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大陸晶圓廠概況
大陸第一波密集興建8寸晶圓廠的熱潮是在2000年左右開(kāi)始，華虹半導(dǎo)體成立于1997年，中芯半導(dǎo)體2000年成立，而上海宏力半導(dǎo)體也成立于2000年，之后具有聯(lián)電色彩的和艦半導(dǎo)體2001年在大陸蘇州成立，2003年正式投產(chǎn)，臺(tái)積
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縮短開(kāi)發(fā)時(shí)程 晶圓廠競(jìng)逐FinFET混搭制程
一線晶圓廠正紛紛以混搭20奈米制程的方式，加速14或16奈米鰭式電晶體(FinFET)量產(chǎn)腳步。包括IBM授權(quán)技術(shù)陣營(yíng)中的聯(lián)電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆預(yù)計(jì)在2014年以14奈米FinFET前段閘極結(jié)合20奈米后
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蘋(píng)果16/14nm恐分散下單 里昂:臺(tái)積仍能占6成
蘋(píng)果于23日美國(guó)股市收盤(pán)后揭露2013會(huì)計(jì)年度Q3(4~6月)財(cái)報(bào)，單季營(yíng)收微幅年增0.86%來(lái)到353.23億美元，優(yōu)于分析師預(yù)期，也激勵(lì)蘋(píng)果盤(pán)后大漲4%。而隨著蘋(píng)果歷經(jīng)近半年的沉潛后，包括低價(jià)版iPhone、iPhone5S、iPhone6等新
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晶圓廠的FinFET混搭制程競(jìng)賽
一線晶圓廠正紛紛以混搭20奈米制程的方式，加速14或16奈米鰭式電晶體(FinFET)量產(chǎn)腳步。包括IBM授權(quán)技術(shù)陣營(yíng)中的聯(lián)電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆預(yù)計(jì)在2014年以14奈米FinFET前段閘極結(jié)合20奈米后
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市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈 晶圓廠競(jìng)逐FinFET混搭制程
一線晶圓廠正紛紛以混搭20奈米制程的方式，加速14或16奈米鰭式電晶體(FinFET)量產(chǎn)腳步。包括IBM授權(quán)技術(shù)陣營(yíng)中的聯(lián)電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆預(yù)計(jì)在2014年以14奈米FinFET前段閘極結(jié)合20奈米后
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縮短開(kāi)發(fā)時(shí)程 晶圓廠競(jìng)逐FinFET混搭制程
一線晶圓廠正紛紛以混搭20奈米制程的方式，加速14或16奈米鰭式電晶體(FinFET)量產(chǎn)腳步。包括IBM授權(quán)技術(shù)陣營(yíng)中的聯(lián)電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆預(yù)計(jì)在2014年以14奈米FinFET前段閘極結(jié)合20奈米后
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大陸晶圓廠概況
大陸第一波密集興建8寸晶圓廠的熱潮是在2000年左右開(kāi)始，華虹半導(dǎo)體成立于1997年，中芯半導(dǎo)體2000年成立，而上海宏力半導(dǎo)體也成立于2000年，之后具有聯(lián)電色彩的和艦半導(dǎo)體2001年在大陸蘇州成立，2003年正式投產(chǎn)，臺(tái)積
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蘋(píng)果16/14nm恐分散下單。里昂:臺(tái)積仍能占6成
蘋(píng)果于23日美國(guó)股市收盤(pán)后揭露2013會(huì)計(jì)年度Q3(4~6月)財(cái)報(bào)，單季營(yíng)收微幅年增0.86%來(lái)到353.23億美元，優(yōu)于分析師預(yù)期，也激勵(lì)蘋(píng)果盤(pán)后大漲4%。而隨著蘋(píng)果歷經(jīng)近半年的沉潛后，包括低價(jià)版iPhone、iPhone 5S、iPhone 6等
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縮短開(kāi)發(fā)時(shí)程 晶圓廠競(jìng)逐FinFET混搭制程
一線晶圓廠正紛紛以混搭20奈米制程的方式，加速14或16奈米鰭式電晶體(FinFET)量產(chǎn)腳步。包括IBM授權(quán)技術(shù)陣營(yíng)中的聯(lián)電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆預(yù)計(jì)在2014年以14奈米FinFET前段閘極結(jié)合20奈米后
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分析師質(zhì)疑聯(lián)電在廈門(mén)建晶圓廠的合理性
多家臺(tái)灣媒體報(bào)道，臺(tái)灣聯(lián)電（UMC）正與廈門(mén)市政府合作，將投資3億美元在當(dāng)?shù)匦陆ㄒ蛔A廠。iSuppli公司半導(dǎo)體首席分析師顧文軍撰文表示質(zhì)疑，認(rèn)為聯(lián)電在廈門(mén)建廠缺乏合理性。文章全文如下：據(jù)臺(tái)灣的媒體（工商時(shí)報(bào)
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快捷韓國(guó)8寸晶圓生產(chǎn)線開(kāi)工
快捷半導(dǎo)體(FAIRCHILD)在韓國(guó)富川的八寸晶圓生產(chǎn)線正式啟動(dòng)。該新廠象征公司專注于創(chuàng)新功率半導(dǎo)體解決方案，以及在提高產(chǎn)品品質(zhì)及回應(yīng)不斷變化的市場(chǎng)動(dòng)態(tài)方面進(jìn)行投資?？旖莅雽?dǎo)體公司總裁兼營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)VijayUlla表示，自
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分析師質(zhì)疑聯(lián)電在廈門(mén)建晶圓廠的合理性
多家臺(tái)灣媒體報(bào)道，臺(tái)灣聯(lián)電（UMC）正與廈門(mén)市政府合作，將投資3億美元在當(dāng)?shù)匦陆ㄒ蛔A廠。iSuppli公司半導(dǎo)體首席分析師顧文軍撰文表示質(zhì)疑，認(rèn)為聯(lián)電在廈門(mén)建廠缺乏合理性。文章全文如下： 據(jù)臺(tái)灣的媒體（工商
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臺(tái)灣300毫米半導(dǎo)體晶圓廠首次走入內(nèi)地
據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，聯(lián)電(UMC)正在與廈門(mén)市政府合作，將投資3億美元，在當(dāng)?shù)嘏d建一座300毫米晶圓廠。如果一切順利，這將是臺(tái)灣半導(dǎo)體廠商第一次在內(nèi)地建設(shè)此類工廠。這還將是海外廠商在內(nèi)地的第三座300毫米晶圓廠。在此
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臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)晶圓廠西進(jìn)政策
臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)晶圓廠西進(jìn)政策，在8寸晶圓廠時(shí)代是以「總量管制、技術(shù)領(lǐng)先」為兩大原則，其中總量管制是至2005年以核準(zhǔn)3座8寸晶圓廠為上限，當(dāng)時(shí)是晶圓代工廠臺(tái)積電，以及記憶體廠茂德和力晶申請(qǐng)。技術(shù)領(lǐng)先的規(guī)定是指
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聯(lián)電 擬赴廈門(mén)蓋8寸廠
晶圓代工廠聯(lián)電為搶食中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速成長(zhǎng)商機(jī)，計(jì)劃與廈門(mén)和當(dāng)?shù)卣腺Y興建8寸晶圓廠，鎖定產(chǎn)能極缺的40到55納米制程技術(shù)。聯(lián)電發(fā)言體系17日表示，日前董事會(huì)通過(guò)在3億美元(約新臺(tái)幣90億元)內(nèi)擬投資、參股或購(gòu)
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快捷韓國(guó)8寸晶圓生產(chǎn)線開(kāi)工
快捷半導(dǎo)體(FAIRCHILD)在韓國(guó)富川的八寸晶圓生產(chǎn)線正式啟動(dòng)。該新廠象征公司專注于創(chuàng)新功率半導(dǎo)體解決方案，以及在提高產(chǎn)品品質(zhì)及回應(yīng)不斷變化的市場(chǎng)動(dòng)態(tài)方面進(jìn)行投資。 快捷半導(dǎo)體公司總裁兼營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)Vijay Ulla表示，
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聯(lián)電將投資3億美元在廈門(mén)300毫米晶圓廠
天氣熱還有蚊子，搞得小便一夜都沒(méi)睡好。早上醒來(lái)抓住一只肚子裝滿了血的蚊子，大怒。找來(lái)耳機(jī)，最大音量放搖滾朋克音樂(lè)，活活震死它！ 果然，蚊子真被震暈過(guò)去了。我看它下次還敢不敢半夜吵我！姥爺家收藏了兩件清
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臺(tái)灣300毫米半導(dǎo)體晶圓廠首次走入內(nèi)地
聯(lián)電在臺(tái)的300毫米晶圓廠之一Fab 12A 據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，聯(lián)電(UMC)正在與廈門(mén)市政府合作，將投資3億美元，在當(dāng)?shù)嘏d建一座300毫米晶圓廠。如果一切順利，這將是臺(tái)灣半導(dǎo)體廠商第一次在內(nèi)地建設(shè)此類工廠。 這還將是海外
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聯(lián)電 擬赴廈門(mén)蓋8寸廠
晶圓代工廠聯(lián)電為搶食中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速成長(zhǎng)商機(jī)，計(jì)劃與廈門(mén)和當(dāng)?shù)卣腺Y興建8寸晶圓廠，鎖定產(chǎn)能極缺的40到55納米制程技術(shù)。聯(lián)電發(fā)言體系17日表示，日前董事會(huì)通過(guò)在3億美元(約新臺(tái)幣90億元)內(nèi)擬投資、參股或購(gòu)
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全球搶人才 臺(tái)積電來(lái)美招募募
為加速跨入18寸晶圓時(shí)代，臺(tái)積電展開(kāi)全球人才卡位戰(zhàn)。臺(tái)積電表示，因應(yīng)未來(lái)技術(shù)發(fā)展及吸納全球頂尖菁英，將于美東時(shí)間7月27、28 日在美國(guó)紐約州，進(jìn)行海外招募，對(duì)象鎖定半導(dǎo)體研發(fā)、制程與IC設(shè)計(jì)。 臺(tái)積電指出，
- 安富利3kW模擬電源供應(yīng)器（PSU）解決方案開(kāi)發(fā)板來(lái)襲，申請(qǐng)領(lǐng)好禮
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