詳解TTL電路與CMOS電路

在數(shù)字電子技術(shù)領(lǐng)域，TTL(晶體管-晶體管邏輯)電路和CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)電路是兩種最廣泛使用的邏輯門電路技術(shù)。它們構(gòu)成了現(xiàn)代數(shù)字系統(tǒng)的基礎(chǔ)，從簡單的邏輯門到復(fù)雜的微處理器，都離不開這兩種技術(shù)的支持。

東芝推出適用于工業(yè)設(shè)備過流檢測的高速響應(yīng)、I/O全范圍雙通道比較器(CMOS)

中國上海，2025年12月24日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布，推出一款雙通道比較器(CMOS)——“TC75W71FU”。該產(chǎn)品具有高速響應(yīng)和I/O全范圍(軌到軌)的特點，適用于工業(yè)設(shè)備[1]中的過流檢測。新產(chǎn)品于今日起開始出貨。

CMOS圖像傳感器有哪些優(yōu)點？你了解CMOS傳感器噪聲與暗電流嗎

以下內(nèi)容中，小編將對CMOS圖像傳感器的相關(guān)內(nèi)容進(jìn)行著重介紹和闡述，希望本文能幫您增進(jìn)對CMOS圖像傳感器的了解，和小編一起來看看吧。

CMOS傳感器有哪些特點？CMOS傳感器噪聲控制技術(shù)涉及哪些方面

CMOS傳感器將是下述內(nèi)容的主要介紹對象，通過這篇文章，小編希望大家可以對它的相關(guān)情況以及信息有所認(rèn)識和了解，詳細(xì)內(nèi)容如下。

CMOS傳感器工作原理是什么？如何評估CMOS傳感器性能

以下內(nèi)容中，小編將對CMOS傳感器的相關(guān)內(nèi)容進(jìn)行著重介紹和闡述，希望本文能幫您增進(jìn)對CMOS傳感器的了解，和小編一起來看看吧。

CMOS怎么完成像素陣列和信號處理？CMOS、CCD性能對比

本文中，小編將對CMOS傳感器予以介紹，如果你想對它的詳細(xì)情況有所認(rèn)識，或者想要增進(jìn)對它的了解程度，不妨請看以下內(nèi)容哦。

TrendForce集邦咨詢: 錼創(chuàng)科技將并購Lumiode，以加速近眼顯示Micro LED發(fā)展

Dec. 19, 2025 ---- PlayNitride (錼創(chuàng)科技)董事會于12月16日公告表示，將以200萬美元收購美國Lumiode Inc.之100%股權(quán)。TrendForce集邦咨詢分析，Lumiode已成立十年，這項并購案將有助PlayNitride在擴(kuò)張技術(shù)與專利版圖的同時，獲取更多北美客戶以及銷售渠道，從而提升該公司在近眼顯示與醫(yī)療等非顯示應(yīng)用的國際競爭力。

CMOS 技術(shù)賦能微型化毫米波傳感器：突破與未來展望

在物聯(lián)網(wǎng)、自動駕駛、醫(yī)療診斷等領(lǐng)域快速發(fā)展的當(dāng)下，對傳感器的微型化、低功耗、高集成度需求日益迫切。毫米波傳感器因具備高分辨率、強(qiáng)抗干擾能力和全天候工作特性，成為感知技術(shù)的重要發(fā)展方向。而CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)技術(shù)的成熟，為毫米波傳感器的微型化突破提供了關(guān)鍵支撐，推動其從實驗室走向大規(guī)模商業(yè)化應(yīng)用。

汽車級圖像傳感器選型，CMOS與CCD在ADAS環(huán)視系統(tǒng)中的噪聲抑制對比

智能駕駛技術(shù)快速迭代，ADAS環(huán)視系統(tǒng)作為車輛周邊環(huán)境感知的核心模塊，對圖像傳感器的性能提出了嚴(yán)苛要求。其中，噪聲抑制能力直接影響系統(tǒng)在低光照、強(qiáng)干擾等極端場景下的可靠性。本文從技術(shù)原理、工程實踐及未來趨勢三個維度，對比分析CMOS與CCD傳感器在ADAS環(huán)視系統(tǒng)中的噪聲抑制特性。

相機(jī)清空 CMOS 中電荷的底層原理(下)

相機(jī)清空 CMOS 中電荷的底層原理(上)

ROHM推出實現(xiàn)業(yè)界超低電路電流的超小尺寸CMOS運算放大器

中國上海，2025年7月29日——全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出工作時的電路電流可控制在業(yè)界超低水平的超小尺寸CMOS運算放大器“TLR1901GXZ”。該產(chǎn)品非常適用于電池或充電電池驅(qū)動的便攜式測量儀、可穿戴設(shè)備和室內(nèi)探測器等小型應(yīng)用中的測量放大器。

太赫茲射頻前端集成：InP HEMT與CMOS的異質(zhì)封裝方案

太赫茲（THz）波段位于微波與紅外光之間，具有獨特的頻譜特性，在高速通信、高分辨率成像、安全檢測等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。然而，太赫茲射頻前端作為太赫茲系統(tǒng)的關(guān)鍵組成部分，其集成面臨諸多挑戰(zhàn)。砷化銦高電子遷移率晶體管（InP HEMT）憑借其優(yōu)異的高頻性能，在太赫茲頻段具有出色的增益和噪聲特性；而互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）技術(shù)則以其高集成度、低成本和成熟的制造工藝著稱。將InP HEMT與CMOS進(jìn)行異質(zhì)封裝，整合兩者的優(yōu)勢，成為實現(xiàn)高性能、低成本太赫茲射頻前端集成的有效途徑。

量子-經(jīng)典混合芯片的接口設(shè)計，超導(dǎo)量子比特到CMOS控制電路的協(xié)同

量子計算邁向?qū)嵱没倪M(jìn)程，量子-經(jīng)典混合芯片架構(gòu)成為突破技術(shù)瓶頸的關(guān)鍵路徑。超導(dǎo)量子比特雖具備高速門操作與可擴(kuò)展性優(yōu)勢，但其運行需在毫開爾文級低溫環(huán)境中維持量子態(tài)相干性;而CMOS控制電路則依賴室溫環(huán)境下的成熟工藝與高集成度。這種物理條件的極端差異，催生了量子-經(jīng)典接口設(shè)計的核心挑戰(zhàn)：如何在超低溫與室溫之間實現(xiàn)高效、低噪聲的信號傳輸與協(xié)同控制。從超導(dǎo)諧振腔的量子態(tài)編碼到CMOS芯片的脈沖序列生成，接口設(shè)計正成為連接量子世界與經(jīng)典世界的橋梁。

什么是BiCMOS？BiCMOS的工藝流程是什么樣的？

為增進(jìn)大家對BiCMOS技術(shù)的認(rèn)識，本文將對BiCMOS以及BiCMOS工藝流程予以介紹。

CMOS圖像傳感器工作過程: 復(fù)位、光電轉(zhuǎn)換、積分、讀出幾部分介紹

CMOS圖像傳感器通常由像敏單元陣列、行驅(qū)動器、列驅(qū)動器、時序控制邏輯、AD轉(zhuǎn)換器、數(shù)據(jù)總線輸出接口、控制接口等幾部分組成,這幾部分通常都被集成在同一塊硅片上。

雙極結(jié)型晶體管展現(xiàn)實力

在 CMOS 和寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步中，您很容易忘記 William Shockley 于 1949 年發(fā)明的第一個晶體管是雙極結(jié)型晶體管 (BJT)。盡管它們已經(jīng)不再流行，但這些不起眼的設(shè)備仍然在各種類型的電子設(shè)備中大量高效可靠地運行。事實上，在某些應(yīng)用中，BJT 的性能可以超越更杰出的 CMOS 同類產(chǎn)品。 BJT 技術(shù)的最新改進(jìn)將使它們成為半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的重要組成部分。

高速AD轉(zhuǎn)換器的生存指南，第四部分

類似的原理也可以應(yīng)用于任何使用差動信號的高速接口技術(shù)。事實上,隨著數(shù)據(jù)傳輸速度的加快,需要增加對這些項目的關(guān)注。隨著數(shù)據(jù)速率進(jìn)入Gbps范圍,過程和板幾何形狀變得更小,在短得多的傳輸距離時,串?dāng)_等不必要的影響會成為一個問題。

高速AD轉(zhuǎn)換器的生存指南，第三部分

在模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADC)空間,目前主要有三種類型的數(shù)字輸出使用的ADC制造商。如本文之前部分所述,這三種輸出是互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)、低壓差動信令(LVDS)和電流模式邏輯(CML)。

高速AD轉(zhuǎn)換器的生存指南，第二部分

目前，已經(jīng)有兩個標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)編寫來定義LVDS接口。最常用的ANSI/TIA/EIA-644規(guī)范,題為"低壓差動信令(LVDS)接口電路的電氣特性。另一種是題為"用于可伸縮相干接口的低壓差動信號(LVDS)標(biāo)準(zhǔn)"的IEEE標(biāo)準(zhǔn)159.3。"