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快充僅是第三代半導(dǎo)體應(yīng)用“磨刀石”，落地這一領(lǐng)域可每年省電40億度
眾所周知，以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體，相較傳統(tǒng)的硅材料半導(dǎo)體，具備許多非常優(yōu)異的特性，如高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高電子飽和速率以及抗強(qiáng)輻射能力等。
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華為哈勃投資天域半導(dǎo)體：發(fā)力第三代半導(dǎo)體材料碳化硅
除了投資“芯片之母”EDA企業(yè)，企查查工商資料顯示，華為旗下哈勃科技日前入股東莞市天域半導(dǎo)體科技有限公司，后
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Microchip與貿(mào)澤合作推出新電子書探索未來的汽車設(shè)計(jì)與制造
2021年7月8日 – 專注于引入新品并提供海量庫(kù)存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子宣布與Microchip Technology合作推出一本新電子書Enabling the Future of Mobility。
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雷諾集團(tuán)與意法半導(dǎo)體達(dá)成電力電子戰(zhàn)略合作
2021 年 6 月 30 日——雷諾集團(tuán)和意法半導(dǎo)體宣布戰(zhàn)略合作，意法半導(dǎo)體為雷諾集團(tuán)設(shè)計(jì)、開發(fā)、制造和供應(yīng)純電動(dòng)汽車和混動(dòng)汽車電力電子系統(tǒng)所用芯片和相關(guān)封裝解決方案。
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UnitedSiC宣布推出六款新型D2PAK-7L碳化硅FET
2021年5月20日，美國(guó)新澤西州普林斯頓 --- 全球領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布繼續(xù)擴(kuò)展FET產(chǎn)品組合，并推出六款全新的650V和1200V產(chǎn)品。
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碳化硅在下一代工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的作用
國(guó)際能源署(IEA)估計(jì)，電機(jī)功耗占世界總電力的45%以上。
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積極布局碳化硅廣闊應(yīng)用前景，基本半導(dǎo)體亮相慕尼黑電子展
當(dāng)前碳化硅的推動(dòng)力需求很足，5G和數(shù)據(jù)激增帶來了數(shù)據(jù)中心的電源功率密度高度提升的要求；碳中和和新基建推動(dòng)了新能源汽車的市場(chǎng)擴(kuò)大；消費(fèi)端自然地往下走的用戶體驗(yàn)升級(jí)，同樣也來自碳化硅和GaN等新材料功率器件對(duì)于方案功率密度的提升。碳化硅的應(yīng)用前景蔚然廣闊...
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碳化硅技術(shù)如何變革汽車車載充電
日趨嚴(yán)格的CO2排放標(biāo)準(zhǔn)以及不斷變化的公眾和企業(yè)意見在加速全球電動(dòng)汽車(EV)的發(fā)展。
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碳化硅技術(shù)如何變革汽車車載充電
日趨嚴(yán)格的CO2排放標(biāo)準(zhǔn)以及不斷變化的公眾和企業(yè)意見在加速全球電動(dòng)汽車(EV)的發(fā)展。這為車載充電器(OBC)帶來在未來幾年巨大的增長(zhǎng)空間，根據(jù)最近的趨勢(shì)，到2024年的復(fù)合年增長(zhǎng)率(CAGR(TAM))估計(jì)將達(dá)到37.6%或更高。對(duì)于全球OBC模塊正在設(shè)計(jì)中的汽車，提高系統(tǒng)能效或定義一種高度可靠的新拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)已成為迫在眉睫的挑戰(zhàn)。
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對(duì)于電源管理來說，碳化硅到底比硅強(qiáng)了多少？
諸如太陽能和風(fēng)力發(fā)電之類的創(chuàng)新技術(shù)正在加速取代傳統(tǒng)燃料為基礎(chǔ)的電廠，并且由于儲(chǔ)能和收集方法的改善，從而節(jié)省了大量成本，已經(jīng)超過了昂貴的“發(fā)電廠”。
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意法半導(dǎo)體發(fā)布隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，可安全控制碳化硅MOSFET
STGAP2SiCS是意法半導(dǎo)體STGAP系列隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的最新產(chǎn)品，可安全地控制碳化硅(SiC) MOSFET，工作電源電壓高達(dá)1200V。
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碳化硅半導(dǎo)體2021年技術(shù)展望
隨著寬禁帶技術(shù)不斷滲透到傳統(tǒng)和新興的電力電子應(yīng)用中，半導(dǎo)體廠商一直在以驚人的速度開發(fā)其產(chǎn)品系列。其中一些已發(fā)布了多代技術(shù)產(chǎn)品。安森美半導(dǎo)體憑借其經(jīng)證實(shí)的碳化硅(SiC)MOSFET器件性能和對(duì)客戶一流的支持，是該領(lǐng)域的一個(gè)領(lǐng)袖。
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碳化硅、氮化鎵有什么差別？
人工智能（AI）、邊緣運(yùn)算與萬物聯(lián)網(wǎng)趨勢(shì)，帶來無所不在的感測(cè)、通訊與功率解決方案需求，化合物半導(dǎo)體的重要性也隨之暴增。從資料中心里的服務(wù)器、網(wǎng)通設(shè)備，到手機(jī)上的 RF 功率放大器，以及為所有電子元件供應(yīng)電力的功率元件，都將因化合物半導(dǎo)體的普遍運(yùn)用，在性能上出現(xiàn)重大突破。
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寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)：碳化硅功率MOSFET模型的部分特性
寬禁帶材料實(shí)現(xiàn)了較當(dāng)前硅基技術(shù)的飛躍。它們的大帶隙導(dǎo)致較高的介電擊穿，從而降低了導(dǎo)通電阻(RSP)。更高的電子飽和速度支持高頻設(shè)計(jì)和工作，降低的漏電流和更好的導(dǎo)熱性有助于高溫下的工作。安森美半導(dǎo)體提供圍繞寬禁帶方案的獨(dú)一無二的生態(tài)系統(tǒng)，包含從旨在提高強(qiáng)固性和速度的碳化硅(SiC)...
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英飛凌通過與GT Advanced Technologies合作擴(kuò)大碳化硅供應(yīng)基礎(chǔ)
GT Advanced Technologies與英飛凌科技（Infineon Technologies AG）聯(lián)合新聞稿德國(guó)慕尼黑和新罕布什爾州哈德遜, Nov. 13, 2020 (GLOBE
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基本半導(dǎo)體完成數(shù)億元B輪融資，打造行業(yè)領(lǐng)先的碳化硅IDM企業(yè)
2020年12月31日，致力于碳化硅功率器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化的國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)基本半導(dǎo)體宣布完成數(shù)億元人民幣B輪融資，由聞泰科技領(lǐng)投，深圳市投控資本、民和資本、屹唐長(zhǎng)厚、四海新材料等機(jī)構(gòu)跟投，原股東力合資本追加投資。
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臺(tái)積電想再稱霸20年，就得靠這種新材料！
第三代半導(dǎo)體雖然發(fā)展已經(jīng)有一段時(shí)間，不過，其實(shí)今年以來，才逐漸開始廣為人知，尤其是中國(guó)大陸在今年發(fā)布的「十四五規(guī)劃」，將第三代半導(dǎo)體納入其中，再度引起市場(chǎng)對(duì)第三代半導(dǎo)體的關(guān)注。
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國(guó)內(nèi)首家!打通碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈，三安集成完成量產(chǎn)平臺(tái)打造
中國(guó)化合物半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈制造平臺(tái)——三安集成日前宣布，已經(jīng)完成碳化硅MOSFET器件量產(chǎn)平臺(tái)的打造。首發(fā)1200V 80mΩ產(chǎn)品已完成研發(fā)并通過一系列產(chǎn)品性能和可靠性測(cè)試，其可廣泛適用于光伏逆變器、開關(guān)電源、脈沖電源、高壓DC/DC、新能源充電和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域，有助于減小系統(tǒng)體積，降低系統(tǒng)功耗，提升電源系統(tǒng)功率密度。目前多家客戶處于樣品測(cè)試階段。
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SiC取代Si器件的道路上，最大的挑戰(zhàn)已被攻克
作為第三代半導(dǎo)體，SiC憑借著多方面更優(yōu)異的性能正在向更多應(yīng)用領(lǐng)域擴(kuò)展，但不容回避，成本、易用性方面，傳統(tǒng)的SiC器件在某些方面仍然稍遜于硅器件，這也讓碳化硅器件取代硅器件的發(fā)展之路面臨挑戰(zhàn)。
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最全！解析碳化硅外延材料產(chǎn)業(yè)鏈
與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同的是，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長(zhǎng)高質(zhì)量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。碳化硅一般采用PVT方法，溫度高達(dá)2000多度，且加工周期比較長(zhǎng)，產(chǎn)出比較低，因而碳化硅襯底的成本是非常高的。
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