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CMOS

我要報(bào)錯(cuò)
CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體，電壓控制的一種放大器件，是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。

  • 高速AD轉(zhuǎn)換器的生存指南，第一部分

    由于設(shè)計(jì)者可以選擇許多類似數(shù)字轉(zhuǎn)換器,在選擇過程中需要考慮的一個(gè)重要參數(shù)是包括的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)輸出類型。目前,高速轉(zhuǎn)換器使用的三種最常見的數(shù)字輸出類型是互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)、低壓微分信號(hào)(LVDS)和電流模式邏輯(CML)。

  • ISP+可拓展算力組合，飛凌微實(shí)現(xiàn)圖像傳感器與SoC之間更好的融合

    當(dāng)前端側(cè)AI正在快速落地推進(jìn)，而智能車載領(lǐng)域尤為活躍，特別是在國內(nèi)市場(chǎng)，智能車載的快速發(fā)展引人注目。據(jù)Yole預(yù)測(cè)，2023年至2029年，全球車載攝像頭市場(chǎng)規(guī)模將從57億美元增至84億美元。但目前車載視覺系統(tǒng)方案尚未統(tǒng)一，既有大域控制架構(gòu)的探索，也有分布式架構(gòu)的應(yīng)用。而在分布式架構(gòu)的應(yīng)用場(chǎng)景中，面臨的主要挑戰(zhàn)在于如何更好地融合圖像傳感器與SoC，以實(shí)現(xiàn)性能與成本的最佳平衡。此外，在技術(shù)層面，需要通過更先進(jìn)的平臺(tái)工具和AI加速技術(shù)，結(jié)合圖像性能優(yōu)化手段，推動(dòng)技術(shù)的迭代與升級(jí)。

  • 如何處理CMOS接口電路問題？CMOS電路SCR閂鎖介紹

    一直以來，CMOS電路都是大家的關(guān)注焦點(diǎn)之一。因此針對(duì)大家的興趣點(diǎn)所在，小編將為大家?guī)鞢MOS電路的相關(guān)介紹，詳細(xì)內(nèi)容請(qǐng)看下文。

  • 最強(qiáng)梳理! 使用CMOS集成電路需注意的幾個(gè)問題

    集成電路按晶體管的性質(zhì)分為TTL和CMOS兩大類，TTL以速度見長，CMOS以功耗低而著稱，其中CMOS電路以其優(yōu)良的特性成為目前應(yīng)用最廣泛的集成電路。

  • 如何提高BJT開關(guān)速度？為什么BJT比CMOS速度要快？

    在這篇文章中，小編將對(duì)BJT的相關(guān)內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進(jìn)對(duì)它的了解程度，和小編一起來閱讀以下內(nèi)容吧。

  • 一種改進(jìn)型的CMOS電荷泵鎖相環(huán)電路

    在現(xiàn)代通信及電子系統(tǒng)中，鎖相環(huán)(Phase-Locked Loop, PLL)是一種重要的頻率同步與控制技術(shù)。CMOS電荷泵鎖相環(huán)(Charge Pump Phase-Locked Loop, CPPLL)因其開環(huán)增益大、捕獲范圍寬、捕獲速度快、穩(wěn)定度高和相位誤差小等優(yōu)勢(shì)，被廣泛應(yīng)用于無線通信、時(shí)鐘恢復(fù)及頻率合成等領(lǐng)域。然而，傳統(tǒng)CMOS電荷泵鎖相環(huán)電路存在電流失配、電荷共享和時(shí)鐘饋通等問題，這些問題限制了其性能和應(yīng)用范圍。本文設(shè)計(jì)了一種改進(jìn)型的CMOS電荷泵鎖相環(huán)電路，通過優(yōu)化電荷泵電路和增加開關(guān)噪聲抵消電路，有效解決了上述問題，并擴(kuò)展了鎖相環(huán)的鎖頻范圍。

  • 如何設(shè)計(jì)CMOS運(yùn)放？超詳細(xì)設(shè)計(jì)過程，看完必會(huì)！

    本文中，小編將對(duì)CMOS運(yùn)放設(shè)計(jì)予以介紹，如果你想對(duì)它的詳細(xì)情況有所認(rèn)識(shí)，或者想要增進(jìn)對(duì)它的了解程度，不妨請(qǐng)看以下內(nèi)容哦。

  • 1款模擬開關(guān)應(yīng)用電路的糾錯(cuò)與改正！

    在這篇文章中，小編將對(duì)一個(gè)模擬開關(guān)應(yīng)用電路進(jìn)行糾錯(cuò)，并對(duì)錯(cuò)誤的模擬開關(guān)應(yīng)用電路進(jìn)行改正。通過這篇文章，小編希望大家可以對(duì)模擬開關(guān)應(yīng)用電路有所認(rèn)識(shí)和了解，詳細(xì)內(nèi)容如下。

  • CMOS數(shù)字集成電路概述及其特點(diǎn)

    在現(xiàn)代電子技術(shù)的發(fā)展中，集成電路作為電子系統(tǒng)的核心，其性能和技術(shù)水平直接決定了整個(gè)電子系統(tǒng)的性能和可靠性。CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)數(shù)字集成電路，作為當(dāng)前應(yīng)用最廣泛的集成電路技術(shù)之一，其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的性能使其在計(jì)算機(jī)、通信、消費(fèi)電子等眾多領(lǐng)域發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。本文將對(duì)CMOS數(shù)字集成電路進(jìn)行詳細(xì)介紹，并探討其特點(diǎn)。

  • 全局快門賦予機(jī)器人更“快”的環(huán)境感知和捕捉能力——思特威CMOS圖像傳感器SC038HGS亮相松山湖論壇

    據(jù)思特威銷售總監(jiān)宗翔（Will Zong）介紹：“全局快門的傳感器，會(huì)分為全局快門和卷簾快門兩種技術(shù)。全局快門的產(chǎn)品，參數(shù)上幀率會(huì)達(dá)到120幀，或者240幀甚至更高，卷簾快門一般做一些監(jiān)控類應(yīng)用的話，幀率只有30幀，全局快門更適合于拍攝快速移動(dòng)的物品，這個(gè)才是全局快門和卷簾快門最主要的區(qū)別。”

  • 前有禁令，后有三星，索尼還能穩(wěn)坐CMOS圖像傳感器的王座嗎？

    索尼亟需打破自身保守謹(jǐn)慎的態(tài)度，雙管齊下智能手機(jī)與汽車市場(chǎng)，在技術(shù)研發(fā)上秉持創(chuàng)新精神，推出更具競(jìng)爭(zhēng)力的CIS“黑科技”，才能在下半場(chǎng)的市場(chǎng)爭(zhēng)奪戰(zhàn)中站穩(wěn)腳跟，否則就只能看著三星一路高歌了。資本市場(chǎng)往往以利益為重，不料被政治橫插了一腳。在遭受美國連續(xù)幾輪打壓后，華為不堪重負(fù)，高端手機(jī)出貨量驟減。而產(chǎn)業(yè)鏈上下游市場(chǎng)牽一發(fā)而動(dòng)全身，索尼（Sony）在內(nèi)的供應(yīng)鏈企業(yè)成了華為禁令的間接受害者，營收額下滑不說，鎧俠（Kioxia）甚至推遲了IPO計(jì)劃。

  • 研究人員已經(jīng)開發(fā)出新方法制造用于高級(jí)電路的柔性半導(dǎo)體

    柔性半導(dǎo)體對(duì)于未來的可穿戴電子技術(shù)至關(guān)重要，但一直難以集成到復(fù)雜的架構(gòu)中。現(xiàn)在，在最近發(fā)表在Advanced Electronic Materials上的一項(xiàng)研究中，來自日本的研究人員已經(jīng)開發(fā)出一種直接的方法來制造用于高級(jí)電路的高質(zhì)量軟半導(dǎo)體。

  • DCDC基礎(chǔ)（8）-- 同步BUCK芯片的電性能參數(shù)解讀二

    按照我的理解，對(duì)于MOS管而言，灌電流就是漏極電流 Id，正常來說MOS管的漏極電流 Id遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過4mA，但是為了滿足邏輯要求，如上圖所示，CMOS輸出最大低電平必須小于輸入最大低電平，即VOL(max)我去搜了一下STM32F103C8T6的關(guān)于灌電流的描述，對(duì)于8路I/O口同時(shí)輸出低電平時(shí)，VOL

  • CMOS耗盡模式技術(shù)具有許多優(yōu)勢(shì)，第二部分

    眾所周知，當(dāng) V GS 在增強(qiáng)模式下為正時(shí)，N 型耗盡型 MOSFET 的行為類似于 N 型增強(qiáng)型 MOSFET;兩者之間的唯一區(qū)別是 V GS = 0V時(shí)的漏電流 I DSS量。增強(qiáng)型 MOSFET 在柵極未通電時(shí)不應(yīng)泄漏任何電流，因此當(dāng) V GS = 0V 時(shí) I DSS必須 為 0，但當(dāng) V GS = 0V 時(shí)允許 I DSS電流流過耗盡型 MOSFET 的傳導(dǎo)通道 。

  • MEMS和CMOS沒什么區(qū)別?快看MEMS大佬是怎么說的吧!

    為增進(jìn)大家對(duì)MEMS的認(rèn)識(shí)，本文將對(duì)MEMS和CMOS的區(qū)別予以介紹。

  • 新的神經(jīng)CMOS正在推進(jìn)大腦研究

    關(guān)于研究大腦的故事也是一個(gè)關(guān)于為此設(shè)計(jì)技術(shù)的故事。過去幾十年最成功的神經(jīng)科學(xué)設(shè)備之一是神經(jīng)探針或微小的針狀大腦植入物，它們可以從單個(gè)神經(jīng)元接收信號(hào)。記錄大腦活動(dòng)提供了一個(gè)獨(dú)特的視角，以了解神經(jīng)元如何在復(fù)雜的電路中進(jìn)行交流以處理信息和控制行為。最終需要大規(guī)模的錄音來了解大腦的工作原理并開發(fā)更先進(jìn)的腦機(jī)接口。

  • TI 提出了新的指數(shù)驅(qū)動(dòng)因素

    國際固態(tài)電路會(huì)議 ( ISSCC ) 是對(duì) CMOS 晶體管縮放的慶?；顒?dòng)。但在他的 ISSCC 全體會(huì)議上，TI 的首席技術(shù)官 Ahmad Bahai 要求采取不同的觀點(diǎn)。他沒有計(jì)算我們可以在微米級(jí) CMOS 中渲染的晶體管數(shù)量，而是描述了一系列因素，包括巧妙的設(shè)計(jì)和專門的封裝。

  • 什么傳感器應(yīng)用場(chǎng)景擁有更大的發(fā)展空間？

    除了自動(dòng)駕駛外，還有哪些場(chǎng)景需要傳感融合的引入呢?它們的存在背后是否存在著全新的市場(chǎng)等待創(chuàng)新企業(yè)去挖掘?在回答這個(gè)問題時(shí)，我們首先需要判斷，傳感融合的加入，能否對(duì)整體行業(yè)效率進(jìn)行提升。

  • 科技高速發(fā)展時(shí)代，傳感器發(fā)展速度迅猛！

    許多人在購買數(shù)碼相機(jī)時(shí)都非常在意相機(jī)的像素，認(rèn)為像素越高成像質(zhì)量越高，其實(shí)不然。數(shù)碼相機(jī)的感光元件才是決定畫面質(zhì)量的關(guān)鍵。目前，數(shù)碼相機(jī)使用的感光元件材質(zhì)有CMOS 傳感器 和CCD傳感器。

  • 使用NMOS升級(jí)外設(shè)驅(qū)動(dòng)的更好方式

    我們的世界正在變得自動(dòng)化。我們看到了在日常生活中實(shí)現(xiàn)更多自動(dòng)化的強(qiáng)大舉措，從更智能的家居（空調(diào)、照明和白色家電）到更輕松、更好的汽車旅行。