新的熱量模型可以幫助醫(yī)療電子設備持續(xù)更長時間

（文章來源：攜手健康網(wǎng)） 總部位于伊利諾伊大學的工程師團隊發(fā)現(xiàn)，當前用于預測普通半導體材料中熱損失的模型并不適用于所有情況。通過測試使用四種常用方法制造的氮化鎵半導體的熱性能，研究小組發(fā)

結構疲勞損傷演化過程及度量

一、疲勞損傷過程的不同階段 疲勞損傷過程是交變載荷作用而引起的結構材料性能衰減的過程，也是微裂紋的形成及擴展的過程。實驗觀察表明，無缺陷金屬和合金等工業(yè)材料，疲勞微裂紋總是在自由表面處形成，有三類形核位置，主要是駐留滑移帶（Persistent Slip B

MOSFET和三極管的區(qū)別在哪？你知道嗎？

你知道MOSFET和三極管的區(qū)別嗎?MOSFET是一種在模擬電路和數(shù)字電路中都應用的非常廣泛的一種場效晶體管。三極管也成為雙極型晶體管，他能夠控制電流的的流動，將較小的信號放大成為幅值較高的電信號。MOSFET和三極管都有ON狀態(tài)，那么在處于ON狀態(tài)時，這兩者有什么區(qū)別呢?

DigiLens與水晶光電聯(lián)手，推出低成本的AR顯示器

（文章來源：電子工程世界） AR全息波導顯示技術的創(chuàng)新者DigiLens 宣布將與水晶光電攜手擴張中國市場， 林曉書擔任其駐中國區(qū)總經(jīng)理。 水晶光電是光學鍍膜、AR光學和半導體光學的頂級

華為P40系列多款特色保護殼公布 專為游戲、潛水設計！

今晚9點，華為舉辦了華為P40系列全球線上發(fā)布會，在會上，除了展示華為最新旗艦機型華為P40系列外，還介紹了多款為華為P40系列推出的官方特色保護殼，不僅僅樣式多樣，其功能也非常有趣，讓我們來看看吧。

無污染無公害！X射線成像揭示了一種天然滅蚊化合物的殺蚊機理

許多用來阻止或消滅攜帶疾病的蚊子的化學物質會污染生態(tài)系統(tǒng)，并推動更多有問題的抗殺蟲劑物種的進化。慶幸的是，我們很快就會有更好的選擇。 據(jù)外媒報道，近日，由格勒諾布爾阿爾卑斯大學領導的并在《自然通訊》上

臺積電麒麟 985量產(chǎn) 華為Mate 30將率先搭載

近日外媒報道，華為下一代麒麟旗艦芯片985目前交給臺積電進行批量生產(chǎn)麒麟985芯片。據(jù)悉，華為旗艦機Mate 30系列將搭載的麒麟985芯片，該芯片是基于臺積電7nm+EUV(極紫外光刻工藝)工藝，這也是臺積電首次生產(chǎn)EUV光刻技術。

基于圖像處理的石英晶體片分選技術

晶體控制振蕩器

又薄又軟的半導體新材料可制微納光電器件

性質柔軟、厚度只有幾納米、光學性能良好……記者近日從南京工業(yè)大學獲悉，該校王琳教授課題組制備出一種超薄的高質量二維碘化鉛晶體，并且通過它實現(xiàn)了對二維過渡金屬硫化物材料光學性質的調控，為制造太陽能電池、光電探測器提供了新思路。該成果發(fā)表在最新一期國際期刊《先進材料》上。

芯片公司技術即將到達極限，創(chuàng)新是否停止了？

數(shù)十年來，芯片制造商和整個社會都受益于摩爾定律。摩爾定律以一種快速而可預測的速度，提供了更強大、更廉價的計算能力。眾所周知，這條規(guī)律實際上是兩種趨勢——芯片速度變快和芯片尺寸縮小。就像上了發(fā)條一樣，晶體管密度每兩年翻一番，計算能力也相應提高。

中國電科成功制備4英寸氧化鎵單晶

近日，中國電科46所經(jīng)過多年氧化鎵晶體生長技術探索，通過改進熱場結構、優(yōu)化生長氣氛和晶體生長工藝，有效解決了晶體生長過程中原料分解、多晶形成、晶體開裂等問題，采用導模法成功制備出高質量的4英寸氧化鎵單晶。

晶體三極管結構及工作原理簡述

;;; 1．結構;;; 圖3-1是NPN型三極管結構示意圖。三極管由三塊半導體構成，對于NPN型三極管而言，由兩塊N型和一塊P3型半導體組成，P型半導體在中間，兩塊N型半導體在兩側，各

晶體三極管的特點是具有電流放大作用

英特爾開發(fā)出堆疊電路 這是要奪回芯片制造領先地位？

英特爾公司近日宣布，已開發(fā)出一種將計算電路堆疊在一起的方法，希望重新奪回其在芯片制造技術方面的領先地位。

微處理器用石英晶體諧振器

什么是晶體二極管？

晶體二極管在電路中常用“D”加數(shù)字表示，如： D5表示編號為5的二極管。 1、作用：二極管的主要特性是單向導電性，也就是在正向電壓的作用下，導通電阻很??；

你必須知道的MCU外接晶體及振蕩電路

很多MCU開發(fā)者對MCU晶體兩邊要各接一個對地電容的做法表示不理解，因為這個電容有時可以去掉。筆 者參考了很多書籍，卻發(fā)現(xiàn)書中講解的很少，提到最多的往往是：對地電容具穩(wěn)

選擇性發(fā)射極晶體硅太陽電池實現(xiàn)方法分析

所謂選擇性發(fā)射極（SE-selectiveemiter）晶體硅太陽電池，即在金屬柵線（電極）與硅片接觸部位進行重摻雜，在電極之間位置進行輕摻雜。這樣的結構可降低擴散層復合，由此可

晶體硅太陽能電池的絲網(wǎng)印刷技術