電子垃圾成山 生產(chǎn)者 消費者 回收者 都有責(zé)任

生產(chǎn)者：減少有毒有害物質(zhì)的使用；延長產(chǎn)品使用壽命；提高產(chǎn)品的再利用特性 隨著“老三件”使用年限集中到期，近些年，我國家用電器與電子產(chǎn)品淘汰量逐年快速增長。據(jù)統(tǒng)計，2003年起，我國每年至少有500萬臺電視機

先進廢舊電路板處理技術(shù)將亮相環(huán)保論壇

一項由北京航空航天大學(xué)開發(fā)的首創(chuàng)性、專利廢舊電路板處理技術(shù)即將在第九屆中關(guān)村電腦節(jié)上推出，該技術(shù)在電子環(huán)保壓力日漸加大、電子環(huán)保產(chǎn)業(yè)化趨勢日趨明顯的今天具有廣闊的市場前景和投資價值。此項技術(shù)將在

先進廢舊電路板處理技術(shù)將亮相環(huán)保論壇

一項由北京航空航天大學(xué)開發(fā)的首創(chuàng)性、專利廢舊電路板處理技術(shù)即將在第九屆中關(guān)村電腦節(jié)上推出，該技術(shù)在電子環(huán)保壓力日漸加大、電子環(huán)保產(chǎn)業(yè)化趨勢日趨明顯的今天具有廣闊的市場前景和投資價值。此項技術(shù)將在

把握“十一五”契機推進封裝業(yè)持續(xù)發(fā)展

隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，電子產(chǎn)品正朝著微型化、輕便化、多功能化、高集成化和高可靠性分析發(fā)展，被半導(dǎo)體器件與集成電路的封裝也朝著多引腳、細間距、多芯片系統(tǒng)級的封裝方向邁進。一、所面臨的機遇新的五年計劃

學(xué)習(xí)歐盟 限制電子垃圾進口需立法

繼WEEE、ROHS指令后，歐盟將出臺第三道環(huán)保指令EUP指令。近日，歐盟工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)委員會委員、有移動空調(diào)之父之稱的Mr.Zanolin來華布道，他透露，今年9月，歐盟各成員國將根據(jù)原有的框架性指令開始制定對關(guān)聯(lián)產(chǎn)品的

KLA將停產(chǎn)金屬薄膜測試產(chǎn)品

據(jù)EE Times網(wǎng)站報道，KLA-Tencor Corp.近期在Semicon West展會上宣布，將放棄其無電淀積成果并停止CD-SEM的研發(fā)和其金屬薄膜測試產(chǎn)品，目標(biāo)進一步加強其重點項目的研發(fā)。在2003年KLA-Tencor發(fā)布了其在線非接觸式金屬

臺灣推出小型壓力傳感器芯片

臺灣成功開發(fā)出了尺寸為50μm×50μm的小型壓力傳感器芯片，并在日前召開的“MEMS 2006”會議上進行了發(fā)布。通過對壓力傳感器部分的薄膜形成手法進行改進，實現(xiàn)了小型化。同時還使用明膠對傳感器部分進行了封裝。這種

Cymbal型復(fù)合壓電作動器微進給技術(shù)研究

針對普通壓電作動器行程較短的缺點，提出一種具有Cymbal結(jié)構(gòu)的復(fù)合壓電陶瓷作動器的結(jié)構(gòu)設(shè)計。

韓研制出2納米金屬線 半導(dǎo)體新工藝

日本FDK展示SPR傳感器

日本FDK日前展示了一款用于生物物質(zhì)及工業(yè)流體測定的表面等離子共振（SPR：Surface Plasmon Resonance）傳感器。SPR傳感器作為生物傳感器被廣泛使用。通過測定入射傳感器的光線在出射時的衰減，可以確定附著在傳感器

儀表測壓專用尼龍樹脂管開發(fā)成功

一種廣泛適用于儀器儀表測壓專用尼龍樹脂管前不久在河北景縣宏廣橡塑金屬制品有限公司研制開發(fā)成功。該產(chǎn)品具有使用壓力大、耐溫性能好、彎曲韌性高等特性，其爆破壓力達160MPa，使用溫度范圍在－40℃—120℃，內(nèi)不老

廣東電子拆機環(huán)境惡化 8成兒童鉛中毒

安立達到污染零排放

2004財政年（2004年04月-2005年3月），安立在Atsugi和Tanasawa的生產(chǎn)基地都達到了污染零排放的指標(biāo)。其實早在2001年安立位于Tohoku的生產(chǎn)研發(fā)基地就已經(jīng)達到了污染零排放，但是現(xiàn)在安立公司所有的研發(fā)和生產(chǎn)機構(gòu)都已

以色列研制出納米級電路開關(guān)

據(jù)魏茲曼研究院4月20日發(fā)布的消息，該院的材料科學(xué)家和化學(xué)家聯(lián)合已經(jīng)在實驗室中做出了一種新型微型電路開關(guān)，這種由有機分子構(gòu)成的分子級開關(guān)，可用于納米級的電子器件。 按照電流學(xué)原理，在電路電阻不變的情況下，

FSI國際在上海宣布推出全新PlatNiStrip™鎳鉑薄膜的工藝

美國明尼阿波利斯，中國上海（2005年3月14日）--FSI國際有限公司（納斯達克：FSII）今日在此間宣布推出一項新的研發(fā)成果，這項新的鎳鉑去除工藝旨在幫助集成電路制造商在65-nm技術(shù)節(jié)點實現(xiàn)自我對準(zhǔn)金屬硅化物(Sali