuàng)新獎”，英特爾的3-D三柵極晶體管設計獲得半導體類別創(chuàng)新大獎。英特爾的3-D三柵極晶體管結構代表著從2-D平面晶體管結構的根本性轉變。這項革命性成果，其關鍵

Intel：22nm Ivy Bridge已開始量產(chǎn)

Intel在昨日的季度財務會議上公開確認，下一代新工藝22nm已經(jīng)正式投入批量生產(chǎn)。3-D立體晶體管就要來了，IvyBridge就要來了。IntelCEOPaulOtellini告訴分析人士：“第三季度內(nèi)，我們使用22nm工藝開始了IvyBridge的量

新式晶體管能傳輸質(zhì)子流 有望開發(fā)新設備

人類的各種用電器，從電燈泡到iPod都是通過電子來傳輸信息，而人體和其他生物自身卻是用離子和質(zhì)子來傳輸信號并執(zhí)行任務。據(jù)美國物理學家組織網(wǎng)近日報道，華盛頓大學材料科學家制造出一種能傳輸質(zhì)子流的新式晶體管，

科學家研制出新型鐵電晶體管隨機存取存儲器

據(jù)美國物理學家組織網(wǎng)近日報道，美國科學家們正在研制一種新的計算機存儲設備——鐵電晶體管隨機存取存儲器(FeTRAM)，其將比現(xiàn)在的商用存儲設備更快捷，且比占主流的閃存能耗更低。研究發(fā)表在美國化學學會

單極晶體管長時間定時器

半導體業(yè)將煥發(fā)新春 專家的新觀點

曾有人認為，過去幾十年給人類文明和科技進步帶來重大影響的半導體業(yè)已是日薄西山。但8日在美國硅谷出席一個科技會議的專家們指出，隨著無線通信等蓬勃發(fā)展，半導體業(yè)有望迎來新的春天。 硅谷最大的華人半導體專業(yè)組