GLOBALFOUNDRIES參加IMEC研發(fā)項目，將開發(fā)22nm CMOS及GaN on Si技術(shù)

比利時IMEC宣布，美國GLOBALFOUNDRIES公司將參加該研究所的研發(fā)項目。發(fā)布資料顯示，GLOBALFOUNDRIES已在有關(guān)（1）22nm節(jié)點制程CMOS技術(shù)、（2）硅（Si）上氮化鎵（GaN）技術(shù)（GaN on Si技術(shù)）的戰(zhàn)略性長期合作協(xié)議上

Globalfoundries與IMEC簽署亞22nm節(jié)點制程CMOS合作計劃

擁有阿拉伯財閥背景的Globalfoundries公司最近與歐洲半導(dǎo)體研究機構(gòu)，比利時的IMEC簽署了一項關(guān)于在亞22nm節(jié)點制程CMOS技術(shù)和硅上氮化鎵（GaN-on-Si：可用于制造固態(tài)照明器件，功率器件和射頻電路器件等）技術(shù)結(jié)成長

GlobalFoundries和imec共同研發(fā)22nm節(jié)點以下CMOS技術(shù)

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體代工廠商之一GlobalFoundries與納電子研發(fā)中心imec簽署了一項長期的戰(zhàn)略合作協(xié)議，共同研發(fā)22nm節(jié)點以下CMOS技術(shù)以及GaN-on-Si技術(shù)。

一種基于PWM的CMOS誤差放大器的設(shè)計

摘要：為解決PWM控制器中輸出電壓與基準電壓的誤差放大問題，設(shè)計了一款高增益、寬帶寬、靜態(tài)電流小的新型誤差放大器，通過在二級放大器中間增加一級緩沖電路，克服補償電容的前饋效應(yīng)，同時消除補償電容引入的零點。

0．6 V CMOS軌至軌運算放大器

摘要：為適應(yīng)低壓低功耗設(shè)計的應(yīng)用，設(shè)計了一種超低電源電壓的軌至軌CMOS運算放大器。采用N溝道差分對和共模電平偏移的P溝道差分對來實現(xiàn)軌至軌信號輸入。當輸入信號的共模電平處于中間時，P溝道差分對的輸入共模電平

Aptina 1.1微米背照式制程

胡皓婷 全球CMOS影像感測器(CMOS Image Sensor；CIS)大廠Aptina積極布局相關(guān)市場，預(yù)期至2012年起，1,200萬畫素CIS將成為下一代趨勢。為符合終端需求，Aptina在1.4微米產(chǎn)品外，再推出1.1微米背照式(Backside Illumin

電荷泵型LED驅(qū)動器的CMOS誤差放大器設(shè)計

結(jié)合電荷泵型LED驅(qū)動器的工作要求，從減小輸出電壓紋波、穩(wěn)定輸出電壓出發(fā)，設(shè)計了一款誤差放大器。該誤差放大器具有較大的工作電壓范圍，使電荷泵型LED驅(qū)動器高效率低噪聲工作?；贑HRT 0．35μm CMOS MIXEDSIGNAL TECHNOLOGY進行仿真，結(jié)果表明，在2．7～5 V工作電壓范圍內(nèi)，開環(huán)電壓增益約等于72 dB，相位裕度約等于65°，單位增益帶寬約等于4．6 MHz，共模抑制比CMRR約等于113 dB，電源抑制比PSRR約等于100 dB。

恩智浦推出10Gbps CMOS多路復(fù)用器/多路解復(fù)用器開關(guān)

21ic訊 恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V.近日宣布推出業(yè)內(nèi)速度最快的多路復(fù)用器/多路解復(fù)用器開關(guān)CBTL02043。CBTL02043可以支持速度高達10Gbps 信號號切換，同時具有低功耗及低能量損失的特性，特別適用于臺式電

2010年CMOS攝像模組用鏡頭主要廠家市場占有率

水清木華研究中心最新研究報告指出，2010年CMOS攝像模組產(chǎn)值相較2009年大幅度增加，驅(qū)動力來自三方面。一是手機攝像像素值大幅度增加，200萬像素成為主流；預(yù)計2011年，300萬像素將成為主流；預(yù)計2013年，500萬像素將

帶CMOS邏輯的AGC電路

CMOS振蕩編碼器

CMOS PLL譯碼電路

CMOS PLL編碼器

全CMOS接收機

用光電隔離器構(gòu)成的CMOS接口電路

TTL至CMOS的電平變換器

TTL-CMOS接口電路

PMOS-CMOS接口電路

NMOS-CMOS接口電路

HTL-CMOS接口電路