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看三星半導體工藝路線圖！明年5nm，后年3nm！
隨著Globalfoundries以及聯(lián)電退出先進半導體工藝研發(fā)、投資，全球有能力研發(fā)7nm及以下工藝的半導體公司就只剩下英特爾、臺積電及三星了，不過英特爾可以排除在代工廠之外，其他無晶圓公司可選的只
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臺積電邁向3nm進程 投資6000億新臺幣建廠
臺灣地區(qū)環(huán)保部門15日初審通過臺南科學園區(qū)二期基地開發(fā)暨原一期基地變更計劃環(huán)差案，該案主要是科技部因應臺積電3nm廠投資計劃提出環(huán)境差異分析報告。臺積電預計投資逾6000億元新臺幣(約合195億美元)以上興建3nm廠，2020年動工，最快2022年底量產(chǎn)。
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臺積電預投195億美元興建3nm廠
根據(jù)規(guī)劃，臺積電3nm案預計使用南科28公頃用地，并緊臨臺積電5nm廠，科技部預訂在2020年中交地給臺積電蓋廠房。
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臺媒：臺積電計劃2022年開始量產(chǎn)3nm芯片
臺積電在8月14日宣布，公司董事會已批準了一項約45億美元的資本預算。未來將會使用該預算來修建新的晶圓廠，而現(xiàn)在中國臺灣媒體報道稱，臺積電計劃2020年開始建造3nm制程的晶圓廠，希望能夠在2022年實現(xiàn)3nm制程芯片的量產(chǎn)。
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線寬微縮總有極限 集成電路仍有發(fā)展空間
半導體工藝的線寬微縮總有一個極限，這也意味著指導半導體業(yè)界發(fā)展50多年的摩爾定律終歸有失效的時候，目前公認的說法是3nm以下就不再起作用了。不過線寬微縮只是集成電路發(fā)展的一個方向，集成電路依然有別的突破口。
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三星計劃2021年量產(chǎn)采用3nm制程節(jié)點的GAA電晶體
三星重申計畫在今年下半年開始使用EUV微影技術(shù)實現(xiàn)量產(chǎn)的計劃，它將采用其7nm Low Power Plus制程進行制造。三星預計將成為第一家將業(yè)界多年來寄予厚望的EUV投入商業(yè)化生產(chǎn)的晶片制造商。臺積電和Globalfoundries宣布計畫于2019年開始使用EUV進行商業(yè)化生產(chǎn)。
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Imec 與 Cadence 成功流片首款 3nm 測試芯片
全球領先的納米電子與數(shù)字技術(shù)研發(fā)創(chuàng)新中心 imec 與楷登電子(美國 Cadence 公司)今日聯(lián)合宣布，得益于雙方的長期深入合作，業(yè)界首款 3nm 測試芯片成功流片。
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聯(lián)發(fā)科：摩爾定律的極限為3nm
摩爾定律是半導體的經(jīng)典理論之一，提出者是Intel聯(lián)合創(chuàng)始人戈登摩爾，他斷言“大約每兩年，晶體管密度就會增加1倍”。在今年9月份的“精尖制造日”上，Intel對外重申，摩爾定律在可觀察的未來都不會失效。同時，他們還將摩爾定律解釋為一種經(jīng)濟視角，即每兩年，單位晶體管的成本會縮減1半。
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臺積電已考慮3nm工藝，工廠將在臺灣地區(qū)建造
臺積電已經(jīng)成立30年了，之前我們也看到，蘋果的COO也出席了臺積電成立30周慶典，而杰夫·威廉姆斯還贊揚了該企業(yè)與蘋果開發(fā)A11仿生芯片之間的親密關(guān)系。 說到A11仿
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臺積電擬斥資逾超200億美元建3納米工廠
臺積電（TSMC）要穩(wěn)坐產(chǎn)業(yè)龍頭位置，付出的成本將變得愈來愈高了。
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勢不可擋！臺積電宣布建設3nm晶圓廠
作為業(yè)界代工行業(yè)的領頭羊，臺積電之前就已經(jīng)宣布即將投產(chǎn)7nm制程工藝，而現(xiàn)在臺積電又宣布將會在臺灣建設全新的3nm晶圓廠，開始沖擊半導體的物理極限。
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要想留住臺積電3nm廠，這些問題不解決是不行滴
據(jù)了解，臺積電最尖端的3納米新廠擴建計劃雖然要到明年上半年才會公布設廠地點，惟仍有環(huán)評、電力、用水、設廠地點等四大問題需要政府盡速解決。
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臺積電自曝3nm工藝：首選臺灣 其次美國
作為全球第一大代工廠，臺積電無疑是臺灣的驕傲，但因為種種原因，臺積電正在考慮赴美建廠，尤其是未來的3nm工藝，有消息稱很可能要移師美國，臺積電董事長張忠謀也曾明說不排除在美國建廠的可能。不過今天，臺積電
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臺積電打算興建晶圓廠 目標2022年率先導入3nm
晶圓代工大廠臺積電(TSMC)表示，該公司打算興建下一座晶圓廠，目標是在2022年領先市場導入5納米到3納米制程節(jié)點。
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臺積電投資5千億在3nm，5nm制程，或?qū)⒂?022年量產(chǎn)
近日，臺積電新聞發(fā)言人表示，新生產(chǎn)設施的投資額超過5000億元新臺幣(157億美元)，新工廠將能生產(chǎn)全世界最先進的芯片。
