持續(xù)碳化硅產(chǎn)品創(chuàng)新，踐行綠色可持續(xù)發(fā)展

出品?21ic中國電子網(wǎng)劉巖軒網(wǎng)站：21ic.com2021年一個繞不開的話題是“雙碳”，各行各業(yè)都在向著節(jié)能減排的方向努力，其中半導體廠商扮演著重要的角色——如何設計出創(chuàng)新的器件來提高能源利用效率，同時提升自身的生產(chǎn)效率來減少排放，是半導體廠商努力的共同方向。早在去年12月，意...

持續(xù)碳化硅產(chǎn)品創(chuàng)新，踐行綠色可持續(xù)發(fā)展——專訪意法半導體功率與分立產(chǎn)品大中華區(qū)總監(jiān)周志強

2021年一個繞不開的話題是“雙碳”，各行各業(yè)都在向著節(jié)能減排的方向努力，其中半導體廠商扮演著重要的角色——如何設計出創(chuàng)新的器件來提高能源利用效率，同時提升自身的生產(chǎn)效率來減少排放，是半導體廠商努力的共同方向。

Microchip推出首款完全可配置的碳化硅MOSFET數(shù)字柵極驅動器，可將開關損耗降低50%，同時加快產(chǎn)品上市時間，現(xiàn)已投入生產(chǎn)

新技術使電動公共汽車等電動交通動力系統(tǒng)能夠滿足并超出嚴格的環(huán)境條件要求，同時 最大限度地提高效率

英飛凌在奧地利新建300毫米晶圓廠，實現(xiàn)功率半導體產(chǎn)能提升和靈活調(diào)度

根據(jù)Semi保守預測，從2020到2024，芯片行業(yè)將增加至少38個新的 300毫米量產(chǎn)晶圓廠，在300毫米晶圓廠上的投入將在2030年達到700億美元歷史新高。

碳化硅第一股來了！曾獲得華為注資

近日，科創(chuàng)板上市委2021年第65次審議會議結果公告顯示，山東天岳先進科技股份有限公司（以下簡稱“山東天岳”）符合發(fā)行條件、上市條件和信息披露要求。山東天岳招股書披露，本次公開發(fā)行不超過42，971，105股（不考慮超額配售選擇權），且發(fā)行完成后公開發(fā)行股份數(shù)占發(fā)行后總股數(shù)的比例...

東芝推出新款碳化硅MOSFET模塊，有助于提升工業(yè)設備效率和小型化

點擊“東芝半導體”，馬上加入我們哦！東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，面向工業(yè)應用推出一款集成最新開發(fā)的雙通道碳化硅（SiC）MOSFET芯片（具有3300V和800A特征）的模塊---“MG800FXF2YMS3”，該產(chǎn)品將于2021年5月投入量產(chǎn)。為達到17...

第三代半導體熱潮“帶貨”沉積設備需求，供應鏈與服務本地化成關鍵考量

新型Littelfuse 1700 V碳化硅肖特基勢壘二極管提供更快的開關和更高的效率

極快和低損耗的開關非常適合數(shù)據(jù)中心、樓宇自動化和其他高功率電子應用

東芝的碳化硅功率模塊新技術提高了可靠性的同時減小了尺寸

點擊“東芝半導體”，馬上加入我們哦！東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，開發(fā)了用于碳化硅（SiC）功率模塊的封裝技術，能夠使產(chǎn)品的可靠性提升一倍[1]，同時減少20%的封裝尺寸[2]。與硅相比，碳化硅可以實現(xiàn)更高的電壓和更低的損耗，且被廣泛視為功率器件的新一代材料...

東芝新款高壓MOSFET，碳化硅功不可沒

點擊“東芝半導體”，馬上加入我們哦！碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）眾所周知，硅元素因其獨特的穩(wěn)定性成為功率MOS中最常用的材料。然而隨著半導體材料的不斷發(fā)展，越來越多的化合物半導體材料走上歷史舞臺。近年來，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等第三代半導體材料正憑借其優(yōu)越的性能...

科普｜碳化硅芯片怎么制造？

芯片是如何制造的？網(wǎng)絡熱議的碳化硅芯片與傳統(tǒng)硅基芯片有什么區(qū)別？為大家解開謎團，走進神秘的芯片世界?？苿?chuàng)中心先進半導體研究院特別推出的一支科普宣傳片，讓你四分鐘，做個芯片通！碳化硅來了！寬禁帶半導體材料開啟新時代以碳化硅和氮化鎵為代表的寬禁帶半導體材料，突破原有半導體材料在大功率...

碳化硅如何為電機驅動賦能

點擊藍字?關注我們請私信我們添加白名單如果您喜歡本篇文章，歡迎轉載！前言近年來，電力電子領域最重要的發(fā)展是所謂的寬禁帶（WBG）材料的興起，即碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。WBG材料的特性有望實現(xiàn)更小、更快、更高效的電力電子產(chǎn)品。WBG功率器件已經(jīng)對從普通的電源和充電器到太...

東芝推出適用于高效率電源的新款1200V碳化硅MOSFET

點擊“東芝半導體”，馬上加入我們哦！東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出新款1200V碳化硅（SiC）MOSFET---“TW070J120B”。該產(chǎn)品面向工業(yè)應用（包括大容量電源），將于今日開始出貨。該功率MOSFET采用碳化硅（SiC）這種新材料，與常規(guī)的...

碳化硅邁入新時代ST 25年研發(fā)突破技術挑戰(zhàn)

1996年，ST開始與卡塔尼亞大學合作研發(fā)碳化硅(SiC)，今天，SiC正在徹底改變電動汽車。

極端溫度半導體解決方案供應商CISSOID授權世強硬創(chuàng)電商，提供車規(guī)級碳化硅MOSFET器件、IGBT功率模塊等產(chǎn)品

7月，來自比利時的高溫半導體解決方案供應商CISSOID正式與世強硬創(chuàng)電商簽署授權代理協(xié)議，授權其代理旗下智能功率模塊IPM、集成電路、分立器件等產(chǎn)品。

UnitedSiC 推出第二版FET-Jet Calculator

該在線電源設計工具的增強型功能使確定最優(yōu)SiC FET設計解決方案更加容易

吉利汽車集團與羅姆半導體集團締結以碳化硅為核心的戰(zhàn)略合作伙伴關系

加速汽車領域的技術創(chuàng)新，助力實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展社會

Microchip推出業(yè)界耐固性最強的碳化硅功率解決方案，取代硅IGBT，現(xiàn)已提供1700V版本

1700V MOSFET裸片、分立器件和功率模塊器件等碳化硅產(chǎn)品陣容擴大了設計人員對效率和功率密度的選擇范圍

擴產(chǎn)能，降成本！意法半導體制造首批200mm碳化硅晶圓

晶圓升級到200mm標志著擴大產(chǎn)能，以及支持汽車和工業(yè)市場實現(xiàn)系統(tǒng)和產(chǎn)品電氣化的計劃取得階段性成功！

意法半導體制造首批200mm碳化硅晶圓

晶圓升級到 200mm標志著擴大產(chǎn)能，以及支持汽車和工業(yè)市場實現(xiàn)系統(tǒng)和產(chǎn)品電氣化的計劃取得階段性成功