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半導(dǎo)體制程再微縮經(jīng)濟效益慘淡

晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-YiChiang)在日前于美國舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示，在接下來十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見的，可直達7nm節(jié)點;但在7nm節(jié)點以下

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2011-11-02

半導(dǎo)體節(jié)點晶體管半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
半導(dǎo)體制程再微縮經(jīng)濟效益慘淡

晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示，在接下來十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見的，可直達 7nm節(jié)點;但在 7nm節(jié)點

消費電子
2011-11-02

半導(dǎo)體節(jié)點晶體管半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
半導(dǎo)體制程再微縮經(jīng)濟效益慘淡

晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示，在接下來十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見的，可直達 7nm節(jié)點;但在 7nm節(jié)點

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2011-11-02

半導(dǎo)體節(jié)點晶體管半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
十年后半導(dǎo)體制程微縮之挑戰(zhàn)在成本而非技術(shù)

晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示，在接下來十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見的，可直達 7納米節(jié)點；但在 7納米

半導(dǎo)體
2011-11-01

半導(dǎo)體節(jié)點晶體管半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
十年后半導(dǎo)體制程微縮之挑戰(zhàn)在成本而非技術(shù)

晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-YiChiang)在日前于美國舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示，在接下來十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見的，可直達7納米節(jié)點；但在7納米節(jié)

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2011-11-01

半導(dǎo)體節(jié)點晶體管半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
十年后半導(dǎo)體制程微縮之挑戰(zhàn)在成本而非技術(shù)

晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示，在接下來十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見的，可直達 7納米節(jié)點，但在 7

消費電子
2011-11-01

半導(dǎo)體節(jié)點晶體管半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
十年后半導(dǎo)體制程微縮之挑戰(zhàn)在成本而非技術(shù)

晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示，在接下來十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見的，可直達 7納米節(jié)點，但在 7納米

電子設(shè)計自動化
2011-11-01

半導(dǎo)體節(jié)點晶體管半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
十年后半導(dǎo)體制程微縮之挑戰(zhàn)在成本而非技術(shù)

晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示，在接下來十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見的，可直達 7納米節(jié)點；但在 7納米

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2011-11-01

半導(dǎo)體節(jié)點晶體管半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
葉景圖主持粵LED產(chǎn)業(yè)聯(lián)合創(chuàng)新中心理事會

10月31日，葉景圖副廳長主持召開了廣東省半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)聯(lián)合創(chuàng)新中心（以下簡稱“聯(lián)合創(chuàng)新中心”）第一屆第一次理事會。佛山市科技局、佛山市南海區(qū)經(jīng)促局、省半導(dǎo)體光源產(chǎn)業(yè)協(xié)會等單位負責(zé)同志以及聯(lián)合創(chuàng)新中心21家

顯示光電
2011-11-01

半導(dǎo)體照明照明產(chǎn)業(yè) LED產(chǎn)業(yè) 節(jié)點
22nm以下半導(dǎo)體光刻工藝最大挑戰(zhàn)將來自成本

晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示，在接下來十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進行半導(dǎo)體工藝光刻的途徑是清晰可見的，可直達7納米節(jié)點；但在7納米節(jié)

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2011-10-28

光刻半導(dǎo)體節(jié)點晶體管
以太網(wǎng)協(xié)議實時性的設(shè)計方案

1 概述　　在工業(yè)控制系統(tǒng)中，現(xiàn)場總線技術(shù)的發(fā)展使智能現(xiàn)場設(shè)備和自動化系統(tǒng)以全數(shù)字式、雙向傳輸、多分支結(jié)果的通信控制網(wǎng)絡(luò)相連，使工業(yè)控制系統(tǒng)向分散化、網(wǎng)絡(luò)化和智能化發(fā)展。但是由于各類現(xiàn)場總線標(biāo)準(zhǔn)之間的不

通信技術(shù)
2011-10-27

以太網(wǎng) BSP ETHERCAT 節(jié)點
3D閃存將優(yōu)先于RRAM技術(shù)進入市場

基于金屬氧化物的非揮發(fā)性存儲器 ──電阻式RAM(RRAM)，在11nm節(jié)點前不可能進入市場；在此之前，堆疊式浮閘NAND閃存相對較具潛力，而且很可能會朝向2~4Tbit的獨立型整合芯片發(fā)展，IMEC研究所存儲器研究專案總監(jiān)Laith

智能硬件
2011-10-27

存儲器 RAM 3D閃存節(jié)點
臺積電：半導(dǎo)體技術(shù)可達7nm節(jié)點，最大挑戰(zhàn)不在技術(shù)

【OFweek電子工程網(wǎng)原創(chuàng)】：代工巨頭臺灣積體電路制造股份有限公司（TSMC）資深研發(fā)副總裁蔣尚義在25日舉行的ARM TechCon大會上指出，未來10年，通過采用FinFET技術(shù)，半導(dǎo)體技術(shù)可達7nm節(jié)點。他說，7nm節(jié)點之后，最

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2011-10-27

芯片臺積電半導(dǎo)體技術(shù) 節(jié)點
十年后IC制程微縮挑戰(zhàn)在于成本　而非技術(shù)

晶圓代工大廠臺積電(TSMC)資深研發(fā)副總裁蔣尚義(Shang-Yi Chiang)在日前于美國舉行的ARM技術(shù)論壇(TechCon)上表示，在接下來十年以FinFET技術(shù)持續(xù)進行半導(dǎo)體制程微縮的途徑是清晰可見的，可直達 7奈米節(jié)點；但在 7奈米

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2011-10-27

晶片電晶體 IC 節(jié)點
用于汽車網(wǎng)絡(luò)的LIN協(xié)議分析

LIN協(xié)議適用于汽車內(nèi)進行低成本、短距離、低速網(wǎng)絡(luò)通信，其用途是傳輸開關(guān)設(shè)置狀態(tài)以及對開關(guān)變化響應(yīng)。本文詳細分析了LIN總線協(xié)議的特性、消息協(xié)議的組成、檢錯機制等，并介紹如何基于PICmicro器件來實現(xiàn)LIN總線從節(jié)

通信技術(shù)
2011-10-22

汽車網(wǎng)絡(luò) LIN協(xié)議 BSP 節(jié)點
用于汽車網(wǎng)絡(luò)的LIN協(xié)議分析

LIN協(xié)議適用于汽車內(nèi)進行低成本、短距離、低速網(wǎng)絡(luò)通信，其用途是傳輸開關(guān)設(shè)置狀態(tài)以及對開關(guān)變化響應(yīng)。本文詳細分析了LIN總線協(xié)議的特性、消息協(xié)議的組成、檢錯機制等，并介紹如何基于PICmicro器件來實現(xiàn)LIN總線從節(jié)

數(shù)字電源
2011-10-19

汽車網(wǎng)絡(luò) LIN協(xié)議 BSP 節(jié)點
明導(dǎo)國際與臺積電在65奈米制程密切合作

明導(dǎo)國際(MentorGraphics)將與臺積電(TSMC)共同合作，從臺積電的65奈米制程節(jié)點開始，支援CalibreYieldEnhancer產(chǎn)品中的SmartFill功能；SmartFill解決方案的分析與自動化填充(filling)功能，可讓設(shè)計人員無需以手動客

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2011-10-14

臺積電 SMART CALIBRE 節(jié)點
明導(dǎo)國際與臺積電在65奈米制程密切合作

明導(dǎo)國際(Mentor Graphics)將與臺積電(TSMC)共同合作，從臺積電的 65奈米制程節(jié)點開始，支援 Calibre YieldEnhancer 產(chǎn)品中的 SmartFill 功能； SmartFill 解決方案的分析與自動化填充(filling)功能，可讓設(shè)計人員無

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2011-10-14

臺積電 SMART CALIBRE 節(jié)點
聯(lián)電與Synopsys擴展夥伴關(guān)系至28奈米制程節(jié)點

聯(lián)華電子(UMC，以下簡稱聯(lián)電)與新思科技(Synopsys)共同宣布雙方擴展夥伴關(guān)系，將于聯(lián)電 28奈米HLP Poly SiON制程平臺上開發(fā)新思科技的 DesignWare IP 。延續(xù)之前在聯(lián)電40奈米與55奈米制程的成功經(jīng)驗，新思科技將會于

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2011-10-14

聯(lián)電新思科技 SYNOPSYS 節(jié)點
高鐵監(jiān)控面臨諸多困局安防企業(yè)如何發(fā)展突破

資料顯示，到2013年，我國鐵路總投資將達到3.5萬億人民幣，根據(jù)規(guī)劃，到2012年我國將建成客運專線42條，總里程1.3萬公里，全國將形成“四縱四橫”鐵路快速客運通道，東部、中部和西部地區(qū)大多數(shù)大城市都納入規(guī)劃。而

消費電子
2011-10-11

視頻監(jiān)控系統(tǒng) 高鐵安防節(jié)點

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節(jié)點

半導(dǎo)體制程再微縮經(jīng)濟效益慘淡

半導(dǎo)體制程再微縮經(jīng)濟效益慘淡

半導(dǎo)體制程再微縮經(jīng)濟效益慘淡

十年后半導(dǎo)體制程微縮之挑戰(zhàn)在成本而非技術(shù)

十年后半導(dǎo)體制程微縮之挑戰(zhàn)在成本而非技術(shù)

十年后半導(dǎo)體制程微縮之挑戰(zhàn)在成本而非技術(shù)

十年后半導(dǎo)體制程微縮之挑戰(zhàn)在成本而非技術(shù)

十年后半導(dǎo)體制程微縮之挑戰(zhàn)在成本而非技術(shù)

葉景圖主持粵LED產(chǎn)業(yè)聯(lián)合創(chuàng)新中心理事會

22nm以下半導(dǎo)體光刻工藝最大挑戰(zhàn)將來自成本

以太網(wǎng)協(xié)議實時性的設(shè)計方案

3D閃存將優(yōu)先于RRAM技術(shù)進入市場

臺積電：半導(dǎo)體技術(shù)可達7nm節(jié)點，最大挑戰(zhàn)不在技術(shù)

十年后IC制程微縮挑戰(zhàn)在于成本　而非技術(shù)

用于汽車網(wǎng)絡(luò)的LIN協(xié)議分析

用于汽車網(wǎng)絡(luò)的LIN協(xié)議分析

明導(dǎo)國際與臺積電在65奈米制程密切合作

明導(dǎo)國際與臺積電在65奈米制程密切合作

聯(lián)電與Synopsys擴展夥伴關(guān)系至28奈米制程節(jié)點

高鐵監(jiān)控面臨諸多困局安防企業(yè)如何發(fā)展突破

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