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美高森美擴展碳化硅(SiC)功率模塊產(chǎn)品系列
21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布提供新一代工業(yè)溫度碳化硅(silicon carbide，SiC)標準功率模塊，它們是用于要求高性能和高可靠性的大功率開關(guān)電源、馬達驅(qū)動器、不間斷電源、太陽能逆變器、石油勘
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飛兆碳化硅(SiC)技術(shù)解決方案 適用功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)
為努力實現(xiàn)更高的功率密度并滿足嚴格的效率法規(guī)要求以及系統(tǒng)正常運行時間要求，工業(yè)和功率電子設(shè)計人員在進行設(shè)計時面臨著不斷降低功率損耗和提高可靠性的難題。 然而，在可再生能源、工業(yè)電機驅(qū)動器、高密度電源、汽
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飛兆半導(dǎo)體公司發(fā)布了碳化硅(SiC)技術(shù)解決方案
21ic訊 為努力實現(xiàn)更高的功率密度并滿足嚴格的效率法規(guī)要求以及系統(tǒng)正常運行時間要求，工業(yè)和功率電子設(shè)計人員在進行設(shè)計時面臨著不斷降低功率損耗和提高可靠性的難題。 然而，在可再生能源、工業(yè)電機驅(qū)動器、高密度
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天域半導(dǎo)體聯(lián)合中科院 發(fā)力“硅”產(chǎn)業(yè)
記者從東莞市天域半導(dǎo)體科技有限公司獲悉，該公司投資碳化硅（SiC）材料這一高科技領(lǐng)域，連續(xù)砸進1.8億元，正與中科院半導(dǎo)體研究所聯(lián)合，進行“第三代半導(dǎo)體碳化硅外延晶片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”，是我國首家、全球第五家專
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天域半導(dǎo)體聯(lián)合中科院 發(fā)力“硅”產(chǎn)業(yè)
記者從東莞市天域半導(dǎo)體科技有限公司獲悉，該公司投資碳化硅（SiC）材料這一高科技領(lǐng)域，連續(xù)砸進1.8億元，正與中科院半導(dǎo)體研究所聯(lián)合，進行“第三代半導(dǎo)體碳化硅外延晶片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”，是我國首家、全球第五家專
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耐2萬伏超高壓半導(dǎo)體器件成功被日本研制
日本京都大學工學院須田淳準教授和木本恒暢教授的研究組近日利用碳化硅(SiC)材料成功開發(fā)出可耐2萬伏超高壓的半導(dǎo)體器件。10月23日該研究組宣布了這一消息。該研究小組于今年6月已開發(fā)出可耐2萬伏超高壓的半導(dǎo)體二極
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不一樣的羅姆，讓生活更智能
對于羅姆，令人印象最深的自然還是它的電阻，但是今天的羅姆，已經(jīng)發(fā)展成為了擁有多條IC產(chǎn)品線、各類光學器件、傳感器以及多種分立器件的全球知名半導(dǎo)體公司。今天在上海，羅姆的全國科技巡回展上，我們看到了羅姆新
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不一樣的羅姆，讓生活更智能
對于羅姆，令人印象最深的自然還是它的電阻，但是今天的羅姆，已經(jīng)發(fā)展成為了擁有多條IC產(chǎn)品線、各類光學器件、傳感器以及多種分立器件的全球知名半導(dǎo)體公司。今天在上海，羅姆的全國科技巡回展上，我們看到了羅姆新
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意法半導(dǎo)體(ST)發(fā)布碳化硅太陽能解決方案
21ic訊 意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)發(fā)布碳化硅產(chǎn)品創(chuàng)新成果，助力系統(tǒng)廠商研發(fā)能夠?qū)⑻柲苻D(zhuǎn)化成電網(wǎng)電能的高能效電子設(shè)備。意法半導(dǎo)體已于近日在美國佛羅里達州舉辦的2012年國際太陽能展覽會暨研討會
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開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器高性能碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體器件
關(guān)鍵字：開關(guān)電源 轉(zhuǎn)換器 碳化硅(SiC)進入21世紀，開關(guān)電源技術(shù)將會有更大的發(fā)展，這需要我國電力電子、電源、通信、器件、材料等工業(yè)和學術(shù)各界努力協(xié)作，沿著下述方向，開
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功率半導(dǎo)體：新封裝新材料提升能效
隨著世界各國對節(jié)能減排的需求越來越迫切，如何降低電子電器產(chǎn)品的高能耗成為眼下的熱點話題之一。5月16日，國務(wù)院常務(wù)會議安排265億元資金，對符合節(jié)能標準的平板電視、空
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功率半導(dǎo)體采用新型材料 更能符合節(jié)能需求
市場研究機構(gòu)IMSResearch預(yù)測，全球功率半導(dǎo)體(Powersemiconductor)市場在2011年成長3.7%之后，2012年將進一步成長5.0%，達到320億美元規(guī)模。IMS資深分析師AshSharma表示，經(jīng)濟前景不明朗效應(yīng)將持續(xù)發(fā)酵至2012年，導(dǎo)
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功率半導(dǎo)體采用新型材料 更能符合節(jié)能需求
市場研究機構(gòu)IMSResearch預(yù)測，全球功率半導(dǎo)體(Powersemiconductor)市場在2011年成長3.7%之后，2012年將進一步成長5.0%，達到320億美元規(guī)模。IMS資深分析師AshSharma表示，經(jīng)濟前景不明朗效應(yīng)將持續(xù)發(fā)酵至2012年，導(dǎo)
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功率半導(dǎo)體采用新型材料，更能符合節(jié)能需求
市場研究機構(gòu)IMSResearch預(yù)測，全球功率半導(dǎo)體(Powersemiconductor)市場在2011年成長3.7%之后，2012年將進一步成長5.0%，達到320億美元規(guī)模。IMS資深分析師AshSharma表示，經(jīng)濟前景不明朗效應(yīng)將持續(xù)發(fā)酵至2012年，導(dǎo)
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科銳采用ADS系統(tǒng)，開發(fā)碳化硅襯底氮化鎵HEMT器件
科銳公司（Nasdaq: CREE）宣布升級一款先進的工藝設(shè)計套件（PDK），該款 PDK 基于安捷倫公司的 Advanced Design System（ADS）軟件，能夠為微波和無線射頻設(shè)計工程師提供研發(fā)碳化硅襯底氮化鎵（GaN-on-SiC）HEMT 器件
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科銳宣布升級工藝設(shè)計套件，采用安捷倫ADS系統(tǒng)，開發(fā)碳化硅襯底氮化鎵HEMT器件
科銳公司（Nasdaq: CREE）宣布升級一款先進的工藝設(shè)計套件（PDK），該款 PDK 基于安捷倫公司的 Advanced Design System（ADS）軟件，能夠為微波和無線射頻設(shè)計工程師提供研發(fā)碳化硅襯底氮化鎵（GaN-on-SiC）HEMT 器件
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科銳推出突破性 GaN基固態(tài)放大器平臺||突破性的技術(shù)實現(xiàn)傳統(tǒng)方案兩倍的效率
科銳公司（Nasdaq: CREE）宣布推出具有革新性功率與帶寬性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅襯底氮化鎵基（GaN-on-SiC）裸芯片產(chǎn)品系列。該創(chuàng)新型產(chǎn)品系列能夠使得固態(tài)放大器替代行波管，從而提高效率和可靠性。 科
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科銳推出突破性 GaN基固態(tài)放大器平臺||突破性的技術(shù)實現(xiàn)傳統(tǒng)方案兩倍的效率
科銳公司（Nasdaq: CREE）宣布推出具有革新性功率與帶寬性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅襯底氮化鎵基（GaN-on-SiC）裸芯片產(chǎn)品系列。該創(chuàng)新型產(chǎn)品系列能夠使得固態(tài)放大器替代行波管，從而提高效率和可靠性。
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具有快速開關(guān)和低VCESAT的1200V碳化硅雙極性晶體管
由于能源成本上升和人們積極應(yīng)對全球變暖，電力電子設(shè)備的能源效率已經(jīng)變得越來越重要。為了提升電力電子設(shè)備的能源效率，具有較低功率損耗的功率半導(dǎo)體器件技術(shù)是關(guān)鍵所在。在半導(dǎo)體器件中，功率損耗的降低可以改善
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具有快速開關(guān)和低VCESAT的1200V碳化硅雙極性晶體管
由于能源成本上升和人們積極應(yīng)對全球變暖，電力電子設(shè)備的能源效率已經(jīng)變得越來越重要。為了提升電力電子設(shè)備的能源效率，具有較低功率損耗的功率半導(dǎo)體器件技術(shù)是關(guān)鍵所在。在半導(dǎo)體器件中，功率損耗的降低可以改善
- Littelfuse應(yīng)用學習社第二期：打造更節(jié)能與安全的消費電子電源解決方案
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