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全球NAND Flash擴(kuò)產(chǎn)競(jìng)賽3缺1 海力士動(dòng)向受注目
存儲(chǔ)器大廠海力士(Hynix)2010年第4季獲利受到DRAM報(bào)價(jià)下跌影響而驟降，除了積極布局非標(biāo)準(zhǔn)型DRAM相關(guān)的應(yīng)用領(lǐng)域之外，市場(chǎng)認(rèn)為目前全球4大NANDFlash陣營(yíng)中，唯一沒(méi)有宣布要擴(kuò)產(chǎn)的只剩下海力士，2011年平板計(jì)算機(jī)和智
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內(nèi)存芯片價(jià)格下降 海力士季度利潤(rùn)大跌83%
受到內(nèi)存芯片價(jià)格下降、訴訟賠償?shù)碾p重影響，海力士去年四季度利潤(rùn)大跌83%。海力士四季度盈利1101億韓元（9900萬(wàn)美元），與去年同期的6568億韓元相比下降83%，該數(shù)字也低于彭博社8位分析師的2290億韓元的平均預(yù)期。內(nèi)
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內(nèi)存芯片價(jià)格下降 海力士季度利潤(rùn)大跌83%
彭博社報(bào)道，受到內(nèi)存芯片價(jià)格下降、訴訟賠償?shù)碾p重影響，海力士去年四季度利潤(rùn)大跌83%。海力士四季度盈利1101億韓元（9900萬(wàn)美元），與去年同期的6568億韓元相比下降83%，該數(shù)字也低于彭博社8位分析師的2290億韓元的
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海力士半導(dǎo)體債權(quán)人擬繼續(xù)沽售剩余股份
北京時(shí)間1月17日早間消息，韓國(guó)《東亞日?qǐng)?bào)》周一報(bào)道，海力士半導(dǎo)體債權(quán)人韓國(guó)金融公司（Korea Finance Corp。）總裁Ryu Jae Han透露，今年3月之后，海力士半導(dǎo)體的債權(quán)人可能會(huì)繼續(xù)為他們所持海力士半導(dǎo)體的剩余
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半導(dǎo)體業(yè)2011年將呈現(xiàn)先低后高走勢(shì)
2010年半導(dǎo)體市況呈現(xiàn)「先高后低」的走勢(shì)，然2011年將會(huì)回到上低下高趨勢(shì)。主要DRAM記憶體產(chǎn)品DDR3平均固定交易價(jià)格2010年上半至年中為止維持上升走勢(shì)，并于5月達(dá)到頂點(diǎn)2.72美元。然由于電腦等成品銷售情況不甚理想，
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半導(dǎo)體業(yè)2011年預(yù)測(cè)
2010年半導(dǎo)體市況呈現(xiàn)「先高后低」的走勢(shì)，然2011年將會(huì)回到上低下高趨勢(shì)。主要DRAM記憶體產(chǎn)品DDR3平均固定交易價(jià)格2010年上半至年中為止維持上升走勢(shì)，并于5月達(dá)到頂點(diǎn)2.72美元。然由于電腦等成品銷售情況不甚理想，
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海力士導(dǎo)入30納米級(jí)DRAM制程
海力士緊跟三星電子之后，將把DRAM的生產(chǎn)制程轉(zhuǎn)換為30納米級(jí)制程。海力士29日宣布，已開(kāi)發(fā)出2款計(jì)算機(jī)用DRAM產(chǎn)品，將首度采用30納米級(jí)制程量產(chǎn)。據(jù)海力士表示，計(jì)劃采用38納米制程生產(chǎn)4Gb和2Gb 2種產(chǎn)品，2011年第1季
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海力士2011年資本投資26億美元
據(jù)彭博(Bloomberg)報(bào)導(dǎo)，海力士(Hynix)計(jì)劃資本支出3兆韓元(約26億美元)，該公司發(fā)言人證實(shí)首爾經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)(SeoulEconomicDaily)的報(bào)導(dǎo)。彭博電話訪問(wèn)發(fā)言人ParkSeongAe指出，實(shí)際投資金額可能會(huì)依市場(chǎng)情況而調(diào)整。Park
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海力士導(dǎo)入30納米級(jí)DRAM制程
海力士(Hynix)緊跟三星電子(SamsungElectronics)之后，將把DRAM的生產(chǎn)制程轉(zhuǎn)換為30納米級(jí)制程。海力士29日宣布，已開(kāi)發(fā)出2款計(jì)算機(jī)用DRAM產(chǎn)品，將首度采用30納米級(jí)制程量產(chǎn)。據(jù)海力士表示，計(jì)劃采用38納米制程生產(chǎn)4G
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傳爾必達(dá)欲組控股公司 目標(biāo)臺(tái)日DRAM廠4合1整并
DRAM報(bào)價(jià)面臨二次崩盤(pán)危機(jī)，過(guò)去曾被提及但最后鎩羽的臺(tái)日DRAM產(chǎn)業(yè)4合1大整并議題，再度被端上臺(tái)面！日本外電指出，爾必達(dá)(Elpida)社長(zhǎng)坂本幸雄將于2011年初訪臺(tái)，洽談在臺(tái)灣成立控股公司，將力晶、瑞晶和茂德3家臺(tái)廠
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海力士半導(dǎo)體明年一季度開(kāi)始量產(chǎn)30納米芯片
海力士半導(dǎo)體發(fā)言人Park Seong Ae周四表示，公司將從明年第一季度開(kāi)始量產(chǎn)30納米芯片。 這一表態(tài)證實(shí)了韓國(guó)網(wǎng)絡(luò)新聞媒體edaily此前的相關(guān)報(bào)道。
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海力士半導(dǎo)體明年一季度開(kāi)始量產(chǎn)30納米芯片
海力士半導(dǎo)體發(fā)言人ParkSeongAe周四表示，公司將從明年第一季度開(kāi)始量產(chǎn)30納米芯片。這一表態(tài)證實(shí)了韓國(guó)網(wǎng)絡(luò)新聞媒體edaily此前的相關(guān)報(bào)道。
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臺(tái)積電松江擴(kuò)產(chǎn)目標(biāo)月產(chǎn)11萬(wàn)片
臺(tái)積電大陸持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)，近期把7.62億元機(jī)器設(shè)備移轉(zhuǎn)到上海松江，其中包括日前才向美國(guó)海力士收購(gòu)的5億多元8寸機(jī)臺(tái)，公司預(yù)計(jì)年底將完成月產(chǎn)能5萬(wàn)片目標(biāo)，明年則往11萬(wàn)片月產(chǎn)能邁進(jìn)。臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀日前才表示，12寸
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臺(tái)積電松江擴(kuò)產(chǎn)目標(biāo)月產(chǎn)11萬(wàn)片
臺(tái)積電（2330）大陸持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)，近期把7.62億元機(jī)器設(shè)備移轉(zhuǎn)到上海松江，其中包括日前才向美國(guó)海力士收購(gòu)的5億多元8寸機(jī)臺(tái)，公司預(yù)計(jì)年底將完成月產(chǎn)能5萬(wàn)片目標(biāo)，明年則往11萬(wàn)片月產(chǎn)能邁進(jìn)。臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀日前才表
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臺(tái)積松江擴(kuò)產(chǎn) 目標(biāo)月產(chǎn)11萬(wàn)片
臺(tái)積電（2330）大陸持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)，近期把7.62億元機(jī)器設(shè)備移轉(zhuǎn)到上海松江，其中包括日前才向美國(guó)海力士收購(gòu)的5億多元8寸機(jī)臺(tái)，公司預(yù)計(jì)年底將完成月產(chǎn)能5萬(wàn)片目標(biāo)，明年則往11萬(wàn)片月產(chǎn)能邁進(jìn)。臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀日前才表
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三星、應(yīng)用材料就間諜門(mén)達(dá)成和解
此前美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商應(yīng)用材料員工將三星芯片處理工藝技術(shù)外泄海力士從而聯(lián)力上演了現(xiàn)實(shí)版無(wú)間道，為了避免日后遭到三星的起訴，應(yīng)用材料近日與三星達(dá)成和解。應(yīng)用材料今天表示，未來(lái)三年他們將以提供折扣的方式
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朝鮮半島交鋒 臺(tái)DRAM產(chǎn)業(yè)仍難救贖
南朝鮮軍事緊張情勢(shì)再度升高，由于韓國(guó)是全球存儲(chǔ)器DRAM和NANDFlash生產(chǎn)重鎮(zhèn)，三星電子(SamsungElectronics)和海力士(Hynix)合計(jì)囊括全球超過(guò)60%市占率，NANDFlash則合計(jì)有超過(guò)50%市占，加上臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)近2年來(lái)被韓
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朝鮮半島交鋒 臺(tái)DRAM產(chǎn)業(yè)仍難救贖
南朝鮮軍事緊張情勢(shì)再度升高，由于韓國(guó)是全球存儲(chǔ)器DRAM和NAND Flash生產(chǎn)重鎮(zhèn)，三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)合計(jì)囊括全球超過(guò)60%市占率，NAND Flash則合計(jì)有超過(guò)50%市占，加上臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)近2年來(lái)被
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海力士將活用M8廠強(qiáng)化代工事業(yè)
海力士半導(dǎo)體(Hynix)M8產(chǎn)線未來(lái)將以代工事業(yè)為重心。據(jù)南韓電子新聞報(bào)導(dǎo)，近期海力士以部分IC設(shè)計(jì)公司為對(duì)象，提出運(yùn)用清州M8廠的合作方案。采用90奈米以上制程的電源管理半導(dǎo)體、發(fā)光二極管(LED)驅(qū)動(dòng)芯片、顯示器用
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海力士半導(dǎo)體將投資2.31億美元以提高芯片產(chǎn)能
11月19日電全球第二大計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)芯片制造商海力士半導(dǎo)體(HynixSemiconductor)周五表示，計(jì)劃投資2610億韓圜(約合2.31億美元),，以提高和升級(jí)芯片產(chǎn)能。該公司對(duì)證交所表示，上述投資將于12月底做出。
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