臻驅(qū)科技(上海)有限公司(以下簡(jiǎn)稱“臻驅(qū)科技”)是一家以研發(fā)、生產(chǎn)和銷售新能源車動(dòng)力總成及其功率半導(dǎo)體模塊為核心業(yè)務(wù)的高科技公司。
在科學(xué)技術(shù)高度發(fā)達(dá)的今天,各種各樣的高科技出現(xiàn)在我們的生活中,為我們的生活帶來(lái)便利,那么你知道這些高科技可能會(huì)含有的CoolSiC? MOSFET模嗎?
人類社會(huì)的進(jìn)步離不開社會(huì)上各行各業(yè)的努力,各種各樣的電子產(chǎn)品的更新?lián)Q代離不開我們的設(shè)計(jì)者的努力,其實(shí)很多人并不會(huì)去了解電子產(chǎn)品的組成,比如數(shù)字可編程?hào)艠O驅(qū)動(dòng)器和SP6LI SiC功率模塊。
人類社會(huì)的進(jìn)步離不開社會(huì)上各行各業(yè)的努力,各種各樣的電子產(chǎn)品的更新?lián)Q代離不開我們的設(shè)計(jì)者的努力,其實(shí)很多人并不會(huì)去了解電子產(chǎn)品的組成,比如交換式電源供應(yīng)器。
英飛凌科技股份公司(FSE: IFX)與GT Advanced Technologies(GTAT)已經(jīng)簽署碳化硅(SiC)晶棒供貨協(xié)議,合同預(yù)期五年。通過(guò)這份供貨合同,英飛凌將進(jìn)一步確保滿足其在該領(lǐng)域不斷增長(zhǎng)的需求。
在科學(xué)技術(shù)高度發(fā)達(dá)的今天,各種各樣的高科技出現(xiàn)在我們的生活中,為我們的生活帶來(lái)便利,那么你知道這些高科技可能會(huì)含有的碳化硅(SiC)MOSFET嗎?
人類社會(huì)的進(jìn)步離不開社會(huì)上各行各業(yè)的努力,各種各樣的電子產(chǎn)品的更新?lián)Q代離不開我們的設(shè)計(jì)者的努力,其實(shí)很多人并不會(huì)去了解電子產(chǎn)品的組成,比如碳化硅肖特基二極管。
碳化硅(SiC),與氮化鎵(GaN)、金剛石、氧化鋅(ZnO)等一起,屬于第三代半導(dǎo)體。碳化硅等第三代半導(dǎo)體具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小等獨(dú)特的性能。
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布,推出新款1200V碳化硅(SiC)MOSFET---“TW070J120B”。該產(chǎn)品面向工業(yè)應(yīng)用(包括大容量電源),并于今日開始出貨。
2020年10月17日東方衛(wèi)視的報(bào)道,首片國(guó)產(chǎn) 6 英寸碳化硅 MOSFET(金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管)晶圓于 10 月 16 日在上海正式發(fā)布。
近期,以碳化硅、氮化鎵、金剛石為代表的第三代半導(dǎo)體概念異軍突起。機(jī)構(gòu)人士指出,第三代半導(dǎo)體的火爆,一方面受國(guó)家政策面影響:另外有消息稱,中國(guó)正在規(guī)劃將大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)寫入“十四五”規(guī)劃之中;而更重要的是當(dāng)前國(guó)內(nèi)的人工智能、5G等產(chǎn)業(yè)的技術(shù)和應(yīng)用發(fā)展向好,支撐了板塊內(nèi)相關(guān)細(xì)分行業(yè)的業(yè)績(jī)。
當(dāng)前先進(jìn)半導(dǎo)體材料已上升至國(guó)家戰(zhàn)略層面,2025年目標(biāo)滲透率超過(guò)50%。底層材料與技術(shù)是半導(dǎo)體發(fā)展的基礎(chǔ)科學(xué),《中國(guó)制造2025》分別對(duì)第三代半導(dǎo)體單晶襯底、光電子器件/模塊、電力電子器件/模塊、射頻器件/模塊等細(xì)分領(lǐng)域做出了目標(biāo)規(guī)劃。
科銳正在推進(jìn)從硅 (Si) 向碳化硅 (SiC) 的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型
點(diǎn)擊藍(lán)字關(guān)注我們 網(wǎng)上研討會(huì) ? 2020年8月18日 上午10:00 ? 點(diǎn)擊“閱讀原文”,預(yù)先報(bào)名 活動(dòng)介紹 電動(dòng)汽車 (BEV) 和插電式混合動(dòng)力汽車 (PHEV) 的廣泛普及持續(xù)快速增長(zhǎng)-估計(jì)2019年美國(guó)售出30萬(wàn)輛BEV,約占新車總銷量的2%。這些車輛中的每一輛車都有...
NXH40B120MNQ系列全SiC功率模塊集成了一個(gè)1200 V、40 mΩ SiC MOSFET和具有雙升壓級(jí)的1200 V,40 A SiC升壓二極管。 SiC技術(shù)的使用提供了實(shí)現(xiàn)太陽(yáng)能逆變器等應(yīng)用中所要求高能效水平所需的低反向恢復(fù)和快速開關(guān)特性。
點(diǎn)擊藍(lán)字關(guān)注我們請(qǐng)私信我們添加白名單如果您喜歡本篇文章,歡迎轉(zhuǎn)載!推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ONSemiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON),推出一款適用于太陽(yáng)能逆變器應(yīng)用的全SiC功率模塊,該產(chǎn)品已被全球領(lǐng)先的電源和熱管理方案供應(yīng)商臺(tái)達(dá)選用,用于支持其M70A三...
英飛凌科技股份公司為其1200 V CoolSiC? MOSFET模塊系列新增了一款62mm工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)模塊封裝產(chǎn)品。
什么是GEN2系列1200 V 3L TO-247肖特基二極管?它有什么特點(diǎn)?中國(guó),北京,2018年6月22日訊 - Littelfuse公司,今天宣布新推出五款GEN2系列1200 V 3L TO-247肖特基二極管和三款GEN2系列1200 V 2L TO-263肖特基二極管,擴(kuò)充其碳化硅電源半導(dǎo)體產(chǎn)品組合。 相比硅二極管,GEN2碳化硅肖特基二極管可顯著降低開關(guān)損耗,并大幅提高電力電子系統(tǒng)的效率和可靠性。 本次產(chǎn)品發(fā)布于紐倫堡舉行的PCIM 2018歐洲展會(huì)期間舉辦。
當(dāng)采用寬禁帶材料如碳化硅(SiC)半導(dǎo)體等精密器件時(shí),至關(guān)重要的是選擇一個(gè)不僅可提供產(chǎn)品,還可提供設(shè)計(jì)方案、信息和支援的供應(yīng)商。安森美半導(dǎo)體具有內(nèi)部的、端到端供應(yīng)鏈的優(yōu)勢(shì)。
什么是新的900 V和1200 V SiC MOSFET用于高要求的應(yīng)用?它有什么作用?推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON),推出另兩個(gè)碳化硅(SiC) MOSFET系列,擴(kuò)展了其寬禁帶(WBG)器件系列。 這些新器件適用于各種高要求的高增長(zhǎng)應(yīng)用,包括太陽(yáng)能逆變器、電動(dòng)汽車(EV)車載充電、不間斷電源(UPS)、服務(wù)器電源和EV充電樁,提供的性能水平是硅(Si) MOSFET根本無(wú)法實(shí)現(xiàn)的。