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不一樣的羅姆，讓生活更智能
對于羅姆，令人印象最深的自然還是它的電阻，但是今天的羅姆，已經發(fā)展成為了擁有多條IC產品線、各類光學器件、傳感器以及多種分立器件的全球知名半導體公司。今天在上海，羅姆的全國科技巡回展上，我們看到了羅姆新
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不一樣的羅姆，讓生活更智能
對于羅姆，令人印象最深的自然還是它的電阻，但是今天的羅姆，已經發(fā)展成為了擁有多條IC產品線、各類光學器件、傳感器以及多種分立器件的全球知名半導體公司。今天在上海，羅姆的全國科技巡回展上，我們看到了羅姆新
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意法半導體(ST)發(fā)布碳化硅太陽能解決方案
21ic訊 意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)發(fā)布碳化硅產品創(chuàng)新成果，助力系統(tǒng)廠商研發(fā)能夠將太陽能轉化成電網電能的高能效電子設備。意法半導體已于近日在美國佛羅里達州舉辦的2012年國際太陽能展覽會暨研討會
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開關電源轉換器高性能碳化硅（SiC）功率半導體器件
關鍵字：開關電源 轉換器 碳化硅(SiC)進入21世紀，開關電源技術將會有更大的發(fā)展，這需要我國電力電子、電源、通信、器件、材料等工業(yè)和學術各界努力協(xié)作，沿著下述方向，開
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功率半導體：新封裝新材料提升能效
隨著世界各國對節(jié)能減排的需求越來越迫切，如何降低電子電器產品的高能耗成為眼下的熱點話題之一。5月16日，國務院常務會議安排265億元資金，對符合節(jié)能標準的平板電視、空
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功率半導體采用新型材料 更能符合節(jié)能需求
市場研究機構IMSResearch預測，全球功率半導體(Powersemiconductor)市場在2011年成長3.7%之后，2012年將進一步成長5.0%，達到320億美元規(guī)模。IMS資深分析師AshSharma表示，經濟前景不明朗效應將持續(xù)發(fā)酵至2012年，導
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功率半導體采用新型材料 更能符合節(jié)能需求
市場研究機構IMSResearch預測，全球功率半導體(Powersemiconductor)市場在2011年成長3.7%之后，2012年將進一步成長5.0%，達到320億美元規(guī)模。IMS資深分析師AshSharma表示，經濟前景不明朗效應將持續(xù)發(fā)酵至2012年，導
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功率半導體采用新型材料，更能符合節(jié)能需求
市場研究機構IMSResearch預測，全球功率半導體(Powersemiconductor)市場在2011年成長3.7%之后，2012年將進一步成長5.0%，達到320億美元規(guī)模。IMS資深分析師AshSharma表示，經濟前景不明朗效應將持續(xù)發(fā)酵至2012年，導
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科銳采用ADS系統(tǒng)，開發(fā)碳化硅襯底氮化鎵HEMT器件
科銳公司（Nasdaq: CREE）宣布升級一款先進的工藝設計套件（PDK），該款 PDK 基于安捷倫公司的 Advanced Design System（ADS）軟件，能夠為微波和無線射頻設計工程師提供研發(fā)碳化硅襯底氮化鎵（GaN-on-SiC）HEMT 器件
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科銳宣布升級工藝設計套件，采用安捷倫ADS系統(tǒng)，開發(fā)碳化硅襯底氮化鎵HEMT器件
科銳公司（Nasdaq: CREE）宣布升級一款先進的工藝設計套件（PDK），該款 PDK 基于安捷倫公司的 Advanced Design System（ADS）軟件，能夠為微波和無線射頻設計工程師提供研發(fā)碳化硅襯底氮化鎵（GaN-on-SiC）HEMT 器件
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科銳推出突破性 GaN基固態(tài)放大器平臺||突破性的技術實現傳統(tǒng)方案兩倍的效率
科銳公司（Nasdaq: CREE）宣布推出具有革新性功率與帶寬性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅襯底氮化鎵基（GaN-on-SiC）裸芯片產品系列。該創(chuàng)新型產品系列能夠使得固態(tài)放大器替代行波管，從而提高效率和可靠性。 科
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科銳推出突破性 GaN基固態(tài)放大器平臺||突破性的技術實現傳統(tǒng)方案兩倍的效率
科銳公司（Nasdaq: CREE）宣布推出具有革新性功率與帶寬性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅襯底氮化鎵基（GaN-on-SiC）裸芯片產品系列。該創(chuàng)新型產品系列能夠使得固態(tài)放大器替代行波管，從而提高效率和可靠性。
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具有快速開關和低VCESAT的1200V碳化硅雙極性晶體管
由于能源成本上升和人們積極應對全球變暖，電力電子設備的能源效率已經變得越來越重要。為了提升電力電子設備的能源效率，具有較低功率損耗的功率半導體器件技術是關鍵所在。在半導體器件中，功率損耗的降低可以改善
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具有快速開關和低VCESAT的1200V碳化硅雙極性晶體管
由于能源成本上升和人們積極應對全球變暖，電力電子設備的能源效率已經變得越來越重要。為了提升電力電子設備的能源效率，具有較低功率損耗的功率半導體器件技術是關鍵所在。在半導體器件中，功率損耗的降低可以改善
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科銳實現50A碳化硅功率器件技術突破！
50A碳化硅功率器件為更多大功率應用帶來更高效率和更低成本科銳實現50A碳化硅功率器件技術突破，為更多大功率應用帶來更高效率和更低成本，包括1700V碳化硅MOSFET器件在內的科銳大功率碳化硅MOSFET器件降低電力電子
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科銳實現50A碳化硅功率器件技術突破！
50A碳化硅功率器件為更多大功率應用帶來更高效率和更低成本科銳實現50A碳化硅功率器件技術突破，為更多大功率應用帶來更高效率和更低成本，包括1700V碳化硅MOSFET器件在內的科銳大功率碳化硅MOSFET器件降低電力電子
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LED芯片常用襯底材料選用比較
對于制作LED芯片來說，襯底材料的選用是首要考慮的問題。應該采用哪種合適的襯底，需要根據設備和LED器件的要求進行選擇。目前市面上一般有三種材料可作為襯底：1.藍寶石（Al2O3）2.硅(Si)3.碳化硅（SiC）藍寶石襯底
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LED芯片常用襯底材料選用比較
對于制作LED芯片來說，襯底材料的選用是首要考慮的問題。應該采用哪種合適的襯底，需要根據設備和LED器件的要求進行選擇。目前市面上一般有三種材料可作為襯底：1.藍寶石（Al2O3）2.硅(Si)3.碳化硅（SiC）藍寶石襯底
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適合各種電源應用的碳化硅肖特基二極管
功率因數校正(PFC)市場主要受與降低諧波失真有關的全球性規(guī)定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場的基本規(guī)定之一，在英國、日本和中國也存在類似的標準。EN61000-3-2規(guī)定了所有功耗超過75W的離線設備的諧波標準
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適合各種電源應用的碳化硅肖特基二極管
功率因數校正(PFC)市場主要受與降低諧波失真有關的全球性規(guī)定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場的基本規(guī)定之一，在英國、日本和中國也存在類似的標準。EN61000-3-2規(guī)定了所有功耗超過75W的離線設備的諧波標準
