IDT推出超低功耗±50ppm CrystalFree CMOS 振蕩器

21ic訊 IDT® 公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) ，推出業(yè)界首款擁有突破性 ±50 ppm 頻率精度和超低功耗的 CMOS 振蕩器。新器件代替了傳統(tǒng)的石英晶體振蕩器，在任何要求 ±

CMOS電路IDDQ測(cè)試電路設(shè)計(jì)

引言　　測(cè)試CMOS電路的方法有很多種，測(cè)試邏輯故障的一般方法是采用邏輯響應(yīng)測(cè)試，即通常所說(shuō)的功能測(cè)試。功能測(cè)試可診斷出邏輯錯(cuò)誤，但不能檢查出晶體管常開故障、晶體管常閉故障、晶體管柵氧化層短路，互連橋短路

Vishay Siliconix推出新款CMOS模擬開關(guān)和多路復(fù)用器

21ic訊 日前，Vishay Intertechnology宣布，推出4款可使用2.7V～16V單電源或±2.7V～±8V雙電源工作的新器件，充實(shí)其DG92xx系列CMOS模擬開關(guān)和多路復(fù)用器。新器件具有工作電壓范圍寬、小封裝尺寸和兼容低

永久性CMOS RAM的備用電源

巴克萊陸行之：臺(tái)積電Q4營(yíng)收恐仍衰退 產(chǎn)用率提升待明年Q2

晶圓代工廠臺(tái)積電(2330-TW)9月份合并營(yíng)收達(dá)334.6億元，月減11.3%，年減11.2%。但第3季營(yíng)收則受惠于8月份急單挹注達(dá)到1065.37億元，優(yōu)于原本預(yù)期。巴克萊資本證券亞太區(qū)半導(dǎo)體首席分析師陸行之出具報(bào)告表示，臺(tái)積電28

永久性CMOS RAM的備用電源

用CMOS構(gòu)成時(shí)間調(diào)節(jié)電焊機(jī)電路-b

用CMOS構(gòu)成時(shí)間調(diào)節(jié)電焊機(jī)電路-a

CMOS數(shù)字隔離器為智能電表提供數(shù)據(jù)保護(hù)

未來(lái)幾年由于消費(fèi)者對(duì)傳統(tǒng)機(jī)電式電表的更新?lián)Q代，智能電表市場(chǎng)預(yù)計(jì)將以每年兩位數(shù)的速度增長(zhǎng)。智能電表使用最新的集成電路(IC)技術(shù)進(jìn)行精確測(cè)量并報(bào)告消耗的電量，智能電表比機(jī)電式電表復(fù)雜，但更加注重測(cè)量數(shù)據(jù)的完

CMOS數(shù)字隔離器為智能電表提供數(shù)據(jù)保護(hù)

未來(lái)幾年由于消費(fèi)者對(duì)傳統(tǒng)機(jī)電式電表的更新?lián)Q代，智能電表市場(chǎng)預(yù)計(jì)將以每年兩位數(shù)的速度增長(zhǎng)。智能電表使用最新的集成電路(IC)技術(shù)進(jìn)行精確測(cè)量并報(bào)告消耗的電量，智能電表比機(jī)電式電表復(fù)雜，但更加注重測(cè)量數(shù)據(jù)的完

三星曬新技術(shù)：32nm雙核CPU1600萬(wàn)CMOS

為了在移動(dòng)終端領(lǐng)域取得更好的成績(jī)，頻頻推出新款手機(jī)、平板等設(shè)備顯然不夠。當(dāng)天三星還通過(guò)旗下Mobile Solutions Forum展示了該公司最新的處理器和傳感器技術(shù)。此次三星展示的是自家最新研發(fā)的雙核處理Exynos 4212，

三星曬新技術(shù)：32nm雙核CPU+1600萬(wàn)CMOS

為了在移動(dòng)終端領(lǐng)域取得更好的成績(jī)，頻頻推出新款手機(jī)、平板等設(shè)備顯然不夠。當(dāng)天三星還通過(guò)旗下Mobile Solutions Forum展示了該公司最新的處理器和傳感器技術(shù)。 此次三星展示的是自家最新研發(fā)的雙核處理Exynos 4

奇景去年?duì)I收衰退7.2%　估本季毛利率下滑

胡皓婷／臺(tái)北 TFT LCD驅(qū)動(dòng)IC設(shè)計(jì)業(yè)者奇景光電公布2010年財(cái)報(bào)，因客戶調(diào)整供貨比例的影響，奇景大尺寸驅(qū)動(dòng)IC營(yíng)收在2010年出現(xiàn)年衰退25.7%的情況，也是全年?duì)I收較2009年同期減少7.2%的主因。奇景執(zhí)行長(zhǎng)吳炳昌表示，雖

2024年CMOS半導(dǎo)體技術(shù)或?qū)⒈皇┤〈?/a>

石墨烯將在2024年取代CMOS半導(dǎo)體技術(shù)？

CMOS半導(dǎo)體技術(shù)將在2024年7nm制程時(shí)代面臨窘境，而石墨烯可望脫穎而出，成為用來(lái)取代這項(xiàng)技術(shù)的最佳選擇──這是根據(jù)近日于美國(guó)加州舉行的IEEE定制積體電路大會(huì)(CICC)一場(chǎng)專題演講上所發(fā)表的看法。「石墨烯已經(jīng)展現(xiàn)出

采用ADS的CMOS雙平衡混頻器設(shè)計(jì)

摘要：分析了Gilbert結(jié)構(gòu)有源雙平衡混頻器的工作機(jī)理，以及混頻器的轉(zhuǎn)換增益、線性度與跨導(dǎo)、CMOS溝道尺寸等相關(guān)電路參數(shù)間的關(guān)系，并據(jù)此使用ADS軟件進(jìn)行設(shè)計(jì)及優(yōu)化。在采用TSMC 0．25μm CMOS工藝，射頻信號(hào)為2．

石墨烯將在2024年取代CMOS半導(dǎo)體技術(shù)？

CMOS半導(dǎo)體技術(shù)將在2024年7nm制程時(shí)代面臨窘境，而石墨烯可望脫穎而出，成為用來(lái)取代這項(xiàng)技術(shù)的最佳選擇──這是根據(jù)近日于美國(guó)加州舉行的IEEE定制積體電路大會(huì)(CICC)一場(chǎng)專題演講上所發(fā)表的看法?！甘┮呀?jīng)展現(xiàn)出

產(chǎn)生滿幅方波的CMOS555振蕩器電路圖

CMOS數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)電路圖

美格納宣布提供三重電壓10V CMOS制程應(yīng)用于高效能混合產(chǎn)品

南韓專業(yè)于研發(fā)制造數(shù)位類比訊號(hào)產(chǎn)品的半導(dǎo)體大廠美格納，今宣布將提供三重電壓制程來(lái)整合晶片外的高壓電路至標(biāo)準(zhǔn)雙匣極制程以應(yīng)用于高效能混合訊號(hào)產(chǎn)品。該三重電壓制程之創(chuàng)舉為：將不需額外加層的CMOS電晶體設(shè)計(jì)嵌