CMOS

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CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體，電壓控制的一種放大器件，是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。

IMEC讓前TSMC歐洲總裁來(lái)加強(qiáng)IC業(yè)務(wù)

歐洲半導(dǎo)體研究所IMEC已任命前TSMC歐洲總裁Kees den Otter為其副總裁, 掌管其IC市場(chǎng)發(fā)展。可能原因是出自研究所要更多的為工業(yè)化服務(wù), 并創(chuàng)造應(yīng)有的價(jià)值。顯然近年來(lái)其pilot生產(chǎn)線中EUV光刻研發(fā)的費(fèi)用高聳,也難以為

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2010-05-07

TSMC IC NXP CMOS
全硅 CMOS 振蕩器 MM8202 和 MM8102（IDT）

IDT® 公司（Integrated Device Technology, Inc.）日前宣布，推出全硅 CMOS 振蕩器 MM8202 和 MM8102，使 IDT 成為業(yè)界首家采用晶圓和封裝形式 CMOS 振蕩器提供石英晶體級(jí)性能的公司。這些集成電路滿足小型化要求

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2010-05-05

晶圓振蕩器 IDT CMOS
IDT推出首款封裝和裸片/晶圓形式高精度全硅CMOS振蕩器

致力于豐富數(shù)字媒體體驗(yàn)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商 IDT 公司(Integrated Device Technology, Inc.; )今天宣布，推出全硅 CMOS 振蕩器 MM8202 和 MM8102，使 IDT 成為業(yè)界首家采用晶圓和封裝形式 CMOS

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2010-05-04

封裝振蕩器 IDT CMOS
低功耗高轉(zhuǎn)換速率CMOS模擬緩沖器

提出了減小輸入電容的軌到軌電壓緩沖器。軌到軌操作不僅在電路的輸出端，同樣在電路的輸入端實(shí)現(xiàn)。所介紹電路的AB特性導(dǎo)致了低功耗和高的轉(zhuǎn)換速率，使它很適合驅(qū)動(dòng)大的電容負(fù)載。仿真結(jié)果已經(jīng)提供了該電路的操作。

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2010-04-14

低功耗模擬緩沖器 CMOS
基于LTC2259-16的16位模-數(shù)轉(zhuǎn)換方案

LTC2259-16是 16位模-數(shù)轉(zhuǎn)換器,適用于對(duì)高頻寬動(dòng)態(tài)范圍的信號(hào)進(jìn)行數(shù)字化.它的SNR為73.1dB,SFDR為88dB,單電源1.8V工作,功率89mW,具有CMOS, DDR CMOS 或DDR LVDS輸出,可選擇的輸入范圍從1VP-P 到 2VP-P,主要用于通信,蜂

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2010-04-12

輸入電路 HZ LTC CMOS
基于3GHz CMOS低噪聲放大器優(yōu)化設(shè)計(jì)

　摘要：基于0.18 μm CMOS工藝，采用共源共柵源極負(fù)反饋結(jié)構(gòu)，設(shè)計(jì)了一種3 GHz低噪聲放大器電路。從阻抗匹配及噪聲優(yōu)化的角度分析了電路的性能，提出了相應(yīng)的優(yōu)化設(shè)計(jì)方法。仿真結(jié)果表明，該放大器具有良好的性能

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2010-04-12

低噪聲放大器 CMOS工藝 3GHZ CMOS
世界先進(jìn)首季營(yíng)收年增111%

受惠于驅(qū)動(dòng)IC廠積極回補(bǔ)庫(kù)存，世界先進(jìn)首季營(yíng)收回升，金額達(dá)新臺(tái)幣35.74億元，較上季成長(zhǎng)約14%，更較2009年同期大幅成長(zhǎng)111.58%，法人推估，隨著晶圓出貨量增加，并持續(xù)受惠來(lái)自臺(tái)積電的轉(zhuǎn)單，可望帶動(dòng)世界先進(jìn)第2季

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2010-04-12

晶圓臺(tái)積電驅(qū)動(dòng)IC CMOS
基于LTC2259-16的16位模-數(shù)轉(zhuǎn)換方案

LTC2259-16是 16位模-數(shù)轉(zhuǎn)換器,適用于對(duì)高頻寬動(dòng)態(tài)范圍的信號(hào)進(jìn)行數(shù)字化.它的SNR為73.1dB,SFDR為88dB,單電源1.8V工作,功率89mW,具有CMOS, DDR CMOS 或DDR LVDS輸出,可選擇的輸入范圍從1VP-P 到 2VP-P,主要用于通信,蜂

數(shù)字電源
2010-04-10

輸入電路 HZ LTC CMOS
基于LTC2259-16的16位模-數(shù)轉(zhuǎn)換方案

基于LTC2259-16的16位模-數(shù)轉(zhuǎn)換方案

嵌入式軟件
2010-04-10

輸入電路 HZ LTC CMOS
5.6GHz CMOS低噪聲放大器設(shè)計(jì)

摘要：分析了一種射頻COMS共源-共柵低噪聲放大器的設(shè)計(jì)電路，采用TSMC 90nm低功耗工藝實(shí)現(xiàn)。仿真結(jié)果表明：在5．6GHz工作頻率，電壓增益約為18．5dB；噪聲系數(shù)為1．78dB；增益1dB壓縮點(diǎn)為-21．72dBm；輸入?yún)⒖既A交

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2010-04-09

低噪聲放大器放大器設(shè)計(jì) HZ CMOS
CMOS探測(cè)器在射線檢測(cè)中的設(shè)計(jì)應(yīng)用

概述：以CMOS探測(cè)器為記錄介質(zhì)的數(shù)字化射線檢測(cè)技術(shù)，檢測(cè)精度高、溫度適應(yīng)性好、結(jié)構(gòu)適應(yīng)性強(qiáng)。CMOS射線掃描探測(cè)器探測(cè)單元排成線陣列，需要在檢測(cè)時(shí)進(jìn)行相對(duì)掃描運(yùn)動(dòng)，逐線采集并拼成完整的透照投影圖像。介紹了檢

通信技術(shù)
2010-04-07

探測(cè)器 BSP RADIO CMOS
基于單晶片CMOS語(yǔ)音合成的ASIC設(shè)計(jì)

引言　　近年語(yǔ)音集成電路獲得迅速發(fā)展，其應(yīng)范圍越越廣，自動(dòng)售貨機(jī)、ATM柜員機(jī)，部直通電話機(jī)以及玩具等方面應(yīng)量語(yǔ)音合成芯片。該芯片部采脈寬調(diào)制，數(shù)字信號(hào)確還原成模擬信號(hào)，從而使得電路輸出端不需接D/A轉(zhuǎn)換；

消費(fèi)電子
2010-04-07

晶片單晶語(yǔ)音合成 CMOS
5.6GHz CMOS低噪聲放大器設(shè)計(jì)

摘要：分析了一種射頻COMS共源-共柵低噪聲放大器的設(shè)計(jì)電路，采用TSMC 90nm低功耗工藝實(shí)現(xiàn)。仿真結(jié)果表明：在5．6GHz工作頻率，電壓增益約為18．5dB；噪聲系數(shù)為1．78dB；增益1dB壓縮點(diǎn)為-21．72dBm；輸入?yún)⒖既A交

線性電源
2010-04-07

低噪聲放大器放大器設(shè)計(jì) HZ CMOS
CMOS探測(cè)器在射線檢測(cè)中的設(shè)計(jì)應(yīng)用

CMOS探測(cè)器在射線檢測(cè)中的設(shè)計(jì)應(yīng)用

嵌入式軟件
2010-04-05

探測(cè)器 BSP RADIO CMOS
DSP內(nèi)嵌PLL中的CMOS壓控環(huán)形振蕩器設(shè)計(jì)

本文設(shè)計(jì)了一種應(yīng)用于DSP內(nèi)嵌鎖相環(huán)的低功耗、高線性CM0S壓控環(huán)形振蕩器。電路采用四級(jí)延遲單元能方便的獲得正交輸出時(shí)鐘，每級(jí)采用RS觸發(fā)結(jié)構(gòu)來(lái)產(chǎn)生差分輸出信號(hào)，在有效降低靜態(tài)功耗的同時(shí)．具有較好的抗噪聲能力。在延遲單元的設(shè)計(jì)時(shí)。綜合考慮了電壓控制的頻率范圍以及調(diào)節(jié)線性度，選擇了合適的翻轉(zhuǎn)點(diǎn)。仿真結(jié)果表明．電路叮實(shí)現(xiàn)2MHz至90MHz的頻率調(diào)節(jié)范圍，在中心頻率附近具有很高的調(diào)節(jié)線性度，可完全滿足DSP芯片時(shí)鐘系統(tǒng)的要求。

數(shù)字電源
2010-03-30

DSP 環(huán)形振蕩器 PLL CMOS
DSP內(nèi)嵌PLL中的CMOS壓控環(huán)形振蕩器設(shè)計(jì)

DSP內(nèi)嵌PLL中的CMOS壓控環(huán)形振蕩器設(shè)計(jì)

嵌入式教程
2010-03-30

DSP 環(huán)形振蕩器 PLL CMOS
受量子薄膜技術(shù)獲得突破，CMOS影像傳感器地位受沖擊

就像是“膠卷”已經(jīng)幾乎消失在大眾視野里一樣，一種新研發(fā)的量子薄膜(quantum film)可能會(huì)讓數(shù)碼相機(jī)里的CMOS影像傳感器位置不保。該種薄膜是以類(lèi)似傳統(tǒng)底片的材料所制成，即一種具備嵌入粒子的聚合物；不過(guò)不同于

消費(fèi)電子
2010-03-29

影像傳感器薄膜量子 CMOS
CMOS音頻功率放大器的旁路電壓控制電路

摘要：基于CSMCO．5μm CMOS工藝設(shè)計(jì)一種帶滯回功能的高穩(wěn)定性電壓控制電路，利用遲滯比較器對(duì)旁路電壓和基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較并控制電容的充放電，提高了電壓的穩(wěn)定性。Cadence Spectre仿真結(jié)果表明，該電路產(chǎn)生的電壓穩(wěn)

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2010-03-29

控制電路電壓控制音頻功率放大器 CMOS
三維封裝中的電鍍和清洗技術(shù)

上海新陽(yáng)半導(dǎo)體材料股份有限公司 Tony(巴中)副總經(jīng)理喻涵各位尊敬的領(lǐng)導(dǎo)及行業(yè)內(nèi)的專(zhuān)家、前輩們，大家好！我是來(lái)自上海新陽(yáng)的喻涵。雖然說(shuō)這幾年新陽(yáng)一直在做傳統(tǒng)的框架封裝，但四年前開(kāi)始公司開(kāi)始著手進(jìn)行先進(jìn)封裝

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2010-03-18

封裝芯片級(jí) 3D封裝 CMOS
GlobalFoundries德國(guó)Dresden工廠將投產(chǎn)22nmCMOS制程

GlobalFoundries位于德國(guó)Dresden的Fab1正在啟動(dòng)22nmCMOS工藝的開(kāi)發(fā)，并計(jì)劃將該工藝投入量產(chǎn)。目前還不知道該工藝和32nm及28nm工藝所采用的gate-first高k金屬柵CMOS工藝有何差別。此前，F(xiàn)ab1被認(rèn)為將作為45/40nm和32

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2010-03-15

ESD GLOBALFOUNDRIES FAB CMOS

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CMOS

IMEC讓前TSMC歐洲總裁來(lái)加強(qiáng)IC業(yè)務(wù)

全硅 CMOS 振蕩器 MM8202 和 MM8102（IDT）

IDT推出首款封裝和裸片/晶圓形式高精度全硅CMOS振蕩器

低功耗高轉(zhuǎn)換速率CMOS模擬緩沖器

基于LTC2259-16的16位模-數(shù)轉(zhuǎn)換方案

基于3GHz CMOS低噪聲放大器優(yōu)化設(shè)計(jì)

世界先進(jìn)首季營(yíng)收年增111%

基于LTC2259-16的16位模-數(shù)轉(zhuǎn)換方案

基于LTC2259-16的16位模-數(shù)轉(zhuǎn)換方案

5.6GHz CMOS低噪聲放大器設(shè)計(jì)

CMOS探測(cè)器在射線檢測(cè)中的設(shè)計(jì)應(yīng)用

基于單晶片CMOS語(yǔ)音合成的ASIC設(shè)計(jì)

5.6GHz CMOS低噪聲放大器設(shè)計(jì)

CMOS探測(cè)器在射線檢測(cè)中的設(shè)計(jì)應(yīng)用

DSP內(nèi)嵌PLL中的CMOS壓控環(huán)形振蕩器設(shè)計(jì)

DSP內(nèi)嵌PLL中的CMOS壓控環(huán)形振蕩器設(shè)計(jì)

受量子薄膜技術(shù)獲得突破，CMOS影像傳感器地位受沖擊

CMOS音頻功率放大器的旁路電壓控制電路

三維封裝中的電鍍和清洗技術(shù)

GlobalFoundries德國(guó)Dresden工廠將投產(chǎn)22nmCMOS制程

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