法國研究機(jī)構(gòu)CEA-Leti提升三維芯片封裝能力

法國研究機(jī)構(gòu)CEA-Leti最近開始提升其三維芯片封裝的生產(chǎn)能力，CEA-Leti在Grenoble 有一條300 mm 的CMOS 研發(fā)型生產(chǎn)線，目前專門用于三維芯片封裝的試驗。CEA-Leti 稱他們已經(jīng)可以向客戶提供 200 和 300 mm 晶圓的多種

蘇州固锝收購明銳光電 獲130項物聯(lián)網(wǎng)專利

蘇州固锝今日公告，2010年12月30日，公司和探微科技股份有限公司在香港簽署了《關(guān)于MiradiaInc.(明銳光電股份[43.170.30%]有限公司)全部股權(quán)的轉(zhuǎn)讓協(xié)議》，擬以360萬美元(約2400萬元人民幣)，收購明銳光電100%的股權(quán)

搶CMOS MEMS商機(jī)　矽創(chuàng)加速度計將上市

互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體制程的微機(jī)電系統(tǒng)(CMOS MEMS)因能整合多元化功能，故掀起市場熱潮，國內(nèi)不僅臺積電、聯(lián)電兩大半導(dǎo)體龍頭競相投入研發(fā)，不少晶圓代工、MEMS廠商也對此市場亦躍躍欲試，日前，矽創(chuàng)電子即證實將

基于CMOS雙D觸發(fā)器CD4013的脈沖寬度檢測電路設(shè)計

D觸發(fā)器的常規(guī)使用一般是用作二分頻器、計數(shù)器或移位寄存器。然而，只要對D觸發(fā)器的外圍電路加以改進(jìn)，根據(jù)其基本邏輯功能。就可充分發(fā)揮其獨特的作用。數(shù)字裝置中常用的脈沖寬度檢測電路，對脈沖信號的寬度進(jìn)行識別

鑫創(chuàng)搶推高整合CMOS MEMS麥克風(fēng)

為力抗國外大廠如樓氏(Knowles)，鑫創(chuàng)繼2010年10月發(fā)表互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體制程的微機(jī)電系統(tǒng)(CMOS MEMS)麥克風(fēng)后，著眼于類比MEMS麥克風(fēng)干擾多，遂使筆記型電腦、手機(jī)對于數(shù)位化MEMS需求升溫，預(yù)計2011年第四季將

Sony宣布買回東芝半導(dǎo)體工廠 增產(chǎn)CMOS感測器

Sony24日于日股收盤后發(fā)布新聞稿宣布，已與東芝(Toshiba)簽署了基本合意書，將自東芝手中買回位于長崎縣的半導(dǎo)體工廠；之后雙方并將于今年度內(nèi)(2011年3月底前)簽署正式契約，并預(yù)計于2011年度初期實施買回動作。據(jù)外

媲美MEMS IDM　臺商力拚CMOS MEMS

不讓歐、美微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)業(yè)者專美于前，國內(nèi)臺積電、聯(lián)電兩大半導(dǎo)體龍頭，以及其他MEMS廠商正戮力開發(fā)補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS)MEMS，期能透過晶片商上、中、下游的合作，與國外整合元件制造商(IDM)并駕齊

鑫創(chuàng)MEMS麥克風(fēng)，明年7月量產(chǎn)

鑫創(chuàng)（3259）看好微機(jī)電（MEMS）麥克風(fēng)市場，歷經(jīng)3年研發(fā)，今年10月推出CMOS MEMS麥克風(fēng)，目前已進(jìn)入推廣期，市場傳出，鑫創(chuàng)MEMS麥克風(fēng)預(yù)計明年元月將送樣客戶認(rèn)證，預(yù)計7月量產(chǎn)。 鑫創(chuàng)日前表示，MEMS麥克風(fēng)相較傳統(tǒng)

新型磁傳感器MMC214 MMC3140

型號：MMC214 MMC3140 公司：美新半導(dǎo)體（無錫）有限公司 英文名稱：MEMSIC Semiconductor (WUXI) Co., Ltd. 芯片概述 新型MEMS磁傳感器廣泛用于移動消費(fèi)類電子產(chǎn)品（如手機(jī)）與汽車電子、工業(yè)應(yīng)

電磁兼容性的設(shè)計與測量

1、主要技術(shù)參數(shù)電磁兼容性的設(shè)計是一項復(fù)雜的系統(tǒng)工程。首先要學(xué)習(xí)并掌握有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)及規(guī)范，然后參照實際電磁環(huán)境來提出具體的要求，進(jìn)而制定技術(shù)和工藝的實施方案。在設(shè)計電子儀器、設(shè)備時。應(yīng)重點考慮電路設(shè)計、隔離

CMOS偽差分E類射頻功率放大器設(shè)計

摘要 分析了E類功放的非理想因素，其中著重分析寄生電感對系統(tǒng)性能的影響，采用偽差分E類功放結(jié)構(gòu)有效地抑制寄生電感的影響。最后基于理想的設(shè)計方程和Load Pull技術(shù)，采用0．18μmCMOS工藝，設(shè)計出高效率的差分E類

硅CMOS技術(shù)可擴(kuò)展到10nm以下

“硅CMOS技術(shù)完全可以擴(kuò)展至10nm以下。如果能夠充分導(dǎo)入三維NAND閃存技術(shù)、可變電阻式存儲器(ReRAM)以及EUV曝光技術(shù)等新構(gòu)造、新材料和新工藝，硅CMOS技術(shù)將繼續(xù)保持其主導(dǎo)地位”。半導(dǎo)體制造技術(shù)國際會議

15nm工藝CMOS將如何發(fā)展？

在半導(dǎo)體制造技術(shù)相關(guān)國際會議“2010 IEEE International Electron Devices Meeting（IEDM 2010）”開幕前一天的2010年12月5日，舉行了一場以“15nm CMOS Technology”為題的短講座。在最尖端邏

意法半導(dǎo)體等利用65nm晶圓分析TSV對CMOS電路的影響

法國CEA-LETI公司、法國薩瓦大學(xué)（Universite de Savoie）及意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）共同分析了在帶有65nm工藝CMOS電路的硅晶圓上形成TSV（硅貫通孔）時，TSV對CMOS電路特性的影響（演講編號：35.1）。以利

CMOS偽差分E類射頻功率放大器設(shè)計

CMOS偽差分E類射頻功率放大器設(shè)計

三星主題演講:通過導(dǎo)入新技術(shù)，硅CMOS可延長至10nm以下工藝

“硅CMOS技術(shù)完全可以擴(kuò)展至10nm以下。如果能夠充分導(dǎo)入三維NAND閃存技術(shù)、可變電阻式存儲器（ReRAM）以及EUV曝光技術(shù)等新構(gòu)造、新材料和新工藝，硅CMOS技術(shù)將繼續(xù)保持其主導(dǎo)地位”。 半導(dǎo)體制造技術(shù)國際會議“2

基于VerilogHDL的CMOS圖像敏感器驅(qū)動電路設(shè)計

Verilog HDL語言是IEEE標(biāo)準(zhǔn)的用于邏輯設(shè)計的硬件描述語言，具有廣泛的邏輯綜合工具支持，簡潔易于理解。本文就STAR250這款CMOS圖像敏感器，給出使用Verilog HDL語言設(shè)計的邏輯驅(qū)動電路和仿真結(jié)果。

15nm工藝CMOS將如何發(fā)展？短講座出現(xiàn)站著的聽眾

在半導(dǎo)體制造技術(shù)相關(guān)國際會議“2010 IEEE International Electron Devices Meeting（IEDM 2010）”開幕前一天的2010年12月5日（日），舉行了一場以“15nm CMOS Technology”為題的短講座。在最尖端邏輯LSI方面，美國

第三季晶圓價位持續(xù)下跌但幅度已較和緩

根據(jù)Global Semiconductor Alliance (GSA)發(fā)布的報告，今(2010)年第三季晶圓價位持續(xù)下 跌，不過下降的幅度已比前一季和緩。該季八寸與十二寸CMOS晶圓比前一季分別降價0.3%與4 .4%；后者在第二季為3200美元，至第

CMOS自動轉(zhuǎn)換可逆計數(shù)器