
市場(chǎng)上普遍認(rèn)為,MOSFET在2019年價(jià)格預(yù)估有開始衰退的可能,其原因來自全球MOSFET需求吃緊狀況減緩,以及中國(guó)自有12英寸廠功率半導(dǎo)體的逐步放量。
英飛凌科技股份公司推出業(yè)界首個(gè)16相數(shù)字PWM控制器XDPE132G5C,進(jìn)一步壯大其大電流系統(tǒng)芯片組解決方案產(chǎn)品陣營(yíng)。該產(chǎn)品方案可針對(duì)高端人工智能(AI)服務(wù)器和5G數(shù)據(jù)通信設(shè)備所使用的新一代CPU、GPU、FPGA和ASIC等,提供500 -1000 A甚至更高的供電電流。
在這樣一個(gè)制造商頗難脫穎而出的市場(chǎng)上,LG發(fā)布的2019款新機(jī)LG G8ThinQ 將扭轉(zhuǎn)局面:采用專用飛行時(shí)間(ToF)攝像頭的智能手機(jī)首度問世。
英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)在西班牙巴塞羅那2019年世界移動(dòng)通信大會(huì)上展示第四代REAL3™圖像傳感器IRS2771C。該3D飛行時(shí)間(ToF)單芯片器件旨在滿足移動(dòng)消費(fèi)終端市場(chǎng)的需求,特別是滿足利用小鏡頭支持更高分辨率的需求。
2019年的半導(dǎo)體市場(chǎng)可能趨冷,這是很多機(jī)構(gòu)給出的預(yù)測(cè)。但是英飛凌對(duì)自己未來的業(yè)績(jī)依舊充滿信心。
英飛凌科技大中華區(qū)總裁蘇華博士和英飛凌科技股份公司企業(yè)傳播及政府事務(wù)全球副總裁 Klaus Walther等人對(duì)于2018年的營(yíng)收和2019年的戰(zhàn)略進(jìn)行了分享。蘇華表示,2019年英飛凌將發(fā)揮差異化競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),堅(jiān)持與中國(guó)共贏的策略,實(shí)現(xiàn)高于市場(chǎng)平均水平的高增長(zhǎng)速度。
雖然目前市面上的應(yīng)用主要以硅基器件為主,但在一些高功率、高電壓應(yīng)用中,硅基器件有些捉襟見肘,而氮化鎵和碳化硅卻能很好地滿足這些應(yīng)用場(chǎng)景。這主要是因?yàn)椋麄儗儆趯捊麕О雽?dǎo)體材料,與硅等傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料相比,具有更寬的帶隙。其中硅的帶隙是1.1電子伏特,氮化鎵是3.4電子伏特。