28nm到14nm工藝代溝，全耗盡硅技術如何彌補？

今日的半導體行業(yè)正在經(jīng)歷著若干充滿挑戰(zhàn)性的轉型過程，不過這也為Soitec為市場與客戶創(chuàng)造新增加值帶來了巨大機遇。隨著傳統(tǒng)的CMOS技術的日薄西山——這一點從28nm巨大產(chǎn)量與20nm缺乏吸引力的規(guī)格與成本就可以看出，

28nm到14nm工藝代溝，全耗盡硅技術如何彌補？

今日的半導體行業(yè)正在經(jīng)歷著若干充滿挑戰(zhàn)性的轉型過程，不過這也為Soitec為市場與客戶創(chuàng)造新增加值帶來了巨大機遇。隨著傳統(tǒng)的CMOS技術的日薄西山——這一點從28nm巨大產(chǎn)量與20nm缺乏吸引力的規(guī)格與成本就可以看出，

晶體管的相關知識介紹

　(一)晶體管材料與極性的判別　　1.從晶體管的型號命名上識別其材料與極性 國產(chǎn)晶體管型號命名的第二部分用英文字母A"D表示晶體管的材料和極性。其中，“A”代表鍺材料PNP型管，“B”代表鍺材料

SoC低電壓SRAM技術介紹

東芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上，發(fā)布了采用09年開始量產(chǎn)的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術。該技術為主要用于便攜產(chǎn)品及消費類產(chǎn)品的低功耗工藝技術。通過控制晶體管閾值電壓的經(jīng)時變化，可抑

具有助推晶體管的12W低噪音音頻放大器電路

晶體管驅動電路圖

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臺聯(lián)電購IBM 3D晶體管技術 代工前景依然樂觀

近日，臺灣芯片代工企業(yè)臺聯(lián)電宣布，其已經(jīng)獲得IBM 20nm COMS處理器的專利授權，另外還包括FinFET 3D晶體管技術專利，得以進行20nm以及3D芯片的開發(fā)研制。在3D晶體管這一CPU新興熱點上，臺聯(lián)電獲邁出了重要的一步，這

IBM授權聯(lián)電業(yè)界第二家使用3D晶體管工藝

據(jù)國外媒體報道，臺灣芯片代工大廠聯(lián)電（UMC）上周末與IBM簽署了一項協(xié)議，前者將在后者幫助下研發(fā)并推出20nm CMOS制程工藝，并引入FinFET即3D晶體管技術。 聯(lián)電官方表態(tài)稱，IBM將其20nm制程工藝整套設計和FinFET

控制基極的晶體管電子繼電器電路圖

如圖所示。圖a為NPN型晶體管利用+Ec電源控制的電子繼電器。 圖b為NPN型晶體管接地控制電路。 圖c為PNP型晶體管利用-Ec控制的電子繼電器。 圖d是有自生偏壓的電子繼電器。

雙極性步進電機驅動電路圖

雙極性步進電機的驅動電路如圖所示，它會使用八顆晶體管來驅動兩組相位。雙極性驅動電路可以同時驅動四線式或六線式步進電機，雖然四線式電機只能使用雙極性驅動電路，它卻能大幅降低量產(chǎn)型應用的成本。雙極性步進電

基于壓電振蕩器的白光LED供能方法

接收單電池供電的LED驅動器正受到廣泛關注。為由低電壓電源產(chǎn)生能夠點亮白光LED的高電壓，主要需要某種電子振蕩器，最簡單的為壓電蜂鳴 器。壓電轉換器特殊地用于振蕩器和驅動白光LED(圖1)。壓電模片或彎曲板組成壓電

聯(lián)電、IBM 合攻20納米市場

晶圓代工廠聯(lián)電（2303）昨（29）日宣布與IBM簽訂技術授權合約，將以3D架構的鰭式場效晶體管（FinFET），促進次世代尖端20納米CMOS制程的開發(fā)，以加速聯(lián)電次世代尖端技術的研發(fā)時程。 根據(jù)聯(lián)電及IBM的協(xié)議，IBM將

簡單的晶體管逆變器電路圖

在偏遠鄉(xiāng)村，經(jīng)常會有停電現(xiàn)象，有些大學到一定時間也會自動關燈，不過這沒關系，有了它，這些就可以解決。這是一款非常容易制作的逆變器，可以將１２Ｖ電源電壓變?yōu)椋玻玻埃质须?，電路由ＢＧ２和ＢＧ３組成的多諧振

B類放大器設計

B類放大器工作原理 圖9.6顯示的是在時間軸上，B類( class B)放大器輸出與輸入波形的比較。 B類放大器偏壓在截止點，所以ICQ=0且VcsQ=VCE(cutoff)。當輸入信號使晶體管進入導通狀態(tài)時，晶體管將離開截止點而

簡單的晶體管逆變器電路圖

在偏遠鄉(xiāng)村，經(jīng)常會有停電現(xiàn)象，有些大學到一定時間也會自動關燈，不過這沒關系，有了它，這些就可以解決。這是一款非常容易制作的逆變器，可以將１２Ｖ電源電壓變?yōu)椋玻玻埃质须?，電路由ＢＧ２和ＢＧ３組成的多諧振

日本開發(fā)出新型晶體管 可將半導體IC耗電量降至十分之一

據(jù)日本媒體報道，日本北海道大學和科學技術振興機構于6月13日發(fā)布消息稱，已成功開發(fā)出新型晶體管，能夠將用于個人電腦(PC)等的半導體集成電路的耗電量削減至十分之一以下。該晶體管應用了江崎玲于奈榮獲諾貝爾物理學

晶體管的檢測方法大全

晶體管的檢測： 1、檢測小功率晶體二極管 　　A、判別正、負電極 　　(a)、觀察外殼上的的符號標記。通常在二極管的外殼上標有二極管的符號，帶有三角形箭頭的一端為正極，另一端是負極。 　　(b)、觀察外

小型順風耳聽器的制作方法

本文向各位介紹的一部袖珍發(fā)射機，十分適合初學者，電路簡單易制，造價低廉，輸出功率不超過5－8mW，發(fā)射范圍在房屋區(qū)可至100米左右，用一部普通的FM收音機接收，顯示其靈敏度和清晰度俱佳，電路設計中最富挑戰(zhàn)性的部

3D工藝再次引發(fā)IC業(yè)發(fā)展模式之爭

2012年4月23日，英特爾宣布采用3D三柵極晶體管設計，最小線寬為22納米的Ivy Bridge微處理器量產(chǎn)成功，并于4月29日開始全球銷售。據(jù)公布的資料顯示，該系列CPU擁有14億只晶體管，芯片面積僅為25毫米×25毫米，由于首次