3G手機(jī)需求上漲 功率放大器供不應(yīng)求

從去年至目前為止，3G RF所需的功率放大器(Power Amplifier, PA)始終面臨缺貨的情況，究其原因，主要是由于低價(jià)手機(jī)盛行、智能型手機(jī)熱 賣與行動(dòng)上網(wǎng)需求激增，導(dǎo)致PA用量大增，PA業(yè)者供應(yīng)不及。這是3G相關(guān)業(yè)者在進(jìn)行

D觸發(fā)器組成遞增式顯示控制電路圖

遞增顯示也是將靜態(tài)顯示變?yōu)閯?dòng)態(tài)顯示，它和交替式不同的是逐級(jí)遞增。圖中所示是用CMOS電路D觸發(fā)器組成的遞增式顯示控制電路，圖示線路當(dāng)R復(fù)位后，所有觸發(fā)器均均置“0”即

D觸發(fā)器組成交替式顯示控制電路圖

交替顯示就是將靜態(tài)顯示變?yōu)閯?dòng)態(tài)顯示，圖中所示是用CMOS電路D觸發(fā)器組成的交替顯示的控制電路。

3G手機(jī)需求上漲 功率放大器供不應(yīng)求

3G手機(jī)需求上漲 功率放大器供不應(yīng)求

液晶顯示用的CMOS驅(qū)動(dòng)電路

CMOS邏輯探頭電路

臺(tái)積電宣布已開發(fā)出22/20nm Finfet雙門立體晶體管制程

據(jù)electronicsweekly網(wǎng)站報(bào)道，臺(tái)積電公司近日宣稱已經(jīng)開發(fā)出一套采用Finfet雙門立體晶體管技術(shù)制作的高性能22/20nm CMOS制程，并已經(jīng)采用這種制程造出了面積僅0.1平方微米的SRAM單元(內(nèi)含6個(gè)CMOS微晶體管)，據(jù)稱這種

CMOS攝像器件控制電路

GSA指出第二季晶圓價(jià)格下滑

全球半導(dǎo)體協(xié)會(huì)（GlobalSemiconductor Alliance，GSA）最新調(diào)查指出，2010年第二季的晶圓價(jià)格（wafer prices）出現(xiàn)下滑，其中，第二季8吋CMOS制程晶圓制造平均價(jià)格較上一季下跌了9.5%，至于12吋CMOS制程晶圓制造

GSA：第二季晶圓制造、光罩價(jià)格出現(xiàn)小幅下跌

根據(jù)全球半導(dǎo)體協(xié)會(huì)(Global Semiconductor Alliance，GSA)的最新調(diào)查結(jié)果，相較于前一季的產(chǎn)能吃緊、價(jià)格上漲，2010年第二季的晶圓價(jià)格(wafer prices)出現(xiàn)下滑趨勢。GSA的數(shù)據(jù)顯示，第二季 8吋 CMOS制程晶圓制造平

光電打靶玩具電路圖

一個(gè)滑稽可笑的貓頭鷹，當(dāng)用光電槍擊中其腹部的靶心時(shí)，它的兩眼閃閃發(fā)光，且會(huì)發(fā)出悅耳的“嘟哩、嘟哩”的叫聲。五秒鐘后，它又會(huì)啟動(dòng)停止發(fā)光和叫聲。本文介紹這個(gè)玩具的制作方法，它只用一塊CMOS數(shù)字集

基于靜態(tài)CMOS和單相能量回收電路的乘法器電路設(shè)計(jì)

　　O 引言　　電路中的功率消耗源主要有以下幾種：由邏輯轉(zhuǎn)換引起的邏輯門對(duì)負(fù)載電容充、放電引起的功率消耗;由邏輯門中瞬時(shí)短路電流引起的功率消耗;由器件的漏電流引起的消耗，并且每引進(jìn)一次新的制造技術(shù)會(huì)導(dǎo)致漏

用CMOS門電路作微功耗放大電路圖

CMOS數(shù)字集成電路具有輸入阻抗高、低功耗、電源電壓范圍廣以及輸出電壓擺帳大等優(yōu)點(diǎn)。除了在數(shù)字化裝置中廣泛應(yīng)用外，亦可用于線性電路，發(fā)揮它低功耗的特點(diǎn)。

CMOS集成模擬開關(guān)控制電路

3G終端PA市場基本上掌握在四強(qiáng)手中 CMOS PA難再為繼

目前WCDMA終端PA(功率放大器)市場基本上掌握在Anadigics、Triquint、RFMD和Skyworks四家供應(yīng)商手中，TD-SCDMA終端PA供應(yīng)商主要有三家，即RFMD、Anadigics和中國瑞迪科(RDA)。3G基站PA供應(yīng)商主要有Triquint、飛思卡爾

一種CMOS綠色模式AC／DC控制器振蕩器電路

摘要：此振蕩器專門針對(duì)恒壓恒流(CV-CC)控制、頻率抖動(dòng)(Frequency Shuffling)技術(shù)。采用電流模脈寬調(diào)制控制方案的電池充電芯片設(shè)計(jì)，鋸齒波信號(hào)的線性度較好，當(dāng)負(fù)載電路減小時(shí)，自動(dòng)進(jìn)入Burst Mode狀態(tài)提高系統(tǒng)的效

聯(lián)電：獲重大優(yōu)勢

聯(lián)電昨（15）日宣布，將向德州儀器購買大批的先進(jìn)12吋晶圓CMOS制程設(shè)備，此舉將能近一步提升公司的產(chǎn)能，盡管雙方均未公布買賣價(jià)格，惟外界估計(jì)，此次交易總金額達(dá)新臺(tái)幣30至40億元。 稍早德州儀器宣布在日本

拼擴(kuò)產(chǎn)！聯(lián)電向德儀購12吋晶圓CMOS制程設(shè)備

晶圓代工業(yè)者聯(lián)電(2303)15日宣布，將向德州儀器(Texas Instruments,TI)購買大批先進(jìn)12吋晶圓CMOS制程設(shè)備，此舉將可望進(jìn)一步提升公司的產(chǎn)能規(guī)模。稍早德儀宣布在日本對(duì)飛索半導(dǎo)體(Spansion) 日本子公司完成設(shè)備資產(chǎn)

英特爾工藝開發(fā)負(fù)責(zé)人談15nm工藝以后的CMOS技術(shù)

LSI的基本元件CMOS晶體管長期以來一直被指存在微細(xì)化極限，但目前來看似乎還遠(yuǎn)未走到終點(diǎn)。全球最大代工廠商臺(tái)積電（TSMC）于今年夏季動(dòng)工建設(shè)的新工廠打算支持直至7nm工藝的量產(chǎn)。臺(tái)積電是半導(dǎo)體行業(yè)中唯一一家具體

極端環(huán)境下代工廠的發(fā)展之道

過去，上海宏力半導(dǎo)體公司一直是一家相當(dāng)?shù)驼{(diào)的公司。這家代工服務(wù)提供商的大部分贏利來自西方國家，特別是歐洲和美國。EETimes歐洲的記者終于有機(jī)會(huì)采訪宏力半導(dǎo)體公司首席執(zhí)行官兼總裁UlrichSchumacher先生。Schum