加強RF/功率半導體布局　Cree 3.1億美元出售照明業(yè)務

為了更專注于加強RF業(yè)務及碳化硅(Silicon Carbide)和氮化鎵(GaN)技術(shù)，Cree將其照明業(yè)務出售給IDEAL INDUSTRIES。并借此行為將更多資源投注于擴展其半導體業(yè)務，強化該公司在SiC和GaN市場的競爭優(yōu)勢，滿足電動汽車、5G等應用需求。

泰科天潤六英寸SiC項目落戶江西九江

在江西九江市委、市政府主要領導的高位推動下，3月29日，由泰科天潤半導體科技(北京)有限公司投資建設的6寸半導體碳化硅電力電子器件生產(chǎn)線項目正式簽約落戶九江經(jīng)開區(qū)。該項目的落戶是經(jīng)開區(qū)大力發(fā)展戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)取得的重大新成果，為九江市打造千億電子電器產(chǎn)業(yè)集群和壯大經(jīng)開區(qū)首位產(chǎn)業(yè)注入新動能。

羅姆半導體正式量產(chǎn)碳化硅MOSFET模組

意法半導體擬收購碳化硅晶圓制造商Norstel AB的多數(shù)股權(quán)

意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)日前宣布簽署一份協(xié)議，擬收購瑞典碳化硅(SiC)晶圓制造商Norstel AB(以下簡稱“Norstel”)的多數(shù)股權(quán)。在此項收購交易完成后，意法半導體將在全球產(chǎn)能受限的情況下掌控部分SiC器件的整個供應鏈，為把握一個重大的發(fā)展機會做好準備。

富士康要做芯片了，濟南2019重點項目透露了這些！

在實體經(jīng)濟項目中有幾個重大項目引人注意，包括富士康功率芯片工廠建設項目、天岳高品質(zhì)4H-SiC單晶襯底材料研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項目、天岳碳化硅功率半導體芯片及電動汽車模組研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項目等。

基本半導體發(fā)布高可靠性1200V碳化硅MOSFET

基本半導體緊跟時代步伐，采用國際領先的碳化硅設計生產(chǎn)工藝，推出國內(nèi)首款通過工業(yè)級可靠性測試的1200V碳化硅MOSFET，助推國內(nèi)第三代半導體技術(shù)發(fā)展。

Cree與意法半導體宣布簽署碳化硅晶圓多年供貨協(xié)議

2019年1月10日，Cree有限公司宣布已簽署一份多年供貨協(xié)議，為橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST)生產(chǎn)和供應Wolfspeed?碳化硅(SiC)晶圓。按照該協(xié)議的規(guī)定，在當前碳化硅功率器件市場需求顯著增長期間，Cree將向意法半導體供應價值2.5億美元Cree先進的150mm碳化硅裸晶圓和外延晶圓。

Cree與ST簽署碳化硅晶圓多年供貨協(xié)議

Cree有限公司宣布已簽署一份多年供貨協(xié)議，為意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST)生產(chǎn)和供應Wolfspeed®碳化硅(SiC)晶圓。

UnitedSiC發(fā)布全新UF3C FAST 碳化硅FET系列產(chǎn)品

碳化硅(SiC)功率半導體制造商UnitedSiC宣布推出采用標準TO-247-3L封裝的UF3C FAST系列650V和120 V高性能碳化硅FET。與現(xiàn)有的UJC3系列相比，F(xiàn)AST系列具有更快的開關速度和更高的效率水平。

作為金牌合作代理商，世強元件電商出席ROHM技術(shù)研討會

2018年9月起，ROHM技術(shù)研討會在全國巡回舉行，研討會圍繞\"電源\"與\"SiC(碳化硅) \"等話題開展技術(shù)。

Littelfuse推出其首款1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET

Littelfuse公司近日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，擴充了其碳化硅MOSFET器件組合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET產(chǎn)品的重要補充，也是Littelfuse公司已發(fā)布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二極管的強有力補充。

碳化硅晶圓全球產(chǎn)能有限，緊缺狀態(tài)何時能解?

由于碳化硅的生產(chǎn)瓶頸尚未解決，原料晶柱的質(zhì)量不穩(wěn)定，造成整體市場無法大規(guī)模普及。

碳化硅無法轉(zhuǎn)換成市場規(guī)模 主因是碳化硅晶圓制造和產(chǎn)能不順暢

相較于硅(Si)，采用碳化硅(SiC)基材的組件性能優(yōu)勢十分的顯著，尤其是在高壓與高頻的性能上，然而，這些優(yōu)勢卻始終未能轉(zhuǎn)換成市場規(guī)模，主要的原因就出在碳化硅晶圓的制造和產(chǎn)能的不順暢。

突破！國內(nèi)首條碳化硅智能功率模塊生產(chǎn)線在廈門投產(chǎn)

近日，國內(nèi)首條碳化硅智能功率模塊(SiC IPM)生產(chǎn)線在廈門芯光潤澤科技有限公司正式投產(chǎn)，標志著我國在碳化硅芯片這個戰(zhàn)略新興行業(yè)又實現(xiàn)了一次重要的突破。

寬禁帶技術(shù) – 下一代功率器件

碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎。與硅相比，SiC和GaN需要高3倍的能量才能使電子開始在材料中自由移動。因而具有比硅更佳的特性和性能。

安森美半導體發(fā)布碳化硅(SiC)二極管用于要求嚴苛的汽車應用

推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，發(fā)布了碳化硅(SiC)肖特基二極管的擴展系列，包括專門用于要求嚴苛的汽車應用的器件。新的符合AEC-Q101車規(guī)的汽車級SiC二極管提供現(xiàn)代汽車應用所需的可靠性和強固性，以及等同于寬禁隙(WBG)技術(shù)的眾多性能優(yōu)勢。

中國電科二所實現(xiàn)半導體SiC單晶粉料和設備生產(chǎn)新突破

近日，在中國電子科技集團公司第二研究所(簡稱中國電科二所)生產(chǎn)大樓內(nèi)，100臺碳化硅(SiC)單晶生長設備正在高速運行，SiC單晶就在這100臺設備里“奮力”生長。

大聯(lián)大推出Infineon 1200V碳化硅MOSFET

大聯(lián)大控股宣布，其旗下品佳代理的英飛凌(Infineon)推出革命性的1200V SiC MOSFET，使產(chǎn)品設計可以在功率密度和性能上達到前所未有的水平。它們將有助于電源轉(zhuǎn)換方案的開發(fā)人員節(jié)省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統(tǒng)成本。

Littelfuse在2018年APEC大會上推出超低導通電阻1200V碳化硅MOSFET

全球電路保護領域的領先企業(yè)Littelfuse, Inc.與從事碳化硅技術(shù)開發(fā)的德州公司Monolith Semiconductor Inc.日前新推出兩款1200V碳化硅(SiC) n通道增強型MOSFET，為其日益擴展的第一代電源半導體器件組合注入新鮮血液。 Littelfuse與Monolith在2015年結(jié)成戰(zhàn)略合作關系，旨在為工業(yè)和汽車市場開發(fā)電源半導體。這種新型碳化硅MOSFET即為雙方聯(lián)手打造的最新產(chǎn)品。 這些產(chǎn)品在應用電力電子會議(APEC 2018)的Littelfuse展位亮相。

Littelfuse新推經(jīng)過擴展的碳化硅肖特基二極管產(chǎn)品系列

Littelfuse, Inc.，作為全球電路保護領域的領先企業(yè)，近日宣布新推出了四個隸屬于其第2代產(chǎn)品家族的1200V碳化硅(SiC)肖特基二極管系列產(chǎn)品，該產(chǎn)品家族最初于2017年5月發(fā)布。