CMOS-TTL接口電路

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CMOS-PMOS接口電路

CMOS-PMOS接口電路

CMOS-NMOS接口電路

CMOS-NMOS接口電路

CMOS-HTL接口電路

CMOS-HTL接口電路

CMOS電壓反轉(zhuǎn)器MAX660電路圖

CMOS電壓反轉(zhuǎn)器MAX660電路圖

有感于十年模擬應(yīng)用設(shè)計(jì)生涯

一位院里的兄長(zhǎng)數(shù)年前告知，想成為模擬高手必須先學(xué)好童詩(shī)白老爺子的《模擬電子技術(shù)》，再學(xué)習(xí)一下《網(wǎng)絡(luò)綜合》，把這兩本 書(shū)聯(lián)系起來(lái)，看到任何電路問(wèn)題是都能先很容易寫(xiě)出傳遞函數(shù)再去解決問(wèn)題。 在此基礎(chǔ)上多去

Imec和Coventor在MEMS和IC設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域展開(kāi)合作

領(lǐng)先的MEMS設(shè)計(jì)供應(yīng)商Coventor和納電子研究中心imec共同宣布戰(zhàn)略合作，以改善和拓展CMOS和MEMS集成技術(shù)的設(shè)計(jì)與制造。合作將包括雙方研發(fā)路線的統(tǒng)一，及研究?jī)?nèi)容的互補(bǔ)。雙方將共同為imec的SiGe MEMS-above-IC工藝開(kāi)

Black Sand推出首個(gè)3G CMOS功率放大器產(chǎn)品系列

鑒于GaAs功率放大器（PA）技術(shù)長(zhǎng)期存在的供應(yīng)短缺和成本構(gòu)成更高的問(wèn)題，移動(dòng)設(shè)備制造商們正在尋求一種能替代GaAs功率放大器技術(shù)的產(chǎn)品。在射頻功率放大器領(lǐng)域，存在工藝之爭(zhēng)，包括主流的GaAs，欲取而代之的SiGe和CM

采用噪聲消除技術(shù)的3～5 GHz CMOS超寬帶LNA設(shè)計(jì)

本文基于SM IC 0. 18μm RF CMOS工藝,設(shè)計(jì)了可以工作于3～5 GHz頻段的超寬帶低噪聲放大器。對(duì)電路的輸入匹配和增益進(jìn)行了分析,對(duì)噪聲消除技術(shù)進(jìn)行了推導(dǎo)。仿真結(jié)果表明,該放大器在工作頻帶內(nèi)的各項(xiàng)指標(biāo)滿足超寬帶系統(tǒng)應(yīng)用。

瑞薩通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)CMOS實(shí)現(xiàn)28nm工藝DRAM混載技術(shù)

瑞薩電子開(kāi)發(fā)出了利用與標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝相近的方法在邏輯LSI中混載DRAM的技術(shù)（圖1）。該項(xiàng)技術(shù)面向28nm工藝以后的產(chǎn)品，瑞薩電子將把該工藝的SoC（SystemonaChip）生產(chǎn)全面委托給代工企業(yè)。瑞薩電子計(jì)劃通過(guò)該項(xiàng)技術(shù)，

CEA-Leti將啟動(dòng)專門(mén)用于三維積層技術(shù)的300mm研發(fā)生產(chǎn)線

法國(guó)研究機(jī)構(gòu)CEA-Leti于2011年1月19日（當(dāng)?shù)貢r(shí)間）宣布，將在本月內(nèi)啟動(dòng)專門(mén)用于三維積層技術(shù)研發(fā)和試制的300mm生產(chǎn)線。該機(jī)構(gòu)表示，構(gòu)建專門(mén)用于三維積層技術(shù)的研發(fā)生產(chǎn)線“在歐洲尚屬首次”。 據(jù)悉，此次生產(chǎn)線

聯(lián)電CMOS-MEMS技術(shù)研發(fā)有成　預(yù)計(jì)今年量產(chǎn)

晶圓代工大廠聯(lián)華電子(UMC，聯(lián)電)日前宣布成功為客戶產(chǎn)出微機(jī)電系統(tǒng)(Micro-Electro-Mechanical Systems，MEMS)感測(cè)器晶片，預(yù)計(jì)于今年進(jìn)入量產(chǎn)；該公司表示其三年來(lái)投入 CMOS-MEMS 技術(shù)的研發(fā)，終于獲得豐碩的成果。

聯(lián)電MEMS感測(cè)芯片　邁入量產(chǎn)

晶圓代工廠聯(lián)電投入微機(jī)電 (MEMS)技術(shù)開(kāi)發(fā)已3年，19日宣布成功產(chǎn)出CMOS-MEMS感測(cè)芯片，預(yù)計(jì)2011年投入量產(chǎn)。聯(lián)電CMOS-MEMS技術(shù)制造的麥克風(fēng)元件已完成功能驗(yàn)證，訊噪比 (S/N ratio) 已可達(dá)到 56dBA 以上的水平，其性

首個(gè)3G CMOS功率放大器產(chǎn)品系列(Black Sand)

Black Sand科技有限公司日前宣布：公司已推出兩條新的3G CMOS射頻功率放大器(PA)產(chǎn)品線，它們顯著地提升各種手機(jī)、平板電腦和數(shù)據(jù)卡的可靠性和數(shù)據(jù)傳輸量。該產(chǎn)品系列包括6個(gè)特別的、覆蓋多個(gè)頻段的功率放大器。其BS

高增益高線性度CMOS偶次諧波混頻器設(shè)計(jì)

混頻器是無(wú)線收發(fā)機(jī)中的核心模塊， 對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的性能具有很大影響。線性度、轉(zhuǎn)換增益是衡量一個(gè)混頻器性能的重要指標(biāo)。 在接收機(jī)中， 混頻器具有一定的轉(zhuǎn)換增益可以降低混頻器后面各級(jí)模塊設(shè)計(jì)的難度， 有利

聯(lián)電MEMS感測(cè)芯片成功產(chǎn)出

晶圓代工廠聯(lián)電投入微機(jī)電 (MEMS)技術(shù)開(kāi)發(fā)已3年，19日宣布成功產(chǎn)出CMOS-MEMS感測(cè)芯片，預(yù)計(jì)2011年投入量產(chǎn)。聯(lián)電CMOS-MEMS技術(shù)制造的麥克風(fēng)元件已完成功能驗(yàn)證，訊噪比 (S/N ratio) 已可達(dá)到 56dBA 以上的水平，其性

聯(lián)電MEMS感測(cè)芯片　邁入量產(chǎn)

晶圓代工廠聯(lián)電投入微機(jī)電 (MEMS)技術(shù)開(kāi)發(fā)已3年，19日宣布成功產(chǎn)出CMOS-MEMS感測(cè)芯片，預(yù)計(jì)2011年投入量產(chǎn)。聯(lián)電CMOS-MEMS技術(shù)制造的麥克風(fēng)元件已完成功能驗(yàn)證，訊噪比 (S/N ratio) 已可達(dá)到 56dBA 以上的水平，其性

聯(lián)電成功產(chǎn)出CMOS-MEMS感測(cè)晶片

聯(lián)電(2303)今(19)日宣布成功產(chǎn)出微機(jī)電系統(tǒng)（Micro-Electro-Mechanical Systems, MEMS）感測(cè)晶片，預(yù)計(jì)于今年進(jìn)入量產(chǎn)，投入約3年的CMOS-MEMS技術(shù)的研發(fā)，終于開(kāi)花結(jié)果。 聯(lián)電表示，使用該款CMOS-MEMS技術(shù)制造的麥克

用CMOS電路構(gòu)成的非編碼觸摸鍵盤(pán)