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[導(dǎo)讀]點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”,馬上加入我們哦!東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)近日宣布,面向工業(yè)應(yīng)用推出一款集成最新開發(fā)的雙通道碳化硅(SiC)MOSFET芯片(具有3300V和800A特征)的模塊---“MG800FXF2YMS3”,該產(chǎn)品將于2021年5月投入量產(chǎn)。為達(dá)到17...


點(diǎn)擊東芝半導(dǎo)體”,馬上加入我們哦!


東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)近日宣布,面向工業(yè)應(yīng)用推出一款集成最新開發(fā)的雙通道碳化硅(SiC)MOSFET芯片(具有3300V和800A特征)的模塊---“MG800FXF2YMS3”,該產(chǎn)品將于2021年5月投入量產(chǎn)。


東芝推出新款碳化硅MOSFET模塊,有助于提升工業(yè)設(shè)備效率和小型化


為達(dá)到175℃的通道溫度,該產(chǎn)品采用具有銀燒結(jié)內(nèi)部鍵合技術(shù)和高貼裝兼容性的iXPLV(智能柔性封裝低電壓)封裝。這款模塊可充分滿足軌道車輛和可再生能源發(fā)電系統(tǒng)等工業(yè)應(yīng)用對(duì)高效緊湊設(shè)備的需求。


應(yīng)用

  • 用于軌道車輛的逆變器和轉(zhuǎn)換器

  • 可再生能源發(fā)電系統(tǒng)

  • 工業(yè)電機(jī)控制設(shè)備


特性

  • 漏源額定電壓:VDSS=3300V

  • 漏極額定電流:ID=800A雙通道

  • 寬通道溫度范圍:Tch=175℃

  • 低損耗:

    Eon=250mJ(典型值)

    Eoff=240mJ(典型值)

    VDS(on)sense=1.6V(典型值)

  • 低雜散電感:Ls=12nH(典型值)

  • 高功率密度的小型iXPLV封裝


主要規(guī)格

(除非另有說(shuō)明,@Tc=25℃)

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*本文提及的公司名稱、產(chǎn)品名稱和服務(wù)名稱可能是其各自公司的商標(biāo)。

*本文檔中的產(chǎn)品價(jià)格和規(guī)格、服務(wù)內(nèi)容和聯(lián)系方式等信息,在公告之日仍為最新信息,但如有變更,恕不另行通知。


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關(guān)于東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社


東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社,融新公司活力與經(jīng)驗(yàn)智慧于一身。自2017年7月成為獨(dú)立公司以來(lái),已躋身通用元器件公司前列,為客戶和合作伙伴提供分立半導(dǎo)體、系統(tǒng)LSI和HDD領(lǐng)域的杰出解決方案。


公司24,000名員工遍布世界各地,致力于實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品價(jià)值的最大化。東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社十分注重與客戶的密切協(xié)作,旨在促進(jìn)價(jià)值共創(chuàng),共同開拓新市場(chǎng),實(shí)現(xiàn)了超過7500億日元(68億美元)的年銷售額。公司期望為世界各地的人們建設(shè)更加美好的未來(lái)。


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