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碳化硅頭部企業(yè)基本半導(dǎo)體完成C2輪融資，廣汽資本、潤峽招贏、藍(lán)海華騰聯(lián)合投資
6月7日，國內(nèi)第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件頭部企業(yè)——基本半導(dǎo)體在公司成立六周年之際宣布完成C2輪融資，由廣汽資本、潤峽招贏、藍(lán)海華騰等機構(gòu)聯(lián)合投資。本輪融資將用于進(jìn)一步推動碳化硅功率器件的研發(fā)進(jìn)度以及制造基地的建設(shè)，著力加強在新能源汽車及光伏發(fā)電領(lǐng)域的市場拓展，確保基本半導(dǎo)體在國產(chǎn)碳化硅器件領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
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國際碳化硅專利布局報告出爐，MOSFET量產(chǎn)公司派恩杰受關(guān)注
在幾家造車新勢力高調(diào)推出搭載碳化硅芯片模組的主驅(qū)逆變器大功率平臺電動汽車后，中國功率半導(dǎo)體上車進(jìn)程開始進(jìn)入白熱化，電車廠紛紛加快碳化硅模塊的研發(fā)及布局。
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正式合作！緯湃科技與英飛凌簽署碳化硅合作協(xié)議
5月 31 日，動力總成驅(qū)動技術(shù)及電氣化解決方案供應(yīng)商緯湃科技與英飛凌科技公司簽署了碳化硅合作協(xié)議，共同優(yōu)化碳化硅組件，加快產(chǎn)能提升，以滿足強勁增長的電動市場需求。
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意法半導(dǎo)體與賽米控合作，在下一代電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)中集成碳化硅功率技術(shù)
與ST的長期工程和零件供貨合作助力賽米控新eMPack?電源模塊系列贏得首張10億歐元大單
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使用碳化硅提高工業(yè)應(yīng)用的能源效率
工業(yè)應(yīng)用程序，如服務(wù)器電源、不間斷電源(UPS)和電機驅(qū)動器，消耗了世界上的很大一部分電力。因此，工業(yè)電力供應(yīng)效率的任何提高都將大大降低公司的運營成本。結(jié)合更大的功率密度和更好的熱性能，對高效電源的需求呈指數(shù)級增長。 有幾個因素推動了這種增長。第一個是全球?qū)δ茉匆庾R的提高，以及更明智和更有效地使用能源。第二個是物聯(lián)網(wǎng)(IoT)，它導(dǎo)致各種新技術(shù)和服務(wù)引入工業(yè)應(yīng)用。
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UnitedSiC(現(xiàn)已被 Qorvo收購)宣布推出行業(yè)先進(jìn)的高性能 1200 V 第四代 SiC FET
中國北京 - 2022 年 5 月 17 日 – 移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?(納斯達(dá)克代碼：QRVO)今天宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 系列，該系列具有出色的導(dǎo)通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線架構(gòu)，這種架構(gòu)常見于電動汽車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC/DC 太陽能逆變器、焊接機、不間斷電源和感應(yīng)加熱等應(yīng)用。
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安森美推出全球首款TOLL封裝650 V碳化硅MOSFET
新器件縮小封裝尺寸60%，增強性能并減少損耗
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UnitedSiC(現(xiàn)名Qorvo)宣布推出具有業(yè)界出眾品質(zhì)因數(shù)的1200V第四代SiC FET
2022年5月11日 – 移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?(納斯達(dá)克代碼：QRVO)今日宣布推出新一代1200V碳化硅(SiC)場效應(yīng)晶體管(FET)系列，這些產(chǎn)品在導(dǎo)通電阻方面具備業(yè)界出眾的性能表征。新的UF4C/SC系列1200V第四代SiC FET非常適合主流的800V總線結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)常見于電動車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、直流太陽能逆變器、焊機、不間斷電源和感應(yīng)加熱應(yīng)用。
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新型 SiC 基板提升功率器件
電動汽車、電信和工業(yè)應(yīng)用對技術(shù)的需求不斷增長，這促使 Soitec 和應(yīng)用材料公司共同制定了用于功率器件的下一代碳化硅 (SiC)襯底的聯(lián)合開發(fā)計劃。該計劃旨在提供技術(shù)和產(chǎn)品，以提高下一代電動汽車的 SiC 器件的性能和可用性。
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Soitec 發(fā)布首款 200mm SmartSiC? 碳化硅優(yōu)化襯底
基于獨家專利技術(shù) SmartSiC? 打造，助力提升電力電子設(shè)備的性能與電動汽車的能效
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貿(mào)澤電子開售Qorvo旗下UnitedSiC的UF3N170400B7S 1700V SiC JFET
2022年4月29日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨 UnitedSiC(現(xiàn)已被Qorvo?收購)的UF3N170400B7S JFET。UF3N170400B7S是一款高性能的第三代碳化硅 (SiC) 常開JFET，為過流保護(hù)電路、DC-AC逆變器、開關(guān)電源 、功率因數(shù)校正模塊、電機驅(qū)動和感應(yīng)加熱等應(yīng)用提供了理想解決方案。
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碳化硅的成本和EV 應(yīng)用的性能提升之間的衡量，成本問題可能影響碳化硅使用
電力電子仍然主要基于標(biāo)準(zhǔn)硅器件。雖然三電平和其他硅電路拓?fù)湔诔霈F(xiàn)以提高效率，但新的碳化硅 (SiC) 設(shè)計正在出現(xiàn)，以滿足電動汽車不斷增長的高功率要求。 三菱電機美國公司的功率器件經(jīng)理強調(diào)了碳化硅與標(biāo)準(zhǔn)硅實現(xiàn)相比的前景。他們表示，可以通過將硅與碳化硅相結(jié)合的混合技術(shù)來提高效率。例如，具有碳化硅肖特基勢壘二極管的硅基絕緣柵雙極晶體管 (IBGT) 以相對較小的成本增加實現(xiàn)了效率提高。對于許多應(yīng)用來說，這代表了成本和性能之間的折衷。
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Microchip推出業(yè)界領(lǐng)先的3.3 kV碳化硅(SiC)功率器件，實現(xiàn)更高的效率與可靠性
3.3 kV碳化硅MOSFET和肖特基勢壘二極管(SBD)擴大了設(shè)計人員對交通、能源和工業(yè)系統(tǒng)中的高壓電力電子產(chǎn)品的選擇范圍
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SiC碳化硅功率器件SBD特性
碳化硅和氮化鎵是目前商業(yè)前景最明朗的半導(dǎo)體材料，堪稱半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)新一代“黃金賽道”。 歷史上人類第一次發(fā)現(xiàn)碳化硅是在1891年，美國人艾奇遜在電溶金剛石的時候發(fā)現(xiàn)一種碳的化合物，這就是碳化硅首次合成和發(fā)現(xiàn)。在經(jīng)歷了百年的探索之后，特別是進(jìn)入21世紀(jì)以后，人類終于理清了碳化硅的優(yōu)點和特性，并利用碳化硅特性，做出各種新器件，碳化硅行業(yè)得到較快發(fā)展。
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綠色出行：英飛凌CoolSiC?功率模塊可將有軌電車的能耗降低10%
【2022年3月7日，德國慕尼黑訊】全球逐步淘汰化石燃料這一趨勢給包括交通運輸在內(nèi)的許多行業(yè)都帶來了挑戰(zhàn)。舉例來說，整個社會向綠色出行方式轉(zhuǎn)型，就需要減少短途航班及駕車出行，而這勢必會促進(jìn)軌道交通的發(fā)展。政府發(fā)布的減碳措施也印證了這一點：例如歐洲計劃提供高達(dá)數(shù)十億歐元的補貼來支持軌道交通的發(fā)展。隨著傳統(tǒng)的內(nèi)燃機車、軌道車逐步被環(huán)保的電力機車所取代，交通運輸行業(yè)的變革也即將來臨。
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Ampleon發(fā)布增強性能的第3代碳化硅基氮化鎵晶體管
頻率覆蓋范圍廣并且具有高效率和高線性度
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PI全新汽車級開關(guān)電源IC，不止降耗增效這么簡單！
近日全球領(lǐng)先的高壓集成電路供應(yīng)商Power Integrations擴充了旗下InnoSwitch?3-AQ產(chǎn)品系列陣容，研發(fā)并推出了兩款符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)、額定電壓1700V的汽車級開關(guān)電源IC，其“高輸入電壓，高輸出精度”的優(yōu)勢將為業(yè)界樹立全新性能標(biāo)桿！
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英飛凌將投資逾20億歐元在馬來西亞居林前道工廠擴大寬禁帶半導(dǎo)體的產(chǎn)能，進(jìn)一步增強市場領(lǐng)導(dǎo)地位
【2022年2月21日，德國慕尼黑和馬來西亞居林訊】英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)將顯著擴大寬禁帶(碳化硅和氮化鎵)半導(dǎo)體的產(chǎn)能，進(jìn)一步鞏固和增強其在功率半導(dǎo)體市場的領(lǐng)導(dǎo)地位。公司將斥資逾20億歐元，在馬來西亞居林工廠建造第三個廠區(qū)。建成之后，新廠區(qū)將用于生產(chǎn)碳化硅和氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，每年可為英飛凌創(chuàng)造20億歐元的收入。
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意法半導(dǎo)體雙通道柵極驅(qū)動器優(yōu)化并簡化SiC和IGBT開關(guān)電路
2022年2月15日，中國---意法半導(dǎo)體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET柵極驅(qū)動器在高壓電力變換和工業(yè)應(yīng)用中節(jié)省空間，簡化電路設(shè)計。
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2022年開工第一天，派恩杰半導(dǎo)體在全球首推PD 快充的碳化硅應(yīng)用方案
隨著第三代半導(dǎo)體的普及，及對功率密度的高需求，第三代半導(dǎo)體在一些高功率應(yīng)用領(lǐng)域逐漸取代硅功率器件。而在USB PD 快充產(chǎn)品上為了降低了開關(guān)損耗并提高開關(guān)頻率此前普遍使用氮化鎵功率器件。事實上，不僅氮化鎵可以用在USB PD快充上，新能源汽車熱門功率器件碳化硅MOSFET也很有應(yīng)用優(yōu)勢。
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