在科學(xué)技術(shù)高度發(fā)達(dá)的今天，各種各樣的高科技出現(xiàn)在我們的生活中，為我們的生活帶來便利，那么你知道這些高科技可能會(huì)含有的碳化硅(SiC)MOSFET嗎?

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布，推出新款1200V碳化硅(SiC)MOSFET---“TW070J120B”。該產(chǎn)品面向工業(yè)應(yīng)用(包括大容量電源)，并于今日開始出貨。

SiC‐MOSFET 與IGBT 不同，不存在開啟電壓，所以從小電流到大電流的寬電流范圍內(nèi)都能夠?qū)崿F(xiàn)低導(dǎo)通損耗。

該功率MOSFET采用碳化硅(SiC)這種新材料，與常規(guī)的硅(Si)MOSFET、IGBT產(chǎn)品相比，具有高耐壓、高速開關(guān)和低導(dǎo)通電阻特性，有利于降低功耗，精簡系統(tǒng)。

而Si‐MOSFET 在150℃時(shí)導(dǎo)通電阻上升為室溫條件下的2 倍以上，與Si‐MOSFET 不同，SiC‐MOSFET的上升率比較低，因此易于熱設(shè)計(jì)，且高溫下的導(dǎo)通電阻也很低。

新產(chǎn)品采用了可提高碳化硅MOSFET可靠性的東芝第二代芯片設(shè)計(jì)生產(chǎn)[1]，實(shí)現(xiàn)了輸入電容低、柵輸入電荷低、漏源導(dǎo)通電阻低等特性。與東芝推出的1200V硅絕緣柵雙極晶體管(IGBT)“GT40QR21”相比，“TW070J120B”關(guān)斷開關(guān)損耗降低80%左右，開關(guān)時(shí)間(下降時(shí)間)縮短大約70%，并且能夠在不超過20A[2]的漏極電流下提供低導(dǎo)通電壓。

SiC‐MOSFET 的漂移層阻抗比Si‐MOSFET 低，但是另一方面，按照現(xiàn)在的技術(shù)水平，SiC‐MOSFET的MOS 溝道部分的遷移率比較低，所以溝道部的阻抗比Si 器件要高。

它的柵閾值電壓被設(shè)置在4.2V至5.8V的較高電壓范圍內(nèi)，有助于減少故障風(fēng)險(xiǎn)(意外開啟或關(guān)閉)。此外，內(nèi)置的具有低正向電壓的碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)也有助于降低功率損耗。

SiC‐MOSFET 的閾值電壓在數(shù)mA 的情況下定義的話，與Si‐MOSFET 相當(dāng)，室溫下大約3V(常閉)。

在大容量AC-DC轉(zhuǎn)換器、光伏逆變器、大容量雙向DC-DC轉(zhuǎn)換器等工業(yè)應(yīng)用中，這種新型MOSFET不僅將通過降低功率損耗來達(dá)到提高效率的目的，而且也將為縮小設(shè)備尺寸做出貢獻(xiàn)。

以上就是碳化硅(SiC)MOSFET的一些值得大家學(xué)習(xí)的詳細(xì)資料解析，希望在大家剛接觸的過程中，能夠給大家一定的幫助，如果有問題，也可以和小編一起探討。